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PCT发明

利用了碳氧间双键的抗蚀剂下层膜形成用组合物

2023-05-25 12:21:11 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN201980034895.1
  • 公开（公告）日：2024-08-16
  • 公开（公告）号：CN112236720A
  • 申请人：日产化学株式会社
摘要：提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与碳原子数3～60的含氧化合物(B)所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂，上述含氧化合物(B)在一分子中具有1个部分结构：‑CON＜或‑COO‑，上述反应生成物中，上述含氧化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112236720 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 201980034895.1 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 (22)申请日 2019.05.21 代理人 李渊茹　段承恩 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2018-100502 2018.05.25 JP G03F 7/11 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C08G 8/02 (2006.01) 2020.11.24 G03F 7/20 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 G03F 7/26 (2006.01) PCT/JP2019/020146 2019.05.21 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2019/225615 JA 2019.11.28 (71)申请人 日产化学株

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