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• 一种立式镀膜装置 公开日期：2025-03-28 公开号：CN114717531A 申请号：CN202210404611.7
  发明 一种立式镀膜装置

  • 申请号：CN202210404611.7
  • 公开号：CN114717531A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：浙江水晶光电科技股份有限公司

  本申请提供一种立式镀膜装置，涉及半导体制备技术领域，包括基座、镀膜机构以及转动设置于基座上的公转机构，在公转机构的周壁设置有载板，在载板上转动设置有用于放置平面基板的自转机构，公转机构的转动平面与自转机构的转动平面垂直，镀膜机构设置于基座且与平面基板对应，以此通过自转能够改变平面基板表面位置点与镀膜机构的距离，从而平衡各位置点距离的差异化，进而减小平面基板表面镀膜的横向散差，提高产品的均匀性和良率。

  发布时间：2023-05-15 11:27:58

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• 一种化学气相沉积设备 公开日期：2025-03-28 公开号：CN114574836A 申请号：CN202210130187.1
  发明 一种化学气相沉积设备

  • 申请号：CN202210130187.1
  • 公开号：CN114574836A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：李涛

  本发明涉及化学气相沉积技术领域，具体为一种化学气相沉积设备，包括箱体、铰接在箱体上的箱盖、固定安装在箱盖上的进料口，所述箱体的内壁上固定安装有缓冲箱，所述进料口的底部与缓冲箱的上端连通，所述缓冲箱的内部固定安装有第一固定杆，所述第一固定杆的下端设有扇叶。本发明通过设置第一固定杆、扇叶、缓冲箱等机构，待沉积气体由进料口进入箱体内部，利用驱动设备带动扇叶旋转，旋转的扇叶在进料口处形成气流，加快待沉积气体进入缓冲箱的速度，待沉积气体通过通气孔扩散到缓冲箱的下端，使得待沉积气体均匀扩散到箱体内腔中。

  发布时间：2023-05-12 11:52:22

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• 一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法 公开日期：2025-03-28 公开号：CN114318286A 申请号：CN202210100410.8
  发明 一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法

  • 申请号：CN202210100410.8
  • 公开号：CN114318286A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司

  本发明涉及复合基板的制备技术领域，公开一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法。其中复合基板的制备装置包括：物理气相沉积腔室，为第一真空腔室且其内设有物理气相沉积组件，物理气相沉积组件能够对基板本体的表面进行物理气相沉积并形成镀层；键合腔室，能够与物理气相沉积腔室连通或者隔绝且为第二真空腔室，键合腔室内设有加压组件；移动组件，移动组件能够将物理气相沉积腔室内带镀层的基板本体转移至键合腔室内，加压组件能够将至少两个镀膜后的基板本体键合形成复合基板。本发明公开的复合基板的制备装置，具有稳定性好、材料的利用率高及成品率高的特点。

  发布时间：2023-05-06 10:13:37

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• HMDS处理机构及处理工艺 公开日期：2025-03-28 公开号：CN115772653A 申请号：CN202211484143.5
  发明 HMDS处理机构及处理工艺

  • 申请号：CN202211484143.5
  • 公开号：CN115772653A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：常州瑞择微电子科技有限公司

  本发明涉及一种HMDS处理机构及处理工艺，HMDS处理机构包括真空腔室和托起机构，所述真空腔室的具有开口侧，所述开口侧配置有用于封闭或打开其的真空闸门；所述托起机构具有用于共同托起被送至所述真空腔室内的掩模板的至少三个指钩，所述指钩具有用于与所述掩模板线接触以支撑所述掩模板的倾斜面和/或弧形面。本发明的HMDS处理机构可以以线接触的方式转移掩模板，以避免掩模板被损伤或污染。

  发布时间：2023-06-07 22:39:09

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• 化学反应源供应系统及半导体加工装置 公开日期：2025-03-25 公开号：CN117568782A 申请号：CN202311419668.5
  发明 化学反应源供应系统及半导体加工装置

  • 申请号：CN202311419668.5
  • 公开号：CN117568782A
  • 公开日期：2025-03-25
  • 申请人：研微（江苏）半导体科技有限公司

  本发明提供一种化学反应源供应系统，包括：反应源容器、加热柜、反应源供应管路、第一控制阀、加热装置及冷却装置、反应源容器位于加热柜内，加热柜的内部处于大气压环境；第一控制阀的底部阀体设置在加热柜内部，工作温度为≥200℃，第一控制阀的执行器设置在加热柜外，执行器的工作温度为≤120℃；加热装置包括第一加热单元和第二加热单元；第一加热单元设置于加热柜内，用于对反应源容器进行加热，第二加热单元设置于加热柜外，用于对加热柜进行加热；冷却装置设置在加热柜外部。本发明经改善的结构设计，使得整个系统的结构极大简化，体积极大减小，使用和维护成本可以显著降低。使用本发明提供的半导体加工装置，有助于降低生产成本。

  发布时间：2024-03-02 07:12:43

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• 反应腔体以及薄膜沉积设备 公开日期：2025-03-25 公开号：CN117187782A 申请号：CN202311153774.3
  发明 反应腔体以及薄膜沉积设备

  • 申请号：CN202311153774.3
  • 公开号：CN117187782A
  • 公开日期：2025-03-25
  • 申请人：拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司

