一种气相沉积装置2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118064872 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410479388.1 (22)申请日 2024.04.22 (71)申请人 上海谙邦半导体设备有限公司 地址 201304 上海市浦东新区中国（上海） 自由贸易试验区临港新片区洲德路 1588号2幢2座 (72)发明人 王兆祥　张朋兵　梁洁　涂乐义　 邱勇　 (74)专利代理机构 上海汉盛律师事务所 31316 专利代理师 韩雪松　管雨 (51)Int.Cl. C23C 16/46 (2006.01) C23C 16/458 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种气相沉积装置 (57)摘要 本申请实施例涉及半导体加工技术领域，特 别涉及一种气相沉积装置。气相沉积装置包括腔 体和承载机构。腔体具有相对设置的内壁面与外 壁面，内壁面围设形成反应腔室；承载机构，部分 位于反应腔室内，承载机构用于承载晶圆，且承 载机构设置有加热单元；承载机构设置有供流体 流动的第一通道，内壁面与外壁面之间设置有供 流体流动的第二通道，第一通道的出口与第二通 道的入口连通，第一通道的入口与第二通道的出 口分别连接至提供冷却液的冷却源。本申请实施 方式提供的气相沉积装置，能够在确保加热腔体 效果的同时，有效降低CVD过程中的能耗和成本。 A 2 7 8 4 6 0 8 1 1