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• 一种羟基终端半导体材料的制备方法 公开日期：2025-02-28 公开号：CN115786887A 申请号：CN202211419846.X
  发明 一种羟基终端半导体材料的制备方法

  • 申请号：CN202211419846.X
  • 公开号：CN115786887A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：西安交通大学

  本发明公开了一种羟基终端半导体材料的制备方法，该制备方法首先进行氢化处理，使得半导体材料表面有氢终端，然后通过高压电解低产生的氢氧根离子对金刚石表面进行羟基化处理，该方法是一种高效、清洁且安全的金刚石表面羟基化方法，只需在去离子水等离子液体中进行，无需添加任何的化学试剂，保证了样品表面不会引入杂质，并且大幅度降低了处理成本，羟基化程度更高，适用于缺陷密度更低的高质量羟基终端金刚石表面的制备。

  发布时间：2023-06-07 23:00:35

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• 一种硅氧化物膜的成膜方法 公开日期：2025-02-25 公开号：CN117737705A 申请号：CN202311781167.1
  发明 一种硅氧化物膜的成膜方法

  • 申请号：CN202311781167.1
  • 公开号：CN117737705A
  • 公开日期：2025-02-25
  • 申请人：大连恒坤新材料有限公司

  本发明涉及硅材料技术领域，且公开了一种硅氧化物膜的成膜方法，本发明以钌负载分子筛催化剂催化二异丙胺和苯硅烷进行反应和精馏提纯，得到高纯度的二异丙胺硅烷，气相纯度达到98.7‑99.6％。然后以其作为硅源，通过等离子体化学气相沉积法，得到硅氧化物膜，S i元素和O元素的含量高，其杂元素C的含量低，仅为8.92‑15.19％。为制备高纯度的二异丙胺硅烷、高性能的硅氧化物膜提供了全新的策略。

  发布时间：2024-03-25 07:54:15

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• 一种In2O3/2D-MoS2异质结薄膜材料及其制备方法和应用 公开日期：2025-02-25 公开号：CN117626196A 申请号：CN202311586542.7
  发明 一种In2O3/2D-MoS2异质结薄膜材料及其制备方法和应用

  • 申请号：CN202311586542.7
  • 公开号：CN117626196A
  • 公开日期：2025-02-25
  • 申请人：甘肃省科学院传感技术研究所

  本发明公开了一种In2O3/2D‑MoS2异质结薄膜材料及其制备方法和应用，制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射法在2D‑MoS2表面制备In2O3薄膜形成异质结薄膜材料；其中，磁控溅射时，气流为15‑25sccm，气压为1‑2Pa、功率为10‑20W，溅射时间25‑35s。本发明利用物理气相沉积与化学气相沉积相结合的方法设计、构筑In2O3/2D‑MoS2异质结。通过对异质结薄膜厚度、界面结构、界面质量、表面形貌、均匀性和结晶性多个维度进行调控优化，得到了一种能显著提高气体(NOx)灵敏度的异质结构的In2O3/2D‑MoS2气敏传感材料。

  发布时间：2024-03-05 07:15:22

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• 进气组件、进气装置及半导体工艺腔室 公开日期：2025-02-25 公开号：CN117418218A 申请号：CN202311746487.3
  发明 进气组件、进气装置及半导体工艺腔室

  • 申请号：CN202311746487.3
  • 公开号：CN117418218A
  • 公开日期：2025-02-25
  • 申请人：北京北方华创微电子装备有限公司

  本发明提供一种进气组件、进气装置及半导体工艺腔室，进气组件包括进气部、气体分配层和环形均流腔；进气部具有进气通道，气体分配层连通进气通道；气体分配层包括环绕进气部设置的至少一个分配腔，距离进气部最近的分配腔为第一分配腔；环形均流腔环绕进气部设置且位于第一分配腔内，环形均流腔面向进气部一侧设有多个均流孔，多个均流孔环绕进气部分布；进气通道与环形均流腔连通，环形匀流腔通过多个匀流孔与第一分配腔连通。本发明的进气组件通过环绕进气部设置环形均流腔并在环形均流腔朝向进气部一侧设置多个均流孔，可以通过环形均流腔使工艺气体均匀分布在第一分配腔中，提高工艺气体初始的均匀性，进而提高均流组件的均流效果。

