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一种解决异质外延法制备铁氧体单晶膜材料开裂问题的方法2024

2024-03-18 07:20:54 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311462748.9
  • 公开(公告)日:2024-03-12
  • 公开(公告)号:CN117684256A
  • 申请人:西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
摘要:本发明公开了一种解决异质外延法制备铁氧体单晶膜材料开裂问题的方法,属于铁氧体单晶膜材料生长技术领域,制备时采用表面为向外突出的曲面的衬底,所述曲面顶点到水平面的高度为d,0.05≤d≤0.15mm,曲率半径R为540mm~6460mm;本发明将衬底磨抛成特定的曲面,再使用该衬底进行液相外延,从而能够有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题,并且本发明提供的方法技术难度小,生长出的单晶膜完整性高。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117684256 A (43)申请公布日 2024.03.12 (21)申请号 202311462748.9 C30B 29/28 (2006.01) H01F 41/14 (2006.01) (22)申请日 2023.11.06 (71)申请人 西南应用磁学研究所(中国电子科 技集团公司第九研究所) 地址 621000 四川省绵阳市滨河北路西段 268号 (72)发明人 李俊 冯辉煜 李阳 蒋金秀  魏源 魏占涛 刘庆元 帅世荣  左林森 倪琴菲  肖礼康 蓝江河  杨天颖  (74)专利代理机构 成都市熠图知识产权代理有 限公司 51290 专利代理师 杨兵 (51)Int.Cl. C30B 19/12 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种解决异质外延法制备铁氧体单晶膜材 料开裂问题的方法 (57)摘要 本发明公开了一种解决异质外延法制备铁 氧体单晶膜材料开裂问题的方法,属于铁氧体单 晶膜材料生长技术领域,制备时采用表面为向外 突出的曲面的衬底,所述曲面顶点到水平面的高 度为d,0.05≤d≤0.15mm,曲率半径R为540mm ~ 6460mm;本发明将衬底磨抛成

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