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• 一种食品行业螺旋轴激光熔覆修复工艺 公开日期：2024-10-18 公开号：CN117448811A 申请号：CN202311478352.3
  发明 一种食品行业螺旋轴激光熔覆修复工艺

  • 申请号：CN202311478352.3
  • 公开号：CN117448811A
  • 公开日期：2024-10-18
  • 申请人：山东镭研激光科技有限公司

  本发明涉及激光熔覆技术领域，具体涉及一种食品行业螺旋轴激光熔覆修复工艺，包括如下步骤：S1、对螺旋轴待修复部位预处理；S2、采用两端对顶的方式夹持螺旋轴，对螺旋轴待修复部位激光熔覆两层打底层；S3、对螺旋轴打底层部位端面初加工；S4、在打底层表面激光熔覆一层耐磨层；S5、对螺旋轴耐磨层部位端面终加工。本发明对螺旋轴受损部位修复操作简单，且受损部位修复后具有较强的硬度，提高了螺旋轴的使用寿命。

  发布时间：2024-01-30 07:17:38

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• 一种工件表面处理工艺 公开日期：2024-10-18 公开号：CN113774303A 申请号：CN202110933583.3
  发明 一种工件表面处理工艺

  • 申请号：CN202110933583.3
  • 公开号：CN113774303A
  • 公开日期：2024-10-18
  • 申请人：江苏神舟灯饰有限公司

  本申请涉及一种工件表面处理工艺，涉及工件加工技术领域，为了解决酸洗处理时会产生大量酸雾的问题，其包括以下步骤：1、工件固定；2、工件表面清理；3、工件表面酸洗；4、工件表面碱洗；5、工件表面漂洗；6、工件表面助镀；7、工件处理情况检查；8、镀锌；9、工件冷却；10、工件表面钝化；11、工件卸料。本申请具有减少酸洗处理时产生的酸雾的效果。

  发布时间：2023-07-05 07:06:23

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• 单原子层二维氮化物的制备方法 公开日期：2024-10-18 公开号：CN116288276A 申请号：CN202310285066.9
  发明 单原子层二维氮化物的制备方法

  • 申请号：CN202310285066.9
  • 公开号：CN116288276A
  • 公开日期：2024-10-18
  • 申请人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

  本发明公开了单原子层二维氮化物的制备方法，该方法在采用模板法生长二维氮化物的时候，避免长出层数较多的前体模板，而是通过控制PVT法中的气流量、反应升温曲线、源端和衬底的距离等因素，获得完美的单原子层厚度。此外尽量避免在整个氮化的过程中刻蚀现象严重，模板严重损坏难以得到平整低缺陷的单原子层氮化物。

  发布时间：2023-06-27 09:44:54

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• 一种碱性铝空气电池用电解液复合缓蚀剂 公开日期：2024-10-18 公开号：CN116288365A 申请号：CN202310243459.3
  发明 一种碱性铝空气电池用电解液复合缓蚀剂

  • 申请号：CN202310243459.3
  • 公开号：CN116288365A
  • 公开日期：2024-10-18
  • 申请人：南京时拓能源科技有限公司

  一种碱性铝空气电池用电解液复合缓蚀剂，属于电化学技术领域。该复合缓蚀剂包括以下组分：羟乙基纤维素(HEC)1～7g·L‑1、锡酸钾3～18g·L‑1，电解液中还包括氢氧化钾或氢氧化钠。锡酸钾等无机缓蚀剂不仅能激活铝阳极表面钝化层，还能在反应过程中在铝阳极表面形成保护膜，从而抑制铝阳极的自腐蚀而不丧失活性。但由于保护膜的沉积不均匀，限制了缓蚀效率的提高。为了更好地调节铝/电解质界面，在此基础上，提出了锡酸钾与羟乙基纤维素(HEC)的复合缓蚀剂。锡酸钾与HEC的协同作用可以使Sn膜均匀沉积在Al阳极表面，从而显著改变Al/电解质的界面性质，不仅通过激活钝化层来降低极化，而且使碱性铝空气电池工作电压和功率密度明显提高。

  发布时间：2023-06-27 09:40:34

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• 在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法 公开日期：2024-10-18 公开号：CN116219356A 申请号：CN202211654613.8
  发明 在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法

  • 申请号：CN202211654613.8
  • 公开号：CN116219356A
  • 公开日期：2024-10-18
  • 申请人：南宁师范大学

  本发明公开了一种在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法，其在氧氛围下，对Hastelloy合金基带进行退火处理，退火处理条件为：升温速率为0.7‑55℃/s，升温至850‑900℃，恒温5‑30min，然后自然冷却至室温；然后在经退火处理的Hastelloy合金基带表面制备CeO2薄膜。本发明方法通过对Hastelloy合金基带进行预处理，使其表面生成以NiO为主的金属氧化物薄膜，改善其表面环境，从而创造出适宜CeO2薄膜择优取向的条件，解决了以往方法所生长的CeO2薄膜多为(111)取向的问题，同时相较于其他预处理方法，显著降低了成本和难度。

  发布时间：2023-06-11 11:38:37

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• 一种用于刀刃熔覆的自动推刀机构 公开日期：2024-10-18 公开号：CN112725795A 申请号：CN202110037513.X
  发明 一种用于刀刃熔覆的自动推刀机构

  • 申请号：CN202110037513.X
  • 公开号：CN112725795A
  • 公开日期：2024-10-18
  • 申请人：广东友华新材料科技有限公司

