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• 一种双通道输出镀率侦测装置 公开日期：2025-03-28 公开号：CN116334570A 申请号：CN202310111113.8
  发明 一种双通道输出镀率侦测装置

  • 申请号：CN202310111113.8
  • 公开号：CN116334570A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：福建华佳彩有限公司

  本发明提供了一种双通道输出镀率侦测装置，包括有输出通道载盘、电极载盘和晶振片载盘，输出通道载盘固定在电机的外壳上，电极载盘和晶振片载盘由电机轴带动旋转，且晶振片载盘设置在电极载盘远离输出通道载盘的一侧；输出通道载盘连接有电源模块，晶振片载盘以电机轴为中心，环形阵列设置有复数个安装孔，每一安装孔内设置有一颗晶振片，晶振片通过电极载盘与电源模块导通，输出通道载盘连接有用于遮盖电极载盘和晶振片载盘的罩壳，罩壳开设有能同时露出两颗晶振片的腰型孔。

  发布时间：2023-06-29 07:10:27

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• 一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法 公开日期：2025-03-28 公开号：CN116334626A 申请号：CN202211669852.0
  发明 一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法

  • 申请号：CN202211669852.0
  • 公开号：CN116334626A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：湖北兴福电子材料股份有限公司

  本发明涉及一种相对于叠层金属侧蚀可控的W层蚀刻液及其制备方法。其组成包括氧化剂、助氧剂、缓冲试剂、抑制剂、表面活性剂和超纯水。该蚀刻液利用氧化剂将W被氧化形成氧化物而被蚀刻；无机酸作为次氧化剂；醋酸铵等缓冲试剂为蚀刻液提供了稳定的蚀刻环境；抑制剂可以抑制铝离子和铜离子对W蚀刻的影响；表面活性剂可以降低溶液表面张力，促进W蚀刻的均匀性和完整性。本发明提供了一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法，按照方法使用该蚀刻液不仅能有效控制叠层金属中W层被蚀刻，还可实现W的蚀刻精度高和蚀刻形貌好等优良品质，并且保证TiN和Ti层金属未被蚀刻，AlCu具有极低蚀刻速率。

  发布时间：2023-06-29 07:09:32

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• 一种N元素调控Ta0.5W0.5Nx硬质薄膜的方法 公开日期：2025-03-28 公开号：CN116288204A 申请号：CN202310234476.0
  发明 一种N元素调控Ta0.5W0.5Nx硬质薄膜的方法

  • 申请号：CN202310234476.0
  • 公开号：CN116288204A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：南京理工大学

  本发明公开了一种N元素调控Ta0.5W0.5Nx硬质薄膜的方法，其步骤为：以Ta靶和W靶作为靶材，采用氩气为溅射气体，氮气为反应气体，通过直流磁控溅射靶材，在基底上获得Ta0.5W0.5Nx硬质薄膜。本发明通过多靶直流磁控溅射从W2N到Ta0.5W0.5Nx薄膜的过渡设计，利用氮含量调控Ta0.5W0.5Nx薄膜的价电子浓度，使得钨元素取代钽元素，制备x值为0.82~1.02的单相固溶结构薄膜，其表面结合延性金属材料钨和氮化物的优点，形成兼具高硬度和韧性的特性，可以有效提高薄膜的强韧性，在耐磨损方面也具有更好的耐久性，有利于延长刀具的使用寿命。

  发布时间：2023-06-27 09:39:52

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• 一种航空发动叶片等离子喷涂快换夹具 公开日期：2025-03-28 公开号：CN116288126A 申请号：CN202211532123.0
  发明 一种航空发动叶片等离子喷涂快换夹具

  • 申请号：CN202211532123.0
  • 公开号：CN116288126A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：中国航发贵州黎阳航空动力有限公司

  一种航空发动叶片等离子喷涂快换夹具，包括快换底座和设置在快换底座上的夹具主体；在所述快换底座上设置有定位柱、以及卡槽；夹具主体包括环形底板、以及环形底板上的叶片放置环，在叶片放置环的外周面上环形均布有多个用于放置叶片的开口；叶片放置环上与开口对应位置处的外侧设置有气流外挡板，内侧设置有气流内挡板；环形底板的内部设置多根辐条，在辐条中心汇集处设置有定位孔，所述定位柱可活动插接在定位孔上，且其中一根辐条卡接在所述卡槽上。在实际使用时，只需将叶片安装在叶片放置环的开口上，然后再将夹具主体安装在快换底座即可完成叶片的装夹，装夹过程中叶片无需螺栓固定，装夹过程耗时短，装夹方便。

  发布时间：2023-06-25 07:12:19

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• 一种磁控溅射镀膜设备用旋转装置 公开日期：2025-03-28 公开号：CN116240514A 申请号：CN202310086066.6
  发明 一种磁控溅射镀膜设备用旋转装置

  • 申请号：CN202310086066.6
  • 公开号：CN116240514A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：深圳天成真空技术有限公司

