1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 化学/冶金
发明

全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用2025

2024-06-01 07:22:44 发布于四川 9
  • 申请专利号：CN202410153441.9
  • 公开（公告）日：2025-01-10
  • 公开（公告）号：CN118064899A
  • 申请人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开的本发明的全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用，包括硅纳米线阵列，硅纳米线阵列上涂覆有导电聚合物。本发明的全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用，通过将导电聚合物涂覆于硅纳米线阵列上，得到的复合光阳极在全光谱范围内可实现吸收，且复合光阳极光电流密度较高；并且具有合成条件温和，易于实现；对电子金属材料较好的光电化学阴极防护作用，特别是在暗态下表现出优异的防护效果，有望解决限制电子设备的“三防技术”的技术瓶颈。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118064899 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410153441.9 B05D 7/24 (2006.01) B05D 1/00 (2006.01) (22)申请日 2024.02.02 (71)申请人 西安电子科技大学 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号 (72)发明人 白晓霞　黄嘉宁　刘关正　杨金霖　 孙阗睿　马鑫　 (74)专利代理机构 西安弘理专利事务所 61214 专利代理师 罗笛 (51)Int.Cl. C23F 13/14 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) C23C 18/44 (2006.01) C23C 18/18 (2006.01) C23F 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法 和应用 (57)摘要 本发明公开的本发明的全光谱硅基复合光 阳极阵列及其制备方法和应用，包括硅纳米线阵 列，硅纳米线阵列上涂覆有导电聚合物。本发明 的全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和 应用，通过将导电聚合物涂覆于硅纳米线阵列 上，得到的复合光阳极在全

最新专利

相关专利