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• 带准备室直线或交叉传递工件等离子体源离子注入机 公开日期：2024-06-25 公开号：CN113832442A 申请号：CN202111115246.X
  发明 带准备室直线或交叉传递工件等离子体源离子注入机

  • 申请号：CN202111115246.X
  • 公开号：CN113832442A
  • 公开日期：2024-06-25
  • 申请人：哈尔滨工业大学

  带准备室直线或交叉传递工件等离子体源离子注入机，涉及等离子体源离子注入机。为了解决单真空室等离子体源离子注入机生产效率低的问题。本发明带准备室直线传递工件等离子体源离子注入机由准备室、注入室和工件转换室构成；或带准备室交叉传递工件等离子体源离子注入机由准备室、注入室和工件转换室构成；本发明设置专门的注入室始终保持高真空状态，可忽略预抽背底真空的时间，双室离子注入机能够大幅度缩短生产周期，准备室和注入室结构基本相同，在需要超长时间离子注入的场合，可单独使用。本发明适用于离子注入。

  发布时间：2023-07-06 11:07:11

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• 一种气相沉积装置 公开日期：2024-06-25 公开号：CN118064872A 申请号：CN202410479388.1
  发明 一种气相沉积装置

  • 申请号：CN202410479388.1
  • 公开号：CN118064872A
  • 公开日期：2024-06-25
  • 申请人：上海谙邦半导体设备有限公司

  本申请实施例涉及半导体加工技术领域，特别涉及一种气相沉积装置。气相沉积装置包括腔体和承载机构。腔体具有相对设置的内壁面与外壁面，内壁面围设形成反应腔室；承载机构，部分位于反应腔室内，承载机构用于承载晶圆，且承载机构设置有加热单元；承载机构设置有供流体流动的第一通道，内壁面与外壁面之间设置有供流体流动的第二通道，第一通道的出口与第二通道的入口连通，第一通道的入口与第二通道的出口分别连接至提供冷却液的冷却源。本申请实施方式提供的气相沉积装置，能够在确保加热腔体效果的同时，有效降低CVD过程中的能耗和成本。

  发布时间：2024-06-01 07:30:51

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• 空气炸锅内锅表面经氮化形成的防锈不粘器具及制备方法 公开日期：2024-06-25 公开号：CN116024571A 申请号：CN202211582991.X
  发明 空气炸锅内锅表面经氮化形成的防锈不粘器具及制备方法

  • 申请号：CN202211582991.X
  • 公开号：CN116024571A
  • 公开日期：2024-06-25
  • 申请人：浙江新唐实业有限公司

  本发明公开空气炸锅内锅表面经氮化形成的防锈不粘器具的制备方法，包括以下步骤：S1、清洁不锈钢，除油喷砂；S2、粘贴遮挡网分割形成多个不连通的刻蚀区域；S3、刻蚀；S4、喷涂SiO2凝胶连续分布于不锈钢凹坑内表面；S5、去除遮挡网；S6、氮化，不锈钢凸出于SiO2凝胶的部分与氮原子接触氮化；同时凝胶在氮化温度下固化附着于凹坑表面并形成有孔SiO2层，气体渗氮经SiO2层的介孔与SiO2层下方的不锈钢接触氮化，形成处于不锈钢表面的连续的具有凹凸结构的氮化层；经本发明处理的不锈钢制得的不粘锅不粘性良好，高温使用后仍保持持久的不粘性。

  发布时间：2023-05-16 09:05:51

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• 一种DLC溅射等离子涂层工艺及涂层装置 公开日期：2024-06-25 公开号：CN117626201A 申请号：CN202311644806.X
  发明 一种DLC溅射等离子涂层工艺及涂层装置

  • 申请号：CN202311644806.X
  • 公开号：CN117626201A
  • 公开日期：2024-06-25
  • 申请人：科廷表面科技（浙江）有限公司

