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• 一种SiC基底表面改性层的制备方法 公开日期：2024-12-17 公开号：CN112899620A 申请号：CN201911225068.9
  发明 一种SiC基底表面改性层的制备方法

  • 申请号：CN201911225068.9
  • 公开号：CN112899620A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：中国科学院大连化学物理研究所

  本发明属于薄膜沉积技术领域，具体涉及一种新型的SiC基底表面改性层的制备技术。与目前主流的磁控溅射技术制备SiC基底改性层不同，本发明使用射频离子束溅射技术。主要原理是使用高纯度的单晶硅靶为原材料。在真空下，使用无污染的射频离子源发射高能离子束轰击硅靶，当轰击粒子能量大于材料逸出功时，Si原子被溅射出靶材表面，以极高的动量沉积在SiC基底表面，最终形成改性层。该制备技术能够沉积极厚的Si改性层(25um以上)，制备的Si改性层晶型为各向同性的无定形态，具有极佳的可抛光性，实施例获得了0.15nm的表面粗糙度。

  发布时间：2023-06-11 12:27:37

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• 一种用于物理气相沉积设备的靶材供料装置 公开日期：2024-12-17 公开号：CN116219372A 申请号：CN202310239734.4
  发明 一种用于物理气相沉积设备的靶材供料装置

  • 申请号：CN202310239734.4
  • 公开号：CN116219372A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：无锡乘风航空工程技术有限公司

  本发明公开了一种用于物理气相沉积设备的靶材供料装置，包括真空沉积腔体（1）、水冷坩埚（3）、一个以上装有靶材（2）的靶材筒（4）、靶材托板（6）、靶材顶升杆（7）、靶材废料清理装置、靶材填装装置。靶材筒（4）依次排列并可沿靶材托板（6）做受控往复运动，靶材顶升杆（7）可在真空沉积腔体（1）的底部上下穿行，靶材废料清理装置位于水冷坩埚（3）的正下方，负责将靶材余量以及靶材碎屑清理出沉积工作的区域，靶材填装装置位于真空沉积腔体（1）的下方，用于给空靶材筒填装新靶材。本发明可以为电子束物理气相设备制备热障涂层作业提供不间断的靶材供料，有助于实现沉积腔体免破真空的不间断制程。

  发布时间：2023-06-11 11:46:35

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• 一种齿轮齿面疲劳裂纹的激光熔覆修复工艺 公开日期：2024-12-17 公开号：CN116180072A 申请号：CN202211540709.1
  发明 一种齿轮齿面疲劳裂纹的激光熔覆修复工艺

  • 申请号：CN202211540709.1
  • 公开号：CN116180072A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：苏州科技大学

  本申请涉及一种齿轮齿面疲劳裂纹的激光熔覆修复工艺，利用控制系统实时检测疲劳裂纹的形状，针对疲劳裂纹的直线段、曲线段分别采用了不同的激光加工参数，特别针对疲劳裂纹的曲线段将单一激光束替换为两束激光束，有效保证了整条疲劳裂纹的焊接质量，疲劳裂纹焊接效率高、熔覆区域晶粒组织均匀，有效提高了疲劳裂纹的整体修复质量。

  发布时间：2023-06-02 12:48:10

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• 一种铜钼金属蚀刻液组合物及其制备方法 公开日期：2024-12-17 公开号：CN114875406A 申请号：CN202210511186.1
  发明 一种铜钼金属蚀刻液组合物及其制备方法

  • 申请号：CN202210511186.1
  • 公开号：CN114875406A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：江苏和达电子科技有限公司

  本发明公开了一种铜钼金属蚀刻液组合物，制备原料包括主剂和辅剂，包括过氧化氢、有机酸、氨基碱、稳定剂、电化学抑制剂、醇类添加剂、溶剂。本发明采用乙二醇与电化学抑制剂协同作用，降低了蚀刻液与金属膜层间的表面张力，增强了蚀刻液与金属膜层的附着速率，可以完美解决蚀刻过程中的倒角问题。并且通过采用异丁醇胺与三乙醇胺作为氨基碱Ⅰ可以络合铜离子，稳定双氧水分解速率，维持蚀刻速率平衡，达到良好的蚀刻形貌，具有优秀的Taper角，CD‑Bais，变异量小，使其能负载12000ppm的铜离子浓度，同时钼残下限达到0.45μm，具有极佳的蚀刻范围，满足客户工艺制程波动对生产的影响，并且环境友好，废液处理成本较低。

  发布时间：2023-05-19 11:10:06

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• 一种高耐磨机床导轨钢材料及其生产工艺 公开日期：2024-12-17 公开号：CN116121745A 申请号：CN202211708196.0
  发明 一种高耐磨机床导轨钢材料及其生产工艺

  • 申请号：CN202211708196.0
  • 公开号：CN116121745A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：桃江富硕精密机械有限公司

  本发明涉及冶金技术领域，具体为一种高耐磨机床导轨钢材料及其生产工艺，包括基体材料和高耐磨涂层；所述高耐磨涂层的制备原料包括如下组分：稀土氧化物、六方氮化硼、二硫化钼、TaSi2、WC、TiN、FeCrC、Ni、Mo、Co、Fe、Nb、Cr，本发明所制备的机床导轨钢材料具有较高的耐磨性能和硬度，且基体材料与高耐磨涂层之间的结合性能良好。

  发布时间：2023-05-18 12:15:48

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• 一种陶板表面镀膜工艺及装置 公开日期：2024-12-17 公开号：CN114318253A 申请号：CN202111490912.8
  发明 一种陶板表面镀膜工艺及装置

