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发明

纳米线制备方法

2023-12-14 07:01:09 发布于四川 4
  • 申请专利号：CN202211201779.4
  • 公开（公告）日：2023-12-12
  • 公开（公告）号：CN115448251A
  • 申请人：中国科学院合肥物质科学研究院
摘要：本发明提供一种纳米线制备方法，包括以下步骤：在块状材料上沉积长条状的第一保护层(S1)，用聚焦离子束在块状材料上刻蚀出楔形槽，形成待加工薄片(S2)，用聚焦离子束对待加工薄片进行刻蚀加工，形成减薄薄片(S3)，在减薄薄片彼此相对的两个面上沉积第二保护层(S4)，将沉积了第二保护层的减薄薄片转移到基片上(S5)，用聚焦离子束对基片上的减薄薄片进行刻蚀加工，形成纳米线(S6)。由于聚焦离子束刻蚀是物理方法，本发明的制备方法适用于任何材料，能制备出高长度直径比例的纳米线。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115448251 A (43)申请公布日 2022.12.09 (21)申请号 202211201779.4 (22)申请日 2022.09.29 (71)申请人 中国科学院合肥物质科学研究院 地址 230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号 (72)发明人 杜海峰　江瑞　王宁　 (74)专利代理机构 北京尚诚知识产权代理有限 公司 11322 专利代理师 龙淳 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图7页 (54)发明名称 纳米线制备方法 (57)摘要 本发明提供一种纳米线制备方法，包括以下 步骤：在块状材料上沉积长条状的第一保护层 (S1)，用聚焦离子束在块状材料上刻蚀出楔形 槽，形成待加工薄片(S2)，用聚焦离子束对待加 工薄片进行刻蚀加工，形成减薄薄片(S3)，在减 薄薄片彼此相对的两个面上沉积第二保护层 (S4)，将沉积了第二保护层的减薄薄片转移到基 片上(S5)，用聚焦离子束对基片上的减薄薄片进 行刻蚀加工，形成纳米线(S6)。由于聚焦离子束 刻蚀是物理方法，本发明的制备方法适用于任何 材料，能制备出高长度直径比例的纳米线。 A 1 5 2 8 4 4 5 1 1 N C CN 115448251 A 权　利　要　求　书

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