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• 循环镀膜方法、膜层以及产品 公开日期：2024-11-08 公开号：CN114438477A 申请号：CN202011205084.4
  发明 循环镀膜方法、膜层以及产品

  • 申请号：CN202011205084.4
  • 公开号：CN114438477A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司

  本发明提供了一循环镀膜方法、膜层以及产品，其中所述循环镀膜方法包括向一反应腔室通入反应原料和在循环镀膜条件下对于所述反应腔室内的一基材表面进行等离子体增强化学气相沉积以形成膜层，其中循环镀膜是指开启等离子体放电持续一段时间，然后关闭等离子体放电一段时间，循环开启和关闭的过程。

  发布时间：2023-05-09 11:19:58

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• 一种磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置及控制方法 公开日期：2024-11-08 公开号：CN114381705A 申请号：CN202111611465.7
  发明 一种磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置及控制方法

  • 申请号：CN202111611465.7
  • 公开号：CN114381705A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：泰安东大新材表面技术有限公司|||沈阳添和毅科技有限责任公司|||泰山科学技术研究院

  本发明涉及磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置及控制方法，控制装置包括：靶、恒压电源以及设置于靶后方的磁场模块，磁场模块包括永磁铁和控制模块，永磁铁根据控制模块输入的控制参数的不同而改变位置，即改变磁铁距离靶的距离。本发明的阴极靶材刻蚀速率控制方法采用恒压电源提供恒定的阴极放电电压，使放电过程中轰击靶面的离子能量恒定。通过改变永磁铁的位置调节磁场分布，保证轰击靶面的离子流密度相对恒定，增强靶材刻蚀过程中刻蚀速度和镀膜品质的稳定性。

  发布时间：2023-05-09 10:18:17

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• 成膜方法和成膜装置 公开日期：2024-11-08 公开号：CN116065139A 申请号：CN202211326911.4
  发明 成膜方法和成膜装置

  • 申请号：CN202211326911.4
  • 公开号：CN116065139A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：东京毅力科创株式会社

  本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够提高形成金属膜的区域的选择性。成膜方法包括下述(A)～(C)。(A)准备在表面具有含硼的第一膜、以及由与所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜的基板。(B)对所述基板的所述表面供给含卤素和卤素以外的元素X的原料气体。(C)对所述基板的所述表面供给等离子体化后的包含氧的反应气体。在所述成膜方法中，通过交替地进行所述原料气体的供给和所述等离子体化后的所述反应气体的供给，来相对于所述第一膜选择性地在所述第二膜上形成第三膜，所述第三模是所述元素X的氧化膜。

  发布时间：2023-05-10 10:53:11

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• 一种锂金属处理方法及其应用 公开日期：2024-11-08 公开号：CN114293185A 申请号：CN202111636343.3
  发明 一种锂金属处理方法及其应用

  • 申请号：CN202111636343.3
  • 公开号：CN114293185A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：惠州亿纬锂能股份有限公司

  本发明提供了一种锂金属处理方法及其应用，所述方法包括以下步骤：(1)将酰胺和有机溶剂混合得到酰胺溶液；(2)将所述酰胺溶液涂覆在金属锂表面，得到处理后的金属锂，本发明预先对金属锂进行涂覆酰胺处理，可以形成一层保护层保护金属锂，提高了金属锂作为活性材料的稳定性，进而提高锂电池的日历寿命及倍率放电性能。

  发布时间：2023-05-05 09:59:13

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• 一种超薄金属箔的制备方法 公开日期：2024-11-08 公开号：CN114086120A 申请号：CN202111335008.X
  发明 一种超薄金属箔的制备方法

  • 申请号：CN202111335008.X
  • 公开号：CN114086120A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：杭州四马化工科技有限公司

  本发明属于金属材料领域，尤其涉及一种超薄铜箔的制备方法。所述方法包括：1）设置可动的载体，载体至少一面为负载面，且载体活动区域至少设置一个负载区；2）所述载体运动至负载区前的载体活动区域为上游区，所述载体在上游区中时，在载体的负载面覆盖过渡材料，形成过渡层；3）所述载体在负载区内运动时在过渡层表面进行金属铜的气相沉积，形成铜箔；4）所述载体运动离开负载区后的载体活动区域为下游区，所述过渡层在下游区内去除，实现铜箔和载体的分离；5）收集分离后的铜箔。本发明对于超薄铜箔的制备效率和良品率具有显著的提升；能够显著降低设备成本、工艺成本和物料成本。

  发布时间：2023-04-26 09:59:02

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• 用于3D共形处理的原子层处理腔室 公开日期：2024-11-08 公开号：CN113981414A 申请号：CN202111142728.4
  发明 用于3D共形处理的原子层处理腔室

  • 申请号：CN202111142728.4
  • 公开号：CN113981414A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：应用材料公司