  本发明涉及磁控溅射镀膜设备技术领域，尤其是一种磁控溅射镀膜设备用旋转装置，包括安装板，安装板的顶部安装有旋转密封机构，旋转密封机构包括轴承座、储水筒、空心轴和进水组件；轴承座固定安装在安装板的顶部，储水筒固定安装在轴承座的顶部，空心轴的底端与储水筒转动连接、且与储水筒内部接通，进水组件固定安装在空心轴的顶端；安装板的底部安装有冷热转换机构、以对供应水进行加热和冷却。本发明可以快速实现加热组件和冷却组件的切换，无需对加热组件和冷却组件进行拆装，操作过程简单。

  发布时间：2023-06-11 13:12:03

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• 超大产能真空镀膜腔及用于异质结技术的真空镀膜设备 公开日期：2025-03-28 公开号：CN116180056A 申请号：CN202310126862.8
  发明 超大产能真空镀膜腔及用于异质结技术的真空镀膜设备

  • 申请号：CN202310126862.8
  • 公开号：CN116180056A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：常州捷佳创精密机械有限公司

  本发明涉及镀膜设备技术领域，具体涉及一种超大产能真空镀膜腔以及用于异质结技术的真空镀膜设备，超大产能真空镀膜腔具有一内腔，所述内腔上部设有分气组件，所述分气组件至少包括由上至下依次由气孔连通的第一分气板、第二分气板，能够极大地改善腔内气流场均匀性差的问题，凸台状的导热件，减少加热器和硅片的距离，来提高加热效率和温度均匀性，保证了内腔镀膜的工艺效果；同时直线式多工艺腔排布方式，也同步降低了生产节拍，大大增加了设备产能。

  发布时间：2023-06-02 12:54:03

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• 一种立式镀膜装置 公开日期：2025-03-28 公开号：CN114717531A 申请号：CN202210404611.7
  发明 一种立式镀膜装置

  • 申请号：CN202210404611.7
  • 公开号：CN114717531A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：浙江水晶光电科技股份有限公司

  本申请提供一种立式镀膜装置，涉及半导体制备技术领域，包括基座、镀膜机构以及转动设置于基座上的公转机构，在公转机构的周壁设置有载板，在载板上转动设置有用于放置平面基板的自转机构，公转机构的转动平面与自转机构的转动平面垂直，镀膜机构设置于基座且与平面基板对应，以此通过自转能够改变平面基板表面位置点与镀膜机构的距离，从而平衡各位置点距离的差异化，进而减小平面基板表面镀膜的横向散差，提高产品的均匀性和良率。

  发布时间：2023-05-15 11:27:58

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• 一种化学气相沉积设备 公开日期：2025-03-28 公开号：CN114574836A 申请号：CN202210130187.1
  发明 一种化学气相沉积设备

  • 申请号：CN202210130187.1
  • 公开号：CN114574836A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：李涛

  本发明涉及化学气相沉积技术领域，具体为一种化学气相沉积设备，包括箱体、铰接在箱体上的箱盖、固定安装在箱盖上的进料口，所述箱体的内壁上固定安装有缓冲箱，所述进料口的底部与缓冲箱的上端连通，所述缓冲箱的内部固定安装有第一固定杆，所述第一固定杆的下端设有扇叶。本发明通过设置第一固定杆、扇叶、缓冲箱等机构，待沉积气体由进料口进入箱体内部，利用驱动设备带动扇叶旋转，旋转的扇叶在进料口处形成气流，加快待沉积气体进入缓冲箱的速度，待沉积气体通过通气孔扩散到缓冲箱的下端，使得待沉积气体均匀扩散到箱体内腔中。

  发布时间：2023-05-12 11:52:22

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• 一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法 公开日期：2025-03-28 公开号：CN114318286A 申请号：CN202210100410.8
  发明 一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法

  • 申请号：CN202210100410.8
  • 公开号：CN114318286A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司

  本发明涉及复合基板的制备技术领域，公开一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法。其中复合基板的制备装置包括：物理气相沉积腔室，为第一真空腔室且其内设有物理气相沉积组件，物理气相沉积组件能够对基板本体的表面进行物理气相沉积并形成镀层；键合腔室，能够与物理气相沉积腔室连通或者隔绝且为第二真空腔室，键合腔室内设有加压组件；移动组件，移动组件能够将物理气相沉积腔室内带镀层的基板本体转移至键合腔室内，加压组件能够将至少两个镀膜后的基板本体键合形成复合基板。本发明公开的复合基板的制备装置，具有稳定性好、材料的利用率高及成品率高的特点。

  发布时间：2023-05-06 10:13:37

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• HMDS处理机构及处理工艺 公开日期：2025-03-28 公开号：CN115772653A 申请号：CN202211484143.5
  发明 HMDS处理机构及处理工艺

  • 申请号：CN202211484143.5
  • 公开号：CN115772653A
  • 公开日期：2025-03-28
  • 申请人：常州瑞择微电子科技有限公司

  本发明涉及一种HMDS处理机构及处理工艺，HMDS处理机构包括真空腔室和托起机构，所述真空腔室的具有开口侧，所述开口侧配置有用于封闭或打开其的真空闸门；所述托起机构具有用于共同托起被送至所述真空腔室内的掩模板的至少三个指钩，所述指钩具有用于与所述掩模板线接触以支撑所述掩模板的倾斜面和/或弧形面。本发明的HMDS处理机构可以以线接触的方式转移掩模板，以避免掩模板被损伤或污染。

  发布时间：2023-06-07 22:39:09

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