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• 一种超疏水自清洁透明超薄涂层的制备方法和该涂层的应用 公开日期：2025-02-28 公开号：CN117904597A 申请号：CN202410065588.2
  发明 一种超疏水自清洁透明超薄涂层的制备方法和该涂层的应用

  • 申请号：CN202410065588.2
  • 公开号：CN117904597A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：哈尔滨工业大学

  本发明公开了一种超疏水自清洁透明超薄涂层及其制备方法和应用，属于功能材料制备技术领域。本发明首先利用原子层沉积技术在基底表面制备一层Al2O3薄膜，然后采用刻蚀方法在Al2O3涂层表面构筑针形阵列微纳结构，在利用ALD技术构筑ZnO涂层实现针形阵列的加固与保护，提高涂层的耐候性和坚固性，最后为了进一步降低涂层表面能，降低灰尘颗粒的粘附性，使用全氟癸基三乙氧基硅烷进行低表面能改性，制备出具有优异超疏水防尘性能和耐候性兼具的Al2O3/ZnO自清洁涂层。此外，本发明提供的制备方法具有工艺简单，原料易得，成本低廉的优点。

  发布时间：2024-04-21 07:48:05

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• 一种高效低磷缓蚀剂的制备方法 公开日期：2025-02-28 公开号：CN117144368A 申请号：CN202311151993.8
  发明 一种高效低磷缓蚀剂的制备方法

  • 申请号：CN202311151993.8
  • 公开号：CN117144368A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：新疆海辰油气技术有限责任公司

  本发明属于材料技术领域，具体涉及一种高效低磷缓蚀剂的制备方法。本发明将可溶性锌盐，咪唑配体溶于甲醇/水混合均匀，盐酸多巴胺，超声处理在混合溶液加入Tris盐酸缓冲溶液，得到聚多巴胺包覆的锌金属有机框架材料，通过加入2,5‑二巯基噻二唑二聚体，1‑胺丙基‑3‑甲基咪唑六氟磷酸盐，最终得到噻二唑二聚体功能化的聚多巴胺包覆的锌金属有机框架。通过有机物包裹的于锌金属有机框架材料，在缓蚀剂表面引入羟基、巯基，不仅可以有效提高缓蚀剂与金属表面的结合能力，使得两者结合更为紧密，体现出高效的缓释效果。

  发布时间：2023-12-08 07:14:52

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• 一种基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法 公开日期：2025-02-28 公开号：CN116752114A 申请号：CN202310639800.7
  发明 一种基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法

  • 申请号：CN202310639800.7
  • 公开号：CN116752114A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：浙江工业大学

  本发明公开一种基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法，本发明利用热丝化学气相沉积系统生长含有钽原子的石墨烯竖立片层，在较低的压力条件下使石墨烯竖立片层转变为纳米金刚石，具有条件温和、成本低廉的特点；该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作；对发展新型的纳米金刚石制备方法具有重要的科学意义和价值。

  发布时间：2023-09-18 07:26:49

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• 一种稳定锡类化学镀液及其应用 公开日期：2025-02-28 公开号：CN113737164A 申请号：CN202111010199.2
  发明 一种稳定锡类化学镀液及其应用

  • 申请号：CN202111010199.2
  • 公开号：CN113737164A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：深圳市正天伟科技有限公司

  本发明涉及C23C18，更具体地，本发明涉及一种稳定锡类化学镀液及其应用。所述镀液的制备原料包括亚锡盐、有机酸、硫脲类促进剂和还原剂，所述有机酸包括C1～C5有机酸。本发明提供一种化学镀液，通过使用合适的硫脲促进剂和还原剂，在酸性条件下可实现连续镀锡，在较高厚度的锡层上实现较高光滑和光亮性。通过添加合适的分散剂，和有机酸等作用，可提高镀液稳定性的同时，减少对油墨的攻击性。通过本发明提供的镀液各组分共同作用，可实现较快镀速下的到致密的镀层，提高后续PCB板等电子元件的可焊性。

  发布时间：2023-07-03 10:48:41

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• 一种提高管筒件内壁涂层表面光洁度和膜基结合强度的装置及方法 公开日期：2025-02-28 公开号：CN116219374A 申请号：CN202310182329.3
  发明 一种提高管筒件内壁涂层表面光洁度和膜基结合强度的装置及方法

  • 申请号：CN202310182329.3
  • 公开号：CN116219374A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：哈尔滨工业大学

  一种提高管筒件内壁涂层表面光洁度和膜基结合强度的装置及方法，本发明为了解决管筒件内壁涂层表面光洁度差、膜基结合强度弱的问题。本发明提高管筒件内壁涂层表面光洁度和膜基结合强度的装置包括金属阴极弧源、磁场线圈、挡板、屏蔽罩、屏蔽挡板、阳极杆、辅助阳极、进气管、真空室、金属阴极弧直流电源、脉冲偏压电源和辅助阳极直流电源，管筒件置于真空室中。本发明采用弧增强辉光放电工艺，对管筒件内表面进行高密度等离子体刻蚀清洗及活化，也对涂层生长初期提供电子加热，可大幅度提高膜基结合强度。此外，正对金属阴极弧源的管口处加装屏蔽罩，可有效阻挡管口处外壁的成膜物质反溅射进入管内沉积，从而改善涂层表面的粗糙度及光洁度。

