一种新型InP纳米线阵列及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115367698 A (43)申请公布日 2022.11.22 (21)申请号 202210617314.0 (22)申请日 2022.06.01 (71)申请人 华南理工大学 地址 510641 广东省广州市天河区五山路 381号 (72)发明人 李国强　郭建森　曾庆浩　莫由天　 刘红斌　 (74)专利代理机构 广州粤高专利商标代理有限 公司 44102 专利代理师 牛念 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书9页 附图8页 (54)发明名称 一种新型InP纳米线阵列及其制备方法 (57)摘要 本发明属于半导体材料领域，公开了一种新 型InP纳米线阵列及其制备方法。本发明用压印 模具在InP基板的纳米压印胶层进行压印，得到 具有光栅线和掩模版图案的纳米压印胶掩模版 InP基板，再用紫外光照射使所述掩模版图案覆 盖的区域固化，并清洗干净，然后蒸镀无机薄膜， 再用显影液进行清洗，保留了所需图案化的无机 薄膜掩模版，再进行刻蚀，制备纳米线阵列结构， 再将所述纳米线阵列结构顶部的无机薄膜去除， 即得到新型InP纳米线阵列。本发明得到的纳米 线阵列排列更加均匀有序，通过调整纳米线阵列 的排列，可以实现对不同波长光的光工程管理， A 从而大幅度提高使用特定波长的