  本发明提供了一种反应腔体和薄膜沉积设备。该反应腔体包括：传片口；可移动块体，设置在该传片口下方并具有内侧壁和外侧壁；气缸推动组件，安装在该可移动块体下方；以及导轨组件，设置在该可移动块体的两侧；其中，当进行工艺制程时，该气缸推动组件带动该可移动块体上升，使该可移动块体组件沿着该导轨组件上升直至该传片口空间被封堵。

  发布时间：2023-12-17 07:15:22

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• 一种半导体处理设备 公开日期：2025-03-25 公开号：CN116904970A 申请号：CN202310965852.3
  发明 一种半导体处理设备

  • 申请号：CN202310965852.3
  • 公开号：CN116904970A
  • 公开日期：2025-03-25
  • 申请人：重庆理工大学

  本发明涉及半导体加工领域，公开了一种半导体处理设备，包括基座、外壳和晶舟基座上设有注气端口，外壳上设有抽气端口，外壳罩覆在晶舟外侧，晶舟每层支撑平台的上方均设有注气盘，注气盘包括上盘体和转动在上盘体底部的下盘体，上盘体内部设有加压气道和叶轮腔，加压气道与注气端口连通，叶轮腔内设有与下盘体固定的叶轮，下盘体内部设有与叶轮腔连通的布气腔，布气腔的底部开设有条形布气口。本发明可解决现有技术中对晶圆沉积过程中薄膜厚度均匀程度的解决方式，或采用气体从外环绕向晶圆中心扩散接触的方式，或采用晶圆在大量气体环境中旋转接触气体的方式，均存在沉积的薄膜边缘厚度大于中心厚度的情况，薄膜厚度仍存在不均匀的问题。

  发布时间：2023-10-22 07:33:47

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• 预制固体润滑粉末制备自润滑复合涂层的方法 公开日期：2025-03-25 公开号：CN116356309A 申请号：CN202310249682.9
  发明 预制固体润滑粉末制备自润滑复合涂层的方法

  • 申请号：CN202310249682.9
  • 公开号：CN116356309A
  • 公开日期：2025-03-25
  • 申请人：大连理工大学

  本发明预制固体润滑粉末制备自润滑复合涂层的方法，涉及激光表面改性技术领域，尤其涉及工件表面预置固体润滑粉末，再进行超高速激光熔覆制备自润滑复合涂层的方法。本发明方法包括如下步骤：1)、对工件进行表面预处理；2)、将固体润滑粉末预制在工件表面；3)、制备熔覆粉末；4)、预热工件；5)、超高速激光熔覆。本发明的技术方案解决了现有技术中的1、涂层硬度提高导致摩擦因数提高，涂层磨损严重；2、熔覆层中固体润滑粉末和硬质相粉末离散或堆积，分布不均匀；3、固体润滑粉末在涂层表面大量聚集，润滑相不能完全浸入到涂层中，易被刮落等问题。

  发布时间：2023-07-03 10:06:44

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• 一种磁控溅射托盘的整平方法 公开日期：2025-03-25 公开号：CN116254512A 申请号：CN202310249182.5
  发明 一种磁控溅射托盘的整平方法

  • 申请号：CN202310249182.5
  • 公开号：CN116254512A
  • 公开日期：2025-03-25
  • 申请人：宁波江丰电子材料股份有限公司

  本发明涉及一种磁控溅射托盘的整平方法，所述整平方法包括：将变形的磁控溅射托盘与保护垫装配后依次进行第一热压处理、第二热压处理、第三热压处理和冷却；所述第一热压处理为恒温恒压过程；所述第二热压处理为变温恒压过程，升温速率为2‑5℃/min；所述第三热压处理为恒温变压过程，降压速率为10‑20N/min。本发明提供的整平方法，通过对整平工艺的设计，实现了对磁控溅射托盘的高效整平，整平后的平面度可以达到原始水平，同时使用寿命较原始磁控溅射托盘有进一步地提升。

  发布时间：2023-06-15 07:08:03

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• 旋转喷涂装置 公开日期：2025-03-25 公开号：CN113061833A 申请号：CN202110350721.5
  发明 旋转喷涂装置

  • 申请号：CN202110350721.5
  • 公开号：CN113061833A
  • 公开日期：2025-03-25
  • 申请人：包头稀土研究院|||瑞科稀土冶金及功能材料国家工程研究中心有限公司

  本发明公开了一种旋转喷涂装置，包括主动齿轮部、太阳齿轮部、行星齿轮部、支撑盘和辅助支撑部；主动齿轮部包括环形内齿圈部；环形内齿圈部包括环形内齿圈部本体和环形侧壁，环形侧壁的内表面形成环形内齿；太阳齿轮部包括太阳齿轮部本体；太阳齿轮部本体的外表面形成环形外齿；行星齿轮部包括依次相连的固定段、齿轮轴和第一紧固段，且行星齿轮套设于所述齿轮轴上；行星齿轮设置于环形内齿和环形外齿之间并分别与环形内齿和环形外齿相啮合；支撑盘安装于太阳齿轮部上；辅助支撑部安装于所述支撑盘上。本发明的旋转喷涂装置可以提高喷涂效率。

  发布时间：2023-06-14 12:32:01

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