  本文所描述实施方式涉及用于在半导体基板上形成或处理材料层的方法。在一个实施方式中，用于执行原子层工艺方法包括输送物质至处于第一温度的基板的表面，随后将基板的表面尖峰退火至第二温度以引发物质与基板的表面上的分子之间的反应。第二温度高于第一温度。通过重复输送及尖峰退火工艺，在基板的表面上形成共形层或对基板的表面执行共形蚀刻工艺。

  发布时间：2023-04-24 09:26:25

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• 一种基于MPCVD设备的故障报警处理方法及相关设备 公开日期：2024-11-08 公开号：CN115976497A 申请号：CN202211595935.X
  发明 一种基于MPCVD设备的故障报警处理方法及相关设备

  • 申请号：CN202211595935.X
  • 公开号：CN115976497A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：深圳优普莱等离子体技术有限公司

  本发明公开了一种基于MPCVD设备的故障报警处理方法及相关设备，涉及故障报警技术领域，所述方法包括：获取MPCVD设备的当前工作参数的数据，判断所述当前工作参数的数据是否超出预设工作参数的数据范围，所述当前工作参数包括紧急停机类参数和手动调控类参数；若所述紧急停机类参数的数据超出预设工作参数的数据范围，则进行报警和自动紧急停机操作；若所述手动调控类参数的数据超出预设工作参数的数据范围，则进行报警和提示操作人员手动处理。本发明通过实时监控MPCVD设备的工作参数数据来判断MPCVD设备是否出现异常情况，并针对不同工作参数数据对应的告警程度进行相应的处理，保证了操作人员能够及时处理MPCVD设备的异常情况，有利于金刚石的正常生长。

  发布时间：2023-05-28 09:09:26

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• 一种高速进给系统 公开日期：2024-11-08 公开号：CN115821195A 申请号：CN202211379514.3
  发明 一种高速进给系统

  • 申请号：CN202211379514.3
  • 公开号：CN115821195A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：湖北超卓航空科技股份有限公司

  本申请涉及超音速火焰喷涂领域，特别涉及一种高速进给系统。所述高速进给系统包括喷枪、主动装置和从动装置；其中，主动装置包括主动齿轮和主轴，所述主轴连接有第一驱动机构，所述第一驱动机构驱使所述主轴转动，并带动所述主动齿轮绕主轴转动；从动装置包括从动齿轮，所述从动齿轮设置在所述主动齿轮的周向，并与主动齿轮啮合，所述从动齿轮上设置有用于夹持基体的夹持柱，所述从动齿轮的直径小于主动齿轮的直径；喷枪设置在所述从动齿轮的周向上。本申请实施例提供一种高速进给系统，以解决相关技术中使用超音速火焰喷涂小零件时容易损毁轴承和电机的问题。

  发布时间：2023-06-01 07:05:12

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• 一种保险丝涂锡装置及方法 公开日期：2024-11-08 公开号：CN115747798A 申请号：CN202310016611.4
  发明 一种保险丝涂锡装置及方法

  • 申请号：CN202310016611.4
  • 公开号：CN115747798A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：苏州新吴光电股份有限公司

  本发明实施例公开了一种保险丝涂锡装置及方法，其中保险丝涂锡装置包括：工作台；加热板，位于工作台上，用于加热布设于加热板上的保险丝熔断基材；焊锡放置架，用于放置焊锡；焊锡导引部，用于将焊锡从焊锡放置架导引到经过加热板加热的保险丝熔断基材上；焊锡加热器，用于熔化焊锡导引部输出的焊锡，熔化后的焊锡与保险丝熔断基材融合；控制器，用于控制保险丝熔断基材的进给速度。直接在保险丝熔断基材上熔化焊锡，提高保险丝的良品率的同时，相较于现有的在保险丝上覆锡技术，使得保险丝上锡层的尺寸更小。

  发布时间：2023-06-07 22:19:37

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• 带有超导磁体的等离子体CVD装置 公开日期：2024-11-08 公开号：CN115717237A 申请号：CN202211313351.9
  发明 带有超导磁体的等离子体CVD装置

  • 申请号：CN202211313351.9
  • 公开号：CN115717237A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：新优势产业集团有限公司

  本发明公开了一种带有超导磁体的等离子体CVD装置腔体的顶部设有超导磁体，超导磁体包括与变频电源相连的超导线圈及低温装置，超导线圈的上端呈圆筒形，下端向外扩展形成上小下大的喇叭形，腔体与超导磁体之间设有绝缘顶板；腔体内设有基材台，基材台与腔体的底板之间设有绝缘环，绝缘环内侧的底板中央设有微波输入孔；微波发生器通过模式转换器及微波输入孔与腔体连接，腔体的一侧设有腔体升降装置。本发明的等离子体CVD装置中，等离子体中的碳不仅可以向下沉积，还可以横向沉积，从而可以适用于立体结构的基材，大大扩展了CVD装置的适用范围。

  发布时间：2023-06-10 07:14:35

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