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包含二氰基苯乙烯基的能够湿蚀刻的抗蚀剂下层膜形成用组合物 公开日期:2024-08-16 公开号:CN113994263A 申请号:CN202080044359.2包含二氰基苯乙烯基的能够湿蚀刻的抗蚀剂下层膜形成用组合物
- 申请号:CN202080044359.2
- 公开号:CN113994263A
- 公开日期:2024-08-16
- 申请人:日产化学株式会社
本发明提供对抗蚀剂溶剂、作为碱水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性,同时仅对湿蚀刻药液显示除去性、且优选显示溶解性的抗蚀剂下层膜。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含具有二氰基苯乙烯基的聚合物(P)或具有二氰基苯乙烯基的化合物(C),且包含溶剂,不包含由三聚氰胺、脲、苯胍胺、或甘脲衍生的烷基化氨基塑料交联剂,且不包含质子酸固化催化剂。- 发布时间:2023-04-24 09:23:58
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一种掩膜版及光学临近修正的方法 公开日期:2024-08-16 公开号:CN112965335A 申请号:CN202110215006.0一种掩膜版及光学临近修正的方法
- 申请号:CN202110215006.0
- 公开号:CN112965335A
- 公开日期:2024-08-16
- 申请人:合肥维信诺科技有限公司
本发明实施例公开了一种掩膜版及光学临近修正的方法。其中,掩膜版包括至少一个图形对应区,其中,任一图形对应区包括主区和位于主区周围的至少一个光学临近失真补偿区,主区的透光率、与图形对应区邻接的外围区域的透光率和光学临近失真补偿区的透光率不相等,主区的透光率大于与图形对应区邻接的外围区域的透光率和光学临近失真补偿区的透光率中的较小值,主区的透光率小于与图形对应区邻接的外围区域的透光率和光学临近失真补偿区的透光率中的较大值。本发明实施例提供的技术方案可以高效快速实现补偿失真的曝光图形,且成本低。- 发布时间:2023-06-11 13:20:09
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利用了碳氧间双键的抗蚀剂下层膜形成用组合物 公开日期:2024-08-16 公开号:CN112236720A 申请号:CN201980034895.1利用了碳氧间双键的抗蚀剂下层膜形成用组合物
- 申请号:CN201980034895.1
- 公开号:CN112236720A
- 公开日期:2024-08-16
- 申请人:日产化学株式会社
提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数,对所谓的高低差基板也被覆性良好,埋入后的膜厚差小,能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外,提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含碳原子数6~60的芳香族化合物(A)与碳原子数3~60的含氧化合物(B)所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂,上述含氧化合物(B)在一分子中具有1个部分结构:‑CON<或‑COO‑,上述反应生成物中,上述含氧化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。- 发布时间:2023-05-25 12:21:11
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一种显影盒、鼓盒和图像形成装置 公开日期:2024-08-16 公开号:CN114077175A 申请号:CN202110910267.4一种显影盒、鼓盒和图像形成装置
- 申请号:CN202110910267.4
- 公开号:CN114077175A
- 公开日期:2024-08-16
- 申请人:江西亿铂电子科技有限公司
本发明提供了一种显影盒包括:显影辊,可绕在第一方向上延伸的轴线旋转;壳体,具有可容纳显影剂的显影剂容纳部,包括有第一侧和在第一方向上与所述第一侧相对设置的的第二侧;驱动齿轮,设置在所述壳体的第一侧;包括有芯片的芯片组件,安装在所述壳体上,所述芯片包括电接触部,所述电接触部位于所述壳体的第二侧;在所述壳体的第二侧还设置有灌粉口和圆盖,通过所述灌粉口可向所述显影剂容纳部灌粉,所述圆盖用于密封所述灌粉口以防止显影剂从所述灌粉口泄露,沿着第一方向从所述壳体的的第二侧观察,所述芯片组件的至少一部分与所述圆盖重叠。- 发布时间:2023-04-26 09:50:46
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基于移动设备状态的电子身份卡全息防伪方法及装置 公开日期:2024-08-16 公开号:CN117724318A 申请号:CN202311752581.X基于移动设备状态的电子身份卡全息防伪方法及装置
- 申请号:CN202311752581.X
- 公开号:CN117724318A
- 公开日期:2024-08-16
- 申请人:杭州城市大脑有限公司
本发明提供一种基于移动设备状态的电子身份卡全息防伪方法及装置,该方法包括:依次叠加覆盖多个具有不同信息的异构全息层以形成电子身份卡的全息防伪覆盖层;基于多个异构全息层上的信息将全息防伪覆盖层分割为不可变全息图层区域和可变全息图层区域,不可变全息图层区域内包含了表征用户身份信息的全息图像和/或文字;实时获取移动设备在生成电子身份卡时的设备状态参数,设备状态参数与全息防伪覆盖层内的图像特性相关;将获取的设备状态参数转换成实时调整参数并将其融入可变全息图层区域内,以使可变全息图层区域内的可见性参数随移动设备状态实时变化,可见性参数包括可变全息图层区域的颜色、亮度以及图像的可见度。- 发布时间:2024-03-25 07:19:59
