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• 尾部双夹爪抓取的机器人锌锅捞渣装置 公开日期：2024-11-15 公开号：CN112501533A 申请号：CN202011445732.3
  发明 尾部双夹爪抓取的机器人锌锅捞渣装置

  • 申请号：CN202011445732.3
  • 公开号：CN112501533A
  • 公开日期：2024-11-15
  • 申请人：中冶南方工程技术有限公司

  本发明涉及一种尾部双夹爪抓取的机器人锌锅捞渣装置；夹具安装在六轴关节机器人第六轴的法兰盘上，通过气动夹爪驱动夹钳夹持捞渣工具尾部的双横杆，能够根据现场的情况自动更换工具；同时设计了工具架，用于存储和放置多个捞渣工具。通过本发明，机器人能够自动抓取捞渣工具进行捞渣作业，并且可以自动更换捞渣工具，有效减轻了现场工人劳动负荷。

  发布时间：2023-06-02 13:06:38

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• 具串联式冷却室的多流道气体喷射器 公开日期：2024-11-15 公开号：CN112410761A 申请号：CN202011160181.6
  发明 具串联式冷却室的多流道气体喷射器

  • 申请号：CN202011160181.6
  • 公开号：CN112410761A
  • 公开日期：2024-11-15
  • 申请人：苏州雨竹机电有限公司

  本发明为一种具串联式冷却室的多流道气体喷射器，包括喷射壳体内部环设有多层冷却室，每一层冷却室的侧壁顶部设有至少一溢流开口，以连通相邻的冷却室，每一层冷却室内还分别设有多条排气管，且排气管的开口外露于喷射壳体外。本发明可令每一排气管浸泡于冷却液中，达到整体排气管控温的效果，且排气管突出于串联式冷却室的多流道气体喷射器底部，搭配晶座(susceptor)的内凹结构，能有效扫除晶圆边缘的粉尘及沉积物，提升产品制造良率。

  发布时间：2023-05-29 12:18:01

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• 薄膜沉积旋转盘系统 公开日期：2024-11-15 公开号：CN112251735A 申请号：CN202011160763.4
  发明 薄膜沉积旋转盘系统

  • 申请号：CN202011160763.4
  • 公开号：CN112251735A
  • 公开日期：2024-11-15
  • 申请人：苏州雨竹机电有限公司

  本公开为一种薄膜沉积旋转盘系统，包括机台，机台上设有至少一晶圆凹座，其内设有一碟盘，且碟盘上设有晶圆容置槽。碟盘中央还穿设有晶圆升降装置，其包括一顶柱穿设在一套管内。机台上还设有一第一输气通道，以输送气体至套管的输气穿孔中，令套管内的顶柱根据气体的流量大小升降，以将晶圆容置槽上的晶圆顶出。机台上还设有一排气通道，当顶柱位于套管内的高度超过排气穿孔时，气体可由套管上的排气穿孔排出至排气通道，以调节顶柱的升降高度，等到流量与顶柱的高度平衡后，机械手臂即可进入夹取晶圆。本公开有助于机械手臂取放晶圆，有效因应自动化生产的需求，提升生产效率。

  发布时间：2023-05-28 12:09:39

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• 金属屏蔽结构 公开日期：2024-11-15 公开号：CN116156863A 申请号：CN202310337100.2
  发明 金属屏蔽结构

  • 申请号：CN202310337100.2
  • 公开号：CN116156863A
  • 公开日期：2024-11-15
  • 申请人：达运精密工业股份有限公司

  本发明提出一种金属屏蔽结构，其包含：外框架、凸块区以及第一连结区。外框架围绕界定一中央镂空区，且至少具有第一边框。凸块区自第一边框朝中央镂空区突出，且设置至少一开孔。凸块区于一连接侧边连接于第一边框。第一连结区则与所述连接侧边的其中一端连接凸块区及第一边框，且分别具有第一侧边、第二侧边及第三侧边。第一侧边延续自连接侧边，第二侧边横切地自第一侧边与连接侧边的交界处朝向中央镂空区伸出，且第三侧边的两端分别连接第一侧边及第二侧边远离连接侧边的端点。

  发布时间：2023-05-28 11:51:15

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• 钛表面处理方法 公开日期：2024-11-15 公开号：CN116136023A 申请号：CN202211435646.3
  发明 钛表面处理方法

  • 申请号：CN202211435646.3
  • 公开号：CN116136023A
  • 公开日期：2024-11-15
  • 申请人：东莞市德施普技术有限公司

  本发明提供了一种用于制造具有优异的结合强度的聚合物‑钛结合结构的钛表面处理方法。用于与聚合物复合材料相结合的钛表面处理方法包括：(a)第一蚀刻步骤，其中，以酸性溶液蚀刻所述钛表面；(b)第一表面处理步骤，其中，对钛表面进行超声波处理；(c)第二蚀刻步骤，其中，以酸性溶液再次蚀刻钛表面；(d)第二表面处理步骤，其中，对所述钛表面再次进行超声波处理；(e)第一硅烷偶联处理步骤，其中，对钛表面进行超声波处理；(f)第三表面处理步骤，其中，再次对钛表面进行超声波处理；(g)第二硅烷偶联处理步骤，其中，对所述钛表面进行阳极氧化处理。

  发布时间：2023-05-24 13:11:25

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• 太阳能电池用透明电极玻璃离线化学气相沉积镀膜的反应装置 公开日期：2024-11-15 公开号：CN116121732A 申请号：CN202211598656.9
  发明 太阳能电池用透明电极玻璃离线化学气相沉积镀膜的反应装置