  本发明属于等离子涂层技术领域，具体的说是一种DLC溅射等离子涂层工艺及涂层装置，包括真空室，所述真空室顶端安装有固定架，所述固定架的底端固接有喷射组件，所述喷射组件包括喷射源、靶材，所述真空室的内部且位于喷射组件的下方转动连接有转动架，所述转动架通过外部伺服电机驱动，所述转动架的外部均匀开设有多个安装槽，所述安装槽外部设置有弹性限位框架，所述转动架的内部插接有连接架，所述连接架的内部固接有多个偏压电极，多个所述偏压电极与安装槽一一对应；通过供电组件的设计，使得转动架内部的其他的偏压电极不需要时刻供电，实现了仅对待加工的工件进行通电镀覆的效果，达到了节省能源的目的。

  发布时间：2024-03-05 07:17:21

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• 一种用于高硅奥氏体不锈钢的金相腐蚀剂与显色蚀刻方法 公开日期：2024-06-25 公开号：CN114574864A 申请号：CN202111491914.9
  发明 一种用于高硅奥氏体不锈钢的金相腐蚀剂与显色蚀刻方法

  • 申请号：CN202111491914.9
  • 公开号：CN114574864A
  • 公开日期：2024-06-25
  • 申请人：中国科学院金属研究所

  本发明公开了一种用于高硅奥氏体不锈钢的金相腐蚀剂与显色蚀刻方法，属于高硅奥氏体不锈钢材料及金相分析技术领域。所述金相腐蚀剂包括腐蚀剂Ⅰ和腐蚀剂Ⅱ，腐蚀剂Ⅰ是由氢氟酸、丙三醇和硝酸按照(15～30)：(10～30)：10的体积比例混合而成；腐蚀剂Ⅱ是由硫酸和甲醇按照10：90的体积比例混合而成。使用时先将试样浸入腐蚀剂Ⅰ中浸泡2～6min，待表面变成磨砂状态，取出烘干；然后将样品在腐蚀剂Ⅱ中进行电解腐蚀，腐蚀电压为2～3V，电解时间为2～6min，腐蚀后的样品通过金相显微镜观察。该金相腐蚀剂及蚀刻方法可以清晰分辨高硅奥氏体不锈钢中析出相χ、σ、Cr3Ni5Si2相和碳化物。

  发布时间：2023-05-12 11:51:26

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• 一种反应腔组件、MPCVD系统及MPCVD系统控制方法 公开日期：2024-06-25 公开号：CN116334597A 申请号：CN202310308224.8
  发明 一种反应腔组件、MPCVD系统及MPCVD系统控制方法

  • 申请号：CN202310308224.8
  • 公开号：CN116334597A
  • 公开日期：2024-06-25
  • 申请人：成都沃特塞恩电子技术有限公司

  本发明提供了一种反应腔组件、MPCVD系统及MPCVD系统控制方法，属于微波系统领域。上述系统包括机架及上述反应腔组件，反应腔组件的内腔中设置有隔离板，通过隔离板上设置有多孔陶瓷对腔体中的粉尘进行吸附，从而降低反应腔中的粉尘含量；进而能够确保反应腔中的反应能够正常进行。而上述控制方法主用于控制上述MPCVD系统，其主要是对上述MPCVD系统进行智能控制，从而能够实现自动切换可用气流通道；并及时提示工作人员更换不可用多孔陶瓷；进而保证整个系统的正常运行，提高了整体的工作效率。

  发布时间：2023-06-29 07:13:40

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• 静电场和超声场作用下的粉体表面原子层沉积装置及方法 公开日期：2024-06-25 公开号：CN116590693A 申请号：CN202310777516.6
  发明 静电场和超声场作用下的粉体表面原子层沉积装置及方法

  • 申请号：CN202310777516.6
  • 公开号：CN116590693A
  • 公开日期：2024-06-25
  • 申请人：江南大学

  本发明公开了一种静电场和超声场作用下的粉体表面原子层沉积方法及装置，该装置包括圆柱形外壳和方形反应容器；所述方形反应容器安装于圆柱形外壳内，所述圆柱形外壳为外圆内方的结构，其圆柱外表面包裹一圈加热片；所述方形反应容器包括立方体框架、金属导电板、超声波振动片、排气孔、进气孔、进料孔和底座。本发明将静电场与超声场结合，利用超声波使团聚的粉体颗粒解聚，粉体颗粒在静电场交变的作用下反复运动，使粉体颗粒与反应气体充分接触反应，从而形成均匀的、致密的、保形性好的包覆层。

