发明

装有排气模组单元的大容量CVD设备

2024-05-30 07:00:04 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202210613001.8
  • 公开(公告)日:2024-05-28
  • 公开(公告)号:CN114990526A
  • 申请人:上海鑫华夏半导体设备有限公司|||金甲锡
摘要:本发明是关于装有气体注入模块单元的大容量化学气相沉积设备,形成了一个或多个气体注入模块单元和一个或多个气体排出部,并且在生长腔室内部安装了多种大小和形状的器材,气体排出部包含多个排气口的排气盒子,其上部以多数个排气口并附接到生长腔室的旋转轴,形成可旋转的旋转排气板的排气模组单元的大容量CVD设备,通过控制固定在排气盒子的一个以上的排气口和一个以上的旋转排气板的位相,对未反应的工艺气体及排气的排气位置、排气流动或排气量进行调节,并调节CVD生长腔室内的工艺气体的残留时间来制造均匀厚度及特性的多晶碳化硅厚膜或成形体为特征。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114990526 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202210613001.8 C30B 28/14 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) (22)申请日 2022.06.01 (71)申请人 上海三盼半导体设备有限公司 地址 201600 上海市松江区新桥镇新格路 868号7幢102室 申请人 金甲锡 (72)发明人 金甲锡 朴起圣 金太周 金种化  金圣允 钟婉榕  (74)专利代理机构 上海洞见未来专利代理有限 公司 31467 专利代理师 苗绘 (51)Int.Cl. C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/32 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 装有排气模组单元的大容量CVD设备 (57)摘要 本发明是关于装有气体注入模块单元的大 容量化学气相沉积设备,形成了一个或多个气体 注入模块单元和一个或多个气体排出部,并且在 生长腔室内部安装了多种大小和形状的器材,气 体排出部包含多个排气口的排气盒子,其上部以 多数个排气口并附接到生长腔室的旋转轴,形成 可旋转的旋转排气板的排气模组

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