  发布时间：2024-01-26 08:35:01

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• 用于在卷材涂覆工艺中使用的滚筒装置、卷材涂覆设备和用于在卷材涂覆工艺中控制卷材的温度的方法 公开日期：2025-02-25 公开号：CN116391061A 申请号：CN202080106436.2
  PCT发明 用于在卷材涂覆工艺中使用的滚筒装置、卷材涂覆设备和用于在卷材涂覆工艺中控制卷材的温度的方法

  • 申请号：CN202080106436.2
  • 公开号：CN116391061A
  • 公开日期：2025-02-25
  • 申请人：应用材料公司

  一种用于在真空条件下的卷材涂覆工艺中导引卷材(12)的滚筒装置(10)、一种包含包括所述滚筒装置(10)的真空腔室(16)的卷材涂覆设备(14)、和一种用于在真空条件下的卷材涂覆工艺中控制卷材(12)的温度的方法。所述滚筒装置(10)包含：‑可旋转滚筒(100)，所述可旋转滚筒具有面向卷材表面(102)，所述面向卷材表面包含第一面向卷材表面部分(104)；‑气体分配系统(400)，所述气体分配系统用于将包括气体组成物的气流(115)提供到在所述卷材(12)与所述第一面向卷材表面部分(104)之间的表示为第一空隙(110)的空隙中，所述气体组成物包含气体、和/或液体的蒸气；和‑温度调整系统(300)，所述温度调整系统经适配以用于控制所述第一面向卷材表面部分(104)的温度，使得所述气体组成物以所述气体和/或所述液体改变聚集状态的方式冷却，由此在所述第一空隙(110)中形成非气态垫(116)。

  发布时间：2023-07-06 10:25:28

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• 一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和应用 公开日期：2025-02-25 公开号：CN116334557A 申请号：CN202310329308.X
  发明 一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和应用

  • 申请号：CN202310329308.X
  • 公开号：CN116334557A
  • 公开日期：2025-02-25
  • 申请人：浙江大学

  本发明公开了一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和在近红外电致发光领域中的应用。制备方法包括：在真空下，通入氩气和氧气混合气，利用射频磁控溅射方法对掺氟氧化锡靶和氧化铒靶进行共溅射沉积薄膜；掺氟氧化锡靶中氟化亚锡的质量百分占比不大于20％；在氧气或氮气气氛下，将共溅射沉积得到的薄膜升温至200℃以上进行高温热处理，冷却得到氟铒共掺氧化锡薄膜。本发明薄膜用于制作电致发光器件后，在施加反向偏压的情况下，基于空间电荷区中发生的电子碰撞离化效应，可以实现较强的电致发光。

  发布时间：2023-06-29 07:14:35

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• 一种提高涂机轧制线辊使用周期的方法及装置 公开日期：2025-02-25 公开号：CN116288110A 申请号：CN202310321209.7
  发明 一种提高涂机轧制线辊使用周期的方法及装置

  • 申请号：CN202310321209.7
  • 公开号：CN116288110A
  • 公开日期：2025-02-25
  • 申请人：本钢板材股份有限公司|||本钢浦项冷轧薄板有限责任公司

  本发明涉及一种提高涂机轧制线辊使用周期的方法及装置，在轧制线辊与转向辊之间设置由电机驱动的调整辊；当镀锌机组因检修或设备故障停机启车时，电机驱动调整辊，调整辊伸出带动带钢脱离轧制线辊，使轧制线辊离开带钢表面15～20mm，同时化学涂机为不投入状态，离开带钢表面；当镀锌机组运行稳定后，电机驱动调整辊，调整辊回缩，轧制线辊恢复正常运行。优点是：在轧制线辊下面增加一个可移动的调整辊，通过气缸带动调整辊运动，使轧制线辊离开带钢表面，从而提高轧制线辊的寿命，提高轧制线辊换辊周期，减少辊子更换成本。

  发布时间：2023-06-27 09:48:33

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• 一种悬式绝缘子铁帽的热镀锌工装 公开日期：2025-02-25 公开号：CN116288101A 申请号：CN202310251555.2
  发明 一种悬式绝缘子铁帽的热镀锌工装