  发布时间：2023-08-17 07:13:24

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• 一种用于卷绕式真空镀膜机的真空穿膜机构 公开日期：2024-06-25 公开号：CN112795895A 申请号：CN202110345060.7
  发明 一种用于卷绕式真空镀膜机的真空穿膜机构

  • 申请号：CN202110345060.7
  • 公开号：CN112795895A
  • 公开日期：2024-06-25
  • 申请人：泊肃叶科技（沈阳）有限公司

  本发明公开一种用于卷绕真空镀膜机的真空穿膜机构，应用于新能源动力电池制造的卷绕式真空镀膜机。真空穿膜机构主要包括穿膜杆、滑槽、滑动端、驱动端；穿膜杆上设置有膜槽，用来夹紧需要穿膜的柔性基膜端部；滑槽为2组，分别布置在卷绕式真空镀膜机的真空室与主辊轴线垂直的两个室壁内侧，滑槽的路径与柔性基膜在卷绕式真空镀膜机中卷绕走膜的路径一致；滑动端为2个，分别设置在穿膜杆的两端，滑动端上设置有轴承，轴承置于滑槽内，滑动端可通过轴承在滑槽中滑动；驱动端置于真空室外，可非接触式地驱动滑动端带动穿膜杆沿真空室内的滑槽路径移动。

  发布时间：2023-06-07 12:35:52

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• 一种双镜面异材蒸镀装置 公开日期：2024-06-25 公开号：CN118064843A 申请号：CN202410496873.X
  发明 一种双镜面异材蒸镀装置

  • 申请号：CN202410496873.X
  • 公开号：CN118064843A
  • 公开日期：2024-06-25
  • 申请人：成都顿威新型金属材料有限公司

  本发明公开了一种双镜面异材蒸镀装置，涉及真空蒸镀设备领域，包括蒸镀装置壳体，蒸镀装置壳体的内侧底部安置有两个用于盛放蒸镀材料的坩埚，两个坩埚之间设置有凹弧顶托块，凹弧顶托块与蒸镀装置壳体为固定连接，蒸镀装置壳体的上部呈圆弧顶状，蒸镀装置壳体的内部设置有分隔组件，本发明通过分隔组件将蒸镀装置壳体的内部分隔为两个独立的蒸镀腔室，再配合悬挂单元和驱动单元的作用，在两个独立蒸镀腔室中的基板进行一面蒸镀后，可以直接将悬挂单元内的基板在两个独立蒸镀腔室之间进行位置更换，即能对基板的另一面进行蒸镀，由于两个独立蒸镀腔室中坩埚内的镀料不同，就能够实现在同一次蒸镀工序中，对基板的双镜面进行不同异材的蒸镀处理。

  发布时间：2024-06-01 07:31:14

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• 硅片处理设备 公开日期：2024-06-25 公开号：CN112226745A 申请号：CN202011187197.6
  发明 硅片处理设备

  • 申请号：CN202011187197.6
  • 公开号：CN112226745A
  • 公开日期：2024-06-25
  • 申请人：常州捷佳创精密机械有限公司

  本发明提供了一种硅片处理设备，硅片处理设备包括：硅片加工组件，硅片加工组件上设置有输入端和输出端，输入端适于接收载板，输出端适于输出载板；载板传送组件，载板传送组件包括：导轨，导轨的两端分别与输入端和输出端相连接；传输装置，设置于导轨上，传输装置能够沿导轨运动，传输装置上设置有腔体；其中，输出端输出的载板存入腔体后，经传输装置将载板输送至输入端。通过设置由导轨和传输装置组成的载板传送组件，取缔了皮带输送机，一方面精简了硅片处理设备的结构，缩减载板传送组件所占空间。通过在传送装置上设置腔体，可以从密封结构上进一步精简硅片处理设备的结构。

  发布时间：2023-05-25 12:28:57

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