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用于光源掩模优化的方法、设备和介质 公开日期:2024-08-16 公开号:CN118092068A 申请号:CN202410529554.4用于光源掩模优化的方法、设备和介质
- 申请号:CN202410529554.4
- 公开号:CN118092068A
- 公开日期:2024-08-16
- 申请人:全芯智造技术有限公司
根据本公开的示例实施例提供了用于光源掩模优化的方法、设备和介质。该方法包括:获取包括多个掩模图形的掩模版图和光源的信息;通过光刻仿真,生成利用掩模版图和光源在晶圆上形成的多个晶圆图形,多个晶圆图形分别对应于多个掩模图形;确定与多个晶圆图形的形成相关联的成像成本;以及基于成像成本,通过改变多个掩模图形中的至少一个掩模图形的目标尺寸,确定光源的目标照明模式和掩模版图。以此方式,无需对目标尺寸进行人工调整,提高了SMO的处理效率。- 发布时间:2024-06-01 08:10:34
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压印衬底及压印方法 公开日期:2024-08-16 公开号:CN114002915A 申请号:CN202111366654.2压印衬底及压印方法
- 申请号:CN202111366654.2
- 公开号:CN114002915A
- 公开日期:2024-08-16
- 申请人:北京驭光科技发展有限公司
本发明提供一种压印衬底,用于固定于压印设备的载物台上,压印衬底为用于制备衍射光学元件或微透镜阵列的压印衬底,压印衬底包括:功能部和稳定部,功能部用于涂覆光固化或热固化胶水,功能部具有厚度均匀的有效区和包围有效区的无效区,有效区用于作为纳米压印图形的承载区域。稳定部固定设置于功能部的无效区上,且稳定部的厚度大于功能部的厚度。本发明的实施例利用稳定部的重力抵抗胶水固化过程中的内缩应力,避免了衬底翘曲变形,提高了产品的合格率,进而为选择大尺寸超薄衬底提供了条件。同时,本发明还提供了一种压印方法,依靠前述的压印衬底进行纳米压印。- 发布时间:2023-04-24 09:48:33
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带有形状记忆合金和磁耦合机构的掩模版笼式致动器 公开日期:2024-08-16 公开号:CN113811818A 申请号:CN202080033776.7带有形状记忆合金和磁耦合机构的掩模版笼式致动器
- 申请号:CN202080033776.7
- 公开号:CN113811818A
- 公开日期:2024-08-16
- 申请人:ASML控股股份有限公司
本文中的实施例描述了用于为物体提供支撑的方法和安全装置。一种安全装置包括具有驱动电机的驱动侧、以及从动侧。安全装置的从动侧包括外壳和安全闩锁,该外壳具有沿着外壳的长度延伸的旋转轴。从动侧经由旋转轴的第一端处的非接触式磁耦合装置被耦合到驱动电机,并且安全闩锁被耦合到旋转轴的与旋转轴的第一端相对的第二端。驱动电机被配置为经由非接触式磁耦合装置在驱动侧引起安全闩锁在径向方向上的旋转。- 发布时间:2023-07-05 07:15:38
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在增强现实显示器中利用激光束扫描的多平面投影 公开日期:2024-08-16 公开号:CN114815468A 申请号:CN202210030236.4在增强现实显示器中利用激光束扫描的多平面投影
- 申请号:CN202210030236.4
- 公开号:CN114815468A
- 公开日期:2024-08-16
- 申请人:英飞凌科技股份有限公司
本公开涉及在增强现实显示器中利用激光束扫描的多平面投影。一种图像投影系统,包括第一发射器,被配置为生成第一光束;第一准直透镜,被配置为接收第一光束并且生成待被投影到眼睛上的第一准直光束,以渲染在第一投影平面处感知的第一投影图像;第二发射器,被配置为生成第二光束;第二准直透镜,被配置为接收第二光束并且生成待被投影到眼睛上的第二准直光束,以渲染在第二投影平面处感知的第二投影图像;第一光束组合器,被配置为在组合传输路径上传输第一准直光束和第二准直光束;以及扫描器,被配置为根据扫描图案使第一准直光束和第二准直光束转向,以将第一投影图像和第二投影图像渲染到眼睛上。- 发布时间:2023-05-17 11:53:22
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测量方法和设备 公开日期:2024-08-13 公开号:CN112639611A 申请号:CN201980055729.X测量方法和设备
- 申请号:CN201980055729.X
- 公开号:CN112639611A
- 公开日期:2024-08-13
- 申请人:ASML荷兰有限公司
一种控制使用合格化的光学邻近效应校正(OPC)模型的成像过程的方法,所述方法包括:获取OPC模型,所述OPC模型被配置成在用于在图案化过程中使用后OPC设计在衬底上形成图案的过程中对预OPC设计的OPC修改的行为进行建模;在制造环境中使用所述图案化过程;收集在所述制造环境中使用所述图案化过程被图案化的衬底中的过程控制数据;将收集到的过程控制数据储存在数据库中;通过硬件计算机系统分析所储存的收集到的过程控制数据,以验证所述OPC模型是在所选阈值内的校正图案特征;以及对于落入所选阈值外的图案特征,确定对所述成像过程的修改以校正成像误差。- 发布时间:2023-06-03 12:09:53
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