  • 申请号：CN202310251555.2
  • 公开号：CN116288101A
  • 公开日期：2025-02-25
  • 申请人：徐州瑞马智能技术有限公司

  本发明涉及一种悬式绝缘子铁帽的热镀锌工装，包括：外工装、内工装、铁帽，本工装是由外工装和内工装组成，至少两个铁帽挂在内工装上；外工装包括上法兰、中间法兰、立杆Ⅰ和底板Ⅰ；内工装包括上盖板、中间支撑架和底座，上盖板安装在底座上端，中间支撑架安装在底座中间，所述的上盖板表面开有两个对称的椭圆形凹槽Ⅰ，中间支撑架是由穿杆Ⅰ、底板Ⅱ和凹槽Ⅱ组成，所述的底座是由卡环、固定管、托杆Ⅰ、托杆Ⅱ、立杆Ⅱ、档杆、穿杆Ⅱ、底板Ⅲ和托板组成，所述的档杆的顶端分别焊接若干个托杆Ⅰ，两个对称的托杆Ⅱ固定安装在固定管表面上，本工装用来固定铁帽，方便热镀锌，将多余的锌液从铁帽中甩出，通过结构设计，防止镀锌过程中工件散落。

  发布时间：2023-06-27 09:41:21

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• 一种TiN和Ti金属薄膜蚀刻液及其制备方法 公开日期：2025-02-25 公开号：CN116288352A 申请号：CN202211670386.8
  发明 一种TiN和Ti金属薄膜蚀刻液及其制备方法

  • 申请号：CN202211670386.8
  • 公开号：CN116288352A
  • 公开日期：2025-02-25
  • 申请人：湖北兴福电子材料股份有限公司

  本发明具体涉及一种TiN和Ti金属薄膜蚀刻液及其制备方法。所述的蚀刻液的组成主要包括氧化剂、稳定剂、铵盐、助氧剂、表面活性剂和醋酸。该蚀刻液利用氧化剂将TiN和Ti氧化形成氧化物而被蚀刻；铵盐作为缓蚀剂可以与金属离子进行络合；无机酸或有机酸作为次氧化剂，既增加氧化剂的氧化性又提供了足够的氢离子，使氧化剂的浓度维持在较高的水平，维持蚀刻速率稳定，延长蚀刻液的使用/储存寿命；表面活性剂可以降低溶液表面张力，促进TiN和Ti的蚀刻均匀性和完整性。按照本发明的方法使用该蚀刻液能够保证TiN金属薄膜和Ti金属薄膜的蚀刻速率基本一致（二者蚀刻速率差值≤17 Å/min）。

  发布时间：2023-06-25 07:14:26

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• 一种连续热浸镀Al-10Si-Zn牺牲阳极合金镀层及其制备方法 公开日期：2025-02-25 公开号：CN116288106A 申请号：CN202211547246.1
  发明 一种连续热浸镀Al-10Si-Zn牺牲阳极合金镀层及其制备方法

  • 申请号：CN202211547246.1
  • 公开号：CN116288106A
  • 公开日期：2025-02-25
  • 申请人：常州大学

  本发明属于钢材防腐蚀表面工程领域，具体涉及一种铁含量为3‑5wt.％的较薄连续热浸镀铝硅牺牲阳极合金镀层及其制备方法。本发明工艺步骤如下：对钢材表面预处理；配制铁含量为3‑5wt.％的Al‑10Si‑Zn合金溶液；进行连续热浸镀；对连续热浸镀后的钢材进行变温退火、淬火热处理，使“长舌或山峰状”的η‑Fe2Al5、“针状或碎块状”的θ‑FeAl3、“针状”的β‑Al9Fe2Si2相、θ‑Al13Fe4、Al3FeSi等金属间化合物，通过包晶反应转化为汉字形态的α‑Al8Fe2Si相和少量针状的β‑Al9Fe2Si2相；同时使镀层与基体结合力良好，镀层更致密，延展性得到提高，最终解决上述生产难题。

  发布时间：2023-06-25 07:12:30

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