  本发明公开一种用于刀刃熔覆的自动推刀机构，包括安装台，安装台上设有刀具摆放槽，刀具摆放槽的一端设有刀具纵向平齐组件，刀具摆放槽的另一端设有刀具横向推压机构，刀具摆放槽位于刀具横向推压机构的一端设有出刀口，刀具摆放槽的一侧设有单刀推动模组；本发明采用了自动进刀的方式供给刀具，每次推刀只能推一把，方便取刀机构进行取料。这种供刀方式可以一次性堆叠若干把刀具在刀具摆放槽内存放，具有备料的功能，而且方便刀具竖向叠放(刀刃向上)，取刀机构取料后不需要旋转方向，只需要移动只激光涂覆机头下方既可以对刀刃进行熔覆。本发明结构简单，操作方便，能够提高刀剪的熔覆效率。

  发布时间：2023-06-05 18:27:29

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• 一种用于外延膜生长设备的基座水平调节装置 公开日期：2024-10-18 公开号：CN112575315A 申请号：CN202011589985.8
  发明 一种用于外延膜生长设备的基座水平调节装置

  • 申请号：CN202011589985.8
  • 公开号：CN112575315A
  • 公开日期：2024-10-18
  • 申请人：盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司

  本发明公开了一种用于外延膜生长设备的基座水平调节装置，包括基座水平调节装置，基座水平调节装置由水平仪本体、空心金属球、电机固定杆、水平调节螺丝一、水平调节螺丝二、顶紧螺丝一和顶紧螺丝二组成，水平仪本体中部开设有安装口且外侧开设有两组螺纹导向槽，安装口与两组螺纹导向槽相连通，空心金属球活动设置于安装口内，空心金属球的中部垂直安装有对接槽口。本发明在于未改变基座水平仪大体结构的情况下，增加了顶紧螺丝一和空心圆球体，加装顶紧螺丝一，可以防止水平调节螺丝的滑动位移，造成基座的不稳定性，增加一个空心圆球体，套装在固定杆尾部，避免水平调节螺丝尾部与电机固定杆直接接触而产生磨损。

  发布时间：2023-06-02 13:52:34

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• 一种掩模板及蒸镀装置 公开日期：2024-10-18 公开号：CN116162893A 申请号：CN202310180206.6
  发明 一种掩模板及蒸镀装置

  • 申请号：CN202310180206.6
  • 公开号：CN116162893A
  • 公开日期：2024-10-18
  • 申请人：京东方科技集团股份有限公司

  本公开的一些实施例公开了一种掩模板及蒸镀装置，涉及显示技术领域，该掩模板自带隔垫物，且蒸镀开口更小更密，以满足超高分辨率硅基显示产品的蒸镀要求。一种掩模板，包括掩模板本体、固定层和多个隔垫物，掩模板本体包括多个第一蒸镀开口；固定层设置于掩模板本体一侧；固定层包括多个第二蒸镀开口；多个第二蒸镀开口与多个第一蒸镀开口正对；隔垫物的至少一部分位于固定层的远离掩模板本体的一侧，且与固定层连接。本公开的一些实施例提供的一种掩模板及蒸镀装置用于蒸镀形成基板的显示区的结构。

  发布时间：2023-05-28 13:09:06

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• 减少缺陷的沉积工艺 公开日期：2024-10-18 公开号：CN114901859A 申请号：CN202080091198.2
  PCT发明 减少缺陷的沉积工艺

  • 申请号：CN202080091198.2
  • 公开号：CN114901859A
  • 公开日期：2024-10-18
  • 申请人：应用材料公司

  半导体处理的示例性方法可以包括在半导体处理室的处理区域的暴露表面上形成氧化硅材料。方法可以包括形成覆盖在氧化硅材料上的氮化硅材料。方法可以包括在设置在半导体处理室的处理区域内的半导体基板上执行沉积工艺。方法可以包括执行腔室清洁工艺。

  发布时间：2023-05-19 11:18:09

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• 吸塑片上的水钻的镀银方法及镀银系统 公开日期：2024-10-18 公开号：CN116083891A 申请号：CN202211717852.3
  发明 吸塑片上的水钻的镀银方法及镀银系统

  • 申请号：CN202211717852.3
  • 公开号：CN116083891A
  • 公开日期：2024-10-18
  • 申请人：湖北铭宇水晶饰品有限公司

  本发明公开了一种吸塑片上的水钻的镀银方法及镀银系统，属于水钻镀银技术领域。包括如下步骤：将吸塑片于第一清洗液中浸泡8‑15分钟，再于洗片机上用第二清洗液进行清洗；将50‑200片吸塑片并排悬挂在吊具上并于去离子水中浸泡20‑45分钟；将吊具上的吸塑片依次经过超声波清洗、粗化、一次酸洗、碱洗、二次酸洗、敏化和活化处理，每个处理工序后均使用去离子水进行清洗；将吊具上的吸塑片浸泡在镀银液中进行镀银处理，镀银时间为5‑7分钟，镀银温度为20‑30℃；镀银液包括银离子溶液、还原液和去离子水；银离子溶液包括硝酸银、氨水和去离子水，还原液包括氢氧化钠、乙醇、蔗糖、柠檬酸、酒石酸钾钠、碘酊、明胶和去离子水。

  发布时间：2023-05-12 11:10:24

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