  发布时间：2023-06-11 11:44:32

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• 一种牺牲阳极电化学自动检测装置 公开日期：2025-02-28 公开号：CN112626527A 申请号：CN202011640357.8
  发明 一种牺牲阳极电化学自动检测装置

  • 申请号：CN202011640357.8
  • 公开号：CN112626527A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：舟山市质量技术监督检测研究院

  本发明公开了一种牺牲阳极电化学自动检测装置，涉及化学装置技术领域。本发明包括底座，底座上表面固定有若干铜棒，铜棒垂直固定在底座上表面且铜棒之间平行设置，铜棒上表面开有通孔，底座上表面固定有若干限位槽，两相邻限位槽之间距离相等，限位槽内部活动连接有烧杯，通孔内部活动连接有连接杆，连接杆一端固定有安装板，安装板一侧固定有不锈钢环，底座两侧均开有定位槽，定位槽内部活动连接有定位块，定位块一侧固定有支撑架，支撑架上表面固定有调节杆，调节杆为空心设置，调节杆内部活动连接有螺纹杆。本发明通过支撑架，该装置可以将试样固定在铜棒上，而不是以前用线垂吊的方式，不会晃动，避免因为晃动，导致实验的结果出现误差。

  发布时间：2023-06-03 12:21:08

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• 用于ALD工艺的方法和设备 公开日期：2025-02-28 公开号：CN112368802A 申请号：CN201980044799.5
  PCT发明 用于ALD工艺的方法和设备

  • 申请号：CN201980044799.5
  • 公开号：CN112368802A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：应用材料公司

  本公开内容涉及用于原子层沉积(ALD)腔室的方法和设备。在一个实施方式中，提供一种盖组件，所述盖组件包括：多通道喷头，所述多通道喷头具有多个第一气体通道和与所述第一气体通道中的每一者流体地隔离的多个第二气体通道；和流引导件，所述流引导件耦接到所述多通道喷头的相对侧，所述流引导件中的每一者流体地耦接到所述多个第二气体通道。

  发布时间：2023-05-28 13:32:31

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• 基板处理方法和基板处理设备 公开日期：2025-02-28 公开号：CN114901861A 申请号：CN202080089711.4
  PCT发明 基板处理方法和基板处理设备

  • 申请号：CN202080089711.4
  • 公开号：CN114901861A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：周星工程股份有限公司

  本发明涉及一种基板处理方法和设备，其被实施使得当气体通过单一供气单元供应到多个室时，不同的气体可以同时供应到多个室，以便提高在多个室中沉积的薄膜厚度的均匀性。根据本发明的基板处理方法和基板处理设备的有益之处在于气体仅供应到一个室以便能够仅在该一个室中执行处理，或者不同的气体同时供应到各个室以便能够在各个室中执行不同的处理，由此在每个处理室中薄膜可以沉积成具有均匀的厚度，并且能提高气体供应效率。

  发布时间：2023-05-19 11:17:37

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• 钌的半导体用处理液及其制造方法 公开日期：2025-02-28 公开号：CN114466951A 申请号：CN202080068032.9
  PCT发明 钌的半导体用处理液及其制造方法

  • 申请号：CN202080068032.9
  • 公开号：CN114466951A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：株式会社德山

  本发明提供一种钌的半导体用处理液，其含有次溴酸离子。此外，提供一种钌的半导体用处理液，其至少添加有含溴的化合物、氧化剂、碱化合物以及水，进行混合而成，所述含溴的化合物相对于合计质量的添加量按溴元素量计为0.01质量％以上且小于2质量％，所述氧化剂的添加量为0.1质量％以上且10质量％以下，并且pH为8以上且14以下。而且，提供一种钌的半导体用处理液的制造方法，其包括：使含有次氯酸化合物和碱化合物的溶液与含溴的化合物混合的工序。

  发布时间：2023-05-09 11:39:07

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• 一种羟基终端半导体材料的制备方法 公开日期：2025-02-28 公开号：CN115786887A 申请号：CN202211419846.X
  发明 一种羟基终端半导体材料的制备方法

  • 申请号：CN202211419846.X
  • 公开号：CN115786887A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：西安交通大学

  本发明公开了一种羟基终端半导体材料的制备方法，该制备方法首先进行氢化处理，使得半导体材料表面有氢终端，然后通过高压电解低产生的氢氧根离子对金刚石表面进行羟基化处理，该方法是一种高效、清洁且安全的金刚石表面羟基化方法，只需在去离子水等离子液体中进行，无需添加任何的化学试剂，保证了样品表面不会引入杂质，并且大幅度降低了处理成本，羟基化程度更高，适用于缺陷密度更低的高质量羟基终端金刚石表面的制备。

  发布时间：2023-06-07 23:00:35

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