最新专利

• 不粘炊具及其制造方法 公开日期：2024-12-27 公开号：CN116121713A 申请号：CN202211726725.X
  发明 不粘炊具及其制造方法

  • 申请号：CN202211726725.X
  • 公开号：CN116121713A
  • 公开日期：2024-12-27
  • 申请人：武汉苏泊尔炊具有限公司

  提供了一种不粘炊具及其制造方法，所述不粘炊具包括：基体；高熵陶瓷层，设置在基体层上；以及脂肪酸改性层，设置在高熵陶瓷层表面上。由于在高熵陶瓷层上设置有脂肪酸改性层，一方面，高熵陶瓷层中的高价态的金属离子容易后续与脂肪酸进行化学键合，另一方面，高熵陶瓷层，硬度高，使用寿命长，第三方面，高熵陶瓷层本身具有低表面能的特性，可进一步增强不粘效果。

  发布时间：2023-05-18 12:16:25

  0

• 不粘炊具及其制造方法 公开日期：2024-12-27 公开号：CN116005097A 申请号：CN202211714229.2
  发明 不粘炊具及其制造方法

  • 申请号：CN202211714229.2
  • 公开号：CN116005097A
  • 公开日期：2024-12-27
  • 申请人：武汉苏泊尔炊具有限公司

  本发明提供了一种不粘炊具及其制造方法。所述不粘炊具包括：金属基材；以及不粘层，设置在金属基材的表面上，其中，不粘层包含脂肪酸金属盐。本发明的不粘炊具具备良好的不粘性和持久不粘性。

  发布时间：2023-05-17 10:17:04

  0

• 一种卷绕镀膜机 公开日期：2024-12-27 公开号：CN115976486A 申请号：CN202211736465.4
  发明 一种卷绕镀膜机

  • 申请号：CN202211736465.4
  • 公开号：CN115976486A
  • 公开日期：2024-12-27
  • 申请人：铜陵市超越电子股份有限公司

  本发明涉及镀膜领域，尤其涉及一种卷绕镀膜机，包括：机器外壳、驱动机构、对称设置的两组内筒以及抽气设备，具体的，所述内筒的内部垂直设置有两组基板，两组所述基板的表面可拆卸地设置有靶材，所述机器外壳的内部位于基板之间固定有磁靶头，所述驱动机构控制内筒转动以切换与磁靶头垂直的靶材，所述驱动机构驱动卷材送料机构将卷材的两个表面分别沿两个所述内筒的靶材的表面水平输送。本发明通过设置的两组内筒以及设置在内筒内部的基板，提供了能够自由切换的两组固定靶材的结构，这样在日常使用时，可以根据需求进行切换，寿命结束的靶材可以直接拆下，并更换新的靶材，从而能够达到循环使用的目的。

  发布时间：2023-05-25 09:01:03

  0

• 一种单层有机纳米薄膜及其制备和表征方法 公开日期：2024-12-27 公开号：CN115747721A 申请号：CN202211350101.2
  发明 一种单层有机纳米薄膜及其制备和表征方法

  • 申请号：CN202211350101.2
  • 公开号：CN115747721A
  • 公开日期：2024-12-27
  • 申请人：浙江大学杭州国际科创中心

  本发明公开了一种单层有机纳米薄膜及其制备和表征方法。单层有机纳米薄膜包括通过S原子与Au原子化学键合的单层单体分子和Au(111)电极；单体分子具有如下式(I)所示结构：式(I)中，R1为‑NO2或‑NH2，R2为‑SCH3或‑SH。制备方法：提供原子级平整的Au(111)表面；制备腔体抽真空至真空度低于1×10‑8mbar，对装有单体分子的蒸发源进行加热除气，待制备腔体内真空度不再发生变化，进行下一步；进行热蒸发沉积，控制温度，将制备腔体内气压维持在1×10‑7mbar，获得单层有机纳米薄膜。表征方法：利用扫描隧道显微镜对单层有机纳米薄膜进行表征，扫描条件为偏压‑1V，隧穿电流It为0.3nA。

  发布时间：2023-06-07 22:04:18

  0

• 一种冷喷涂增材界面强度提升方法及轴类零件接长方法 公开日期：2024-12-27 公开号：CN115747784A 申请号：CN202211240701.3
  发明 一种冷喷涂增材界面强度提升方法及轴类零件接长方法

  • 申请号：CN202211240701.3
  • 公开号：CN115747784A
  • 公开日期：2024-12-27
  • 申请人：湖北超卓航空科技股份有限公司

  本发明涉及一种冷喷涂增材界面强度提升方法及轴类零件接长方法，其包括以下步骤：对待加工零件的增材界面进行一次加工，使所述增材界面的面积增大；对增材界面进行二次加工，使所述增材界面的粗糙度提升；对二次加工后的所述增材界面进行冷喷涂。由于增材界面主要用于传递载荷，会受到剪切力，通过对增材界面进行二次设计，增大了增材界面的面积，提升了增材界面的粗糙度，可以有效提升界面的承载能力，进而提升界面强度。

  发布时间：2023-06-07 22:01:55

  0

• 一种对聚醚醚酮材料进行表面改性的方法及其获得的聚醚醚酮表面组合物 公开日期：2024-12-27 公开号：CN115704089A 申请号：CN202110925785.3
  发明 一种对聚醚醚酮材料进行表面改性的方法及其获得的聚醚醚酮表面组合物