  • 申请号：CN202111490912.8
  • 公开号：CN114318253A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：福建华泰集团股份有限公司

  本发明涉及陶板加工技术领域，本发明公开了一种陶板表面镀膜工艺及装置，包括第二连接架和底支板，第二连接架的上端位置焊接有第一连接架，第二连接架的底端位置与底支板相焊接固定，第一连接架与第二连接架的中心位置固定连接有加工结构，加工结构包括安装部件、立体连接部件和放置连接部件，安装部件设在加工结构的内端顶部位置，且安装部件与第一连接架相固定连接，放置连接部件设在加工结构的内端底部位置，且放置连接部件与第二连接架相固定连接，立体连接部件设在加工结构的内端中心位置，立体连接部件贯通连接第一连接架、第二连接架的两端中部位置处。本发明通过加工结构的设置，实现镀膜生产作业。

  发布时间：2023-05-06 09:57:25

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• 基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及计算机可读记录介质 公开日期：2024-12-17 公开号：CN114341399A 申请号：CN202080060372.7
  PCT发明 基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及计算机可读记录介质

  • 申请号：CN202080060372.7
  • 公开号：CN114341399A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：株式会社国际电气

  本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及计算机可读记录介质。即使在除害装置停止的情况下，也使处理气体无害化。具有：反应管，其收纳基板；处理气体供给部，其向反应管内供给处理气体；排气部，其将反应管内的处理气体排出；废气处理室，其与排气部连接，对排出的处理气体进行处理；第一非活性气体供给部，其与向反应管内供给第一非活性气体的非活性气体供给源连接，向废气处理室供给第一非活性气体；第二非活性气体供给部，其向废气处理室供给第二非活性气体；排气管，其将废气处理室内的气体排出；以及控制部，其构成为能够控制第一非活性气体供给部和第二非活性气体供给部。使得在废气处理室中对处理气体进行处理的期间，从第一非活性气体供给部向废气处理室供给第一非活性气体，在废气处理室的处理停止时从第二非活性气体供给部向废气处理室供给第二非活性气体。

  发布时间：2023-05-06 09:51:34

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• 用于CVD反应器的进气元件 公开日期：2024-12-17 公开号：CN114269968A 申请号：CN202080059285.X
  PCT发明 用于CVD反应器的进气元件

  • 申请号：CN202080059285.X
  • 公开号：CN114269968A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：艾克斯特朗欧洲公司

  本发明涉及一种用于CVD反应器(1)的进气元件(2)或者用于进气元件(2)的遮护板(14)的排气面(16)，所述排气面具有多个围绕中心(10)布置的排气开口(7、17)，其中，所述排气开口(7、17)的中点(8′)位于呈多边形的、相同地设计并且具有几何中心点(9)的单元(8)的角点(8′)上，其中，所述单元(8)的边缘(8")由交叉的参考线(13、13′、13")定义，所述参考线(13、13′、13")对应配属于至少两个线组，并且线组的参考线分别在整个排气面上笔直地并且彼此平行地延伸。按照本发明，所述中心(10)与所述角点(8′)间隔所述边缘的长度的三分之一±10％的距离。

  发布时间：2023-05-05 09:30:53

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• 一种抗冲击高硬度涂层和制备方法及应用 公开日期：2024-12-17 公开号：CN114107905A 申请号：CN202111313781.6
  发明 一种抗冲击高硬度涂层和制备方法及应用

  • 申请号：CN202111313781.6
  • 公开号：CN114107905A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：广州今泰科技股份有限公司

  本发明公开了一种抗冲击高硬度涂层和制备方法及应用，涉及新型薄膜材料领域。涂层包括高熵合金层、二元合金层以及三元或四元氮化物层，高熵合金层包括FeMnCrCo层和/或(FeMnCrCo)1‑x1Cx1梯度层；二元合金层包括TiAl层或CrAl层以及(TiAl)1‑x2Nx2梯度层或(CrAl)1‑x2(CN)x2梯度层；三元或四元氮化物层为TiAlN层、CrAlN层、(CrAlSi)1‑X3NX3层或(TiAlSi)1‑X3NX3层。本申请涂层界面的高韧度可以抑制裂纹萌生，二元合金层起缓冲作用，有效抑制裂纹的扩展，同时结合底层效果，使涂层整体达到高韧度、高强度、高硬度、抗剥落的性能。

  发布时间：2023-04-26 10:09:18

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• 一种可调节不同曲率的镜面模拟工装 公开日期：2024-12-17 公开号：CN113897586A 申请号：CN202110993922.7
  发明 一种可调节不同曲率的镜面模拟工装

  • 申请号：CN202110993922.7
  • 公开号：CN113897586A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：上海现代先进超精密制造中心有限公司

  本发明涉及一种可调节不同曲率的镜面模拟工装，包括大圆环座，所述大圆环座下方固定有横梁，所述横梁在大圆环座表面的投影位于大圆环座的直径线上，所述横梁上竖有伸缩杆，所述伸缩杆末端固定有球铰支座，所述球铰支座顶部固定有用于模拟镜面局部角度的镜片顶靠块。本发明的有益效果是能完美地模拟产品镀膜镜面区域放置位置，方便分析、了解产品区域的数据，能改善镀膜角度、并减少镀膜机为应对不同曲率膜层设计而导致的工装限制。

  发布时间：2023-04-22 08:56:16

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