一种碲化铋材料表面处理方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114561623 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202111316673.4 (22)申请日 2021.11.05 (71)申请人 杭州大和热磁电子有限公司 地址 310051 浙江省杭州市滨江区滨康路 668号、777号 (72)发明人 翟仁爽　吴永庆　阮炜　 (74)专利代理机构 杭州杭诚专利事务所有限公 司 33109 专利代理师 郑汝珍 (51)Int.Cl. C23C 14/48 (2006.01) C23C 14/18 (2006.01) C23C 14/32 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种碲化铋材料表面处理方法 (57)摘要 本发明涉及热电技术领域，为解决常规的碲 化铋表面由于Ni层过厚导致器件负载增加、制冷 温差降低，并且工艺复杂、成本较高，Ni层与碲化 铋的结合力差、TEC可靠性不够高的一系列问题， 本发明提出了一种碲化铋材料表面处理技术，利 用离子注入与多弧镀或者磁控溅射等真空镀技 术复合处理的工艺，提高碲化铋与Ni层的结合 力，降低TEC的内部负载，提高温差，同时由于Ni 层与碲化铋基体的结合力提高，使得TEC产品的 可靠性得到优化。 A 3 2 6 1 6 5 4 1 1 N C CN 114561623 A