  • 申请号：CN202110925785.3
  • 公开号：CN115704089A
  • 公开日期：2024-12-27
  • 申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所|||慈溪生物材料表面工程中心

  本发明公开一种对聚醚醚酮材料进行表面改性的方法及其获得的聚醚醚酮表面组合物。所述方法包括：通过等离子体浸没注入以在聚醚醚酮材料表面注入氩离子的第一工序；将表面注入氩离子的聚醚醚酮材料放置一段时间的第二工序；在放置后的聚醚醚酮材料表面等离子体浸没注入铜离子的第三工序。所述方法通过等离子体浸没离子注入技术实现提高聚醚醚酮材料的生物相容性和抗菌性。

  发布时间：2023-06-11 07:01:17

  0

• 一种粉末冶金CrSi靶材及其制备方法 公开日期：2024-12-24 公开号：CN117265488A 申请号：CN202311263724.0
  发明 一种粉末冶金CrSi靶材及其制备方法

  • 申请号：CN202311263724.0
  • 公开号：CN117265488A
  • 公开日期：2024-12-24
  • 申请人：宁波江丰电子材料股份有限公司

  本发明提供了一种粉末冶金CrSi靶材及其制备方法，所述粉末冶金CrSi靶材的化学成分质量百分比包括：Cr为40～60wt％，Si为40～60wt％。所述制备方法包括如下步骤：(1)保护气氛下，按配方量混合Cr粉和Si粉，装模压实后进行预压，得到混合粉末；(2)对步骤(1)所得混合粉末进行真空热压烧结，得到靶材坯料；(3)对步骤(2)所得靶材坯料进行冷却以及后加工，得到所述粉末冶金CrSi靶材。本发明提供的粉末冶金CrSi靶材致密度达到97％～99％，微观组织均匀，靶材加工性能优异，溅射过程表现良好稳定，可满足使用要求。

  发布时间：2023-12-25 07:54:48

  1

• 一种电极材料及其制备方法和应用 公开日期：2024-12-24 公开号：CN117187732A 申请号：CN202311116970.3
  发明 一种电极材料及其制备方法和应用

  • 申请号：CN202311116970.3
  • 公开号：CN117187732A
  • 公开日期：2024-12-24
  • 申请人：华能张掖能源有限公司|||中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司

  本发明公开了一种电极材料及其制备方法和应用，电极材料的制备方法，包括以下步骤：(1)将金属原料进行熔炼，得到熔炼液；其中，所述金属原料包括锌和/或铝；(2)将金属基底浸入熔炼液中，然后取出，冷却，得到负载金属层的金属基底；(3)将所述负载金属层的金属基底浸入碱液中进行刻蚀，得到电极材料。本发明的方法利用含锌/铝的液态合金浸润金属基底，实现金属基底牢固负载含锌/铝的合金层，并通过碱刻蚀制得金属基底负载多孔金属层电极材料。负载的多孔金属层与金属基底结合牢固，有效提升了电极材料的活性和稳定性。

  发布时间：2023-12-17 07:14:24

  0

• 热障/环境障涂层抗CMAS腐蚀防护层及其原位反应制备方法 公开日期：2024-12-24 公开号：CN117165896A 申请号：CN202311162814.0
  发明 热障/环境障涂层抗CMAS腐蚀防护层及其原位反应制备方法

  • 申请号：CN202311162814.0
  • 公开号：CN117165896A
  • 公开日期：2024-12-24
  • 申请人：天津大学

  本发明公开热障/环境障涂层抗CMAS腐蚀防护层及其原位反应制备方法。在热障/环境障涂层表面形成10～30μm的具有仿生结构的抗CMAS腐蚀防护层，该防护层顶层为竖直生长的针状磷灰石，赋予防护层疏熔融CMAS功能，底层为连续致密层，能有效阻止熔融CMAS内渗。本发明提出的仿生结构防护层高温稳定性好、与热障/环境障涂层匹配性佳，熔融CMAS在其表面极难润湿，且能阻挡CMAS内渗。本发明所述仿生结构防护层的制备方法是通过(Gd1‑xYbx)PO4(x＝0～1)与由CaO、MgO、SiO2(CMS)组成的非晶体粉末原位化学反应制备。工艺简单、成本低，适合应用于航空发动机、燃气轮机复杂型面热端部件。

  发布时间：2023-12-08 07:34:59

  0

• 一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法 公开日期：2024-12-24 公开号：CN116904944A 申请号：CN202311046387.X
  发明 一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法

  • 申请号：CN202311046387.X
  • 公开号：CN116904944A
  • 公开日期：2024-12-24
  • 申请人：宁波江丰电子材料股份有限公司

  本发明提供一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将钽粉原料经脱氢处理后，进行氢气还原，得到低氧钽粉；所述低氧钽粉的氧含量≤300ppm；(2)所述低氧钽粉依次进行冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，得到半导体用低氧粉末冶金钽靶。本发明所述的制备方法操作简单，通过将钽粉原料进行氢气还原，控制钽粉中的氧含量≤300ppm，后续通过冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，解决了粉末冶金钽靶氧含量偏高的问题，具有大范围推广应用前景。

  发布时间：2023-10-22 07:34:47

  0