  • 申请号：CN202211598656.9
  • 公开号：CN116121732A
  • 公开日期：2024-11-15
  • 申请人：浙江大学|||玻璃新材料创新中心（安徽）有限公司

  本发明公开了一种太阳能电池用透明电极玻璃离线化学气相沉积镀膜的反应装置，包括依次连接的可独立控温并能对反应气体在反应装置的宽度方向上均匀布气的大通量进气室，可分区控制反应气体界面温度的反应通道，可独立控温并能组织反应废气在反应装置的宽度方向上均匀排布的大通量排气室，以及可产生负压从而将排气室内的反应废气强制抽离的废气回收处理装置。本发明实现了进气室和排气室独立控温，以及进气预热道、反应气道、排气道界面精细、精确控温，可进行超大气量化学气相沉积，大大提高化学气相沉积法玻璃镀膜产品质量和生产效率。

  发布时间：2023-05-19 10:47:23

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• 一种集成电路用铬金属蚀刻液及其制备方法 公开日期：2024-11-15 公开号：CN116121755A 申请号：CN202211470220.1
  发明 一种集成电路用铬金属蚀刻液及其制备方法

  • 申请号：CN202211470220.1
  • 公开号：CN116121755A
  • 公开日期：2024-11-15
  • 申请人：江苏中德电子材料科技有限公司

  本发明公开了一种集成电路用铬金属蚀刻液及其制备方法，属于化学刻蚀技术领域，包括以下质量百分比的原料：硝酸铈铵10‑20％、质量分数35％双氧水7‑8％、草酸2‑5％、十二烷基二甲基苄基氯化铵0.1‑1％、辅助剂3‑5％；余量为去离子水；将上述原料按照配料比混合均匀后，过0.2微米筛网，得到集成电路用铬金属蚀刻液，本发明在蚀刻液中引入辅助剂，该辅助剂为烯丙基络合剂接枝的纳米零价铁和氧化石墨烯的复合材料，不仅在蚀刻液中分散性高，并且对蚀刻液中金属离子具有较高的吸附效果，能够捕集蚀刻液中游离的金属离子，减少游离的金属离子对蚀刻液的影响，保持刻蚀液的“新鲜度”，提高刻蚀液的使用寿命，减少废液污染。

  发布时间：2023-05-24 12:55:12

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• 衬底处理装置和方法 公开日期：2024-11-15 公开号：CN114746576A 申请号：CN202080081951.X
  PCT发明 衬底处理装置和方法

  • 申请号：CN202080081951.X
  • 公开号：CN114746576A
  • 公开日期：2024-11-15
  • 申请人：皮考逊公司

  一种衬底处理装置，包括：反应室，用于处理衬底；光子源，用于向所述反应室提供来自所述反应室的顶侧的光子；衬底支撑件，用于支撑所述衬底；化学品入口，用于为所述反应室提供反应性化学品；以及化学品出口，用于从所述反应室排出气体，所述化学品出口包括将所述反应室与周围空间分离的表面。

  发布时间：2023-05-15 11:31:49

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• 蒸镀装置、蒸镀方法、有机发光二极管器件和显示面板 公开日期：2024-11-15 公开号：CN116083858A 申请号：CN202310092346.8
  发明 蒸镀装置、蒸镀方法、有机发光二极管器件和显示面板

  • 申请号：CN202310092346.8
  • 公开号：CN116083858A
  • 公开日期：2024-11-15
  • 申请人：京东方科技集团股份有限公司|||重庆京东方显示技术有限公司

  本公开实施例提供蒸镀装置、蒸镀方法、有机发光二极管器件和显示面板。蒸镀装置包括：蒸镀源，蒸镀源包括沿第一方向间隔排列的第二蒸镀源、第一蒸镀源及第三蒸镀源，第一蒸镀源蒸镀主体材料，第二蒸镀源和第三蒸镀源蒸镀客体材料，第二蒸镀区和第三蒸镀区位于第一蒸镀区内；待蒸镀基板被配置为相对于蒸镀源沿第一方向往复移动，发光材料层包括多个层叠的子发光材料层，子发光材料层包括层叠的第一子发光层、第二子发光层以及第三子发光层，第二子发光层位于第一子发光层和第三子发光层之间，第一子发光层的客体材料掺杂率和第三子发光层的客体材料掺杂率均大于第二子发光层的客体材料掺杂率。本公开的蒸镀装置制备发光材料层可以提升发光效率。

  发布时间：2023-05-12 11:14:51

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• 一种掩膜版框架及掩膜版组件 公开日期：2024-11-15 公开号：CN114438444A 申请号：CN202210076291.7
  发明 一种掩膜版框架及掩膜版组件

  • 申请号：CN202210076291.7
  • 公开号：CN114438444A
  • 公开日期：2024-11-15
  • 申请人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

  本申请提供一种掩膜版框架及掩膜版组件，包括框架本体，所述框架本体开设有开窗，所述框架本体开设有至少两个间隔设置的安装部，所述安装部用于固定掩膜版，所述开窗位于至少两个所述安装部的最内侧的所述安装部的内侧。本申请提供的掩膜版框架及掩膜版组件，由于在所述框架本体上开设有至少两个间隔的安装部，每个安装部用于固定一个掩膜版，当所述框架本体与掩膜版配合时，由现有技术的一个框架本体与一个掩膜版配合变成一个框架本体能搭配至少两个具不同开口尺寸的掩膜版使用，也即节省了框架本体的数量，从而节省了掩膜版组件的成本。

  发布时间：2023-05-09 11:29:19

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