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发明

一种采用液滴刻蚀外延生长技术制备周期性阵列量子点的方法

2024-02-25 07:00:53 发布于四川 12
  • 申请专利号：CN202210894050.3
  • 公开（公告）日：2024-02-23
  • 公开（公告）号：CN115259075A
  • 申请人：中山大学
摘要：本发明公开了一种采用液滴刻蚀外延生长技术制备周期性阵列量子点的方法，包括：S1.设置衬底材料，进行表面清洁处理；S2.在衬底材料上生长缓冲层，在缓冲层上生长外延层；S3.通过纳米图形化衬底工艺，在外延层制备周期性阵列的纳米空洞；S4.对具有纳米空洞的外延层进行进行氢原子辅助脱氧处理；S5.在脱氧后的外延层上对纳米空洞的位置定位沉积III族金属液滴，在高温下金属液滴向下刻蚀；S6.在刻蚀后的外延层上填充量子点材料；S7.在量子点和外延层上生长盖层，完成制备。本发明将液滴刻蚀引入量子点定位生长技术，通过对原有图形层的进一步刻蚀，以消除图形加工过程引入的缺陷和损伤，有利于减少量子点生长过程中引入的缺陷，提高量子点材料的性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115259075 A (43)申请公布日 2022.11.01 (21)申请号 202210894050.3 C30B 23/02 (2006.01) C30B 25/18 (2006.01) (22)申请日 2022.07.27 C30B 29/40 (2006.01) (71)申请人 中山大学 C30B 33/02 (2006.01) 地址 510275 广东省广州市海珠区新港西 C30B 33/10 (2006.01) 路135号 (72)发明人 喻颖　宋长坤　陈英鑫　余思远　 (74)专利代理机构 广州粤高专利商标代理有限 公司 44102 专利代理师 高棋 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) H01L 49/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) H01L 21/306 (2006.01) 权利要求书

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