基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法和应用

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115636389 A (43)申请公布日 2023.01.24 (21)申请号 202211262272.X (22)申请日 2022.10.14 (71)申请人 南开大学 地址 300350 天津市津南区海河教育园区 同砚路38号 (72)发明人 向东　尹凯凯　赵雪妍　张旭斌　 许晓娜　王懋宁　 (74)专利代理机构 北京慕达星云知识产权代理 事务所 (特殊普通合伙) 11465 专利代理师 齐宝玲 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) B82B 1/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备 方法和应用 (57)摘要 本发明公开了一种基于压电片可控纳米间 隙的单分子结制备方法，包括：压电片、驱动电 极、绝缘层、带有预环切的金线；压电片为基片/ 衬底；压电片的上下表面均设置有驱动电极；绝 缘层位于驱动电极的上层；带有预环切的金线固 定在绝缘层上；当驱动电压施加至驱动电极时， 所述压电片将发生横向/水平变形，固定在绝缘 层上的金线被相应拉伸，精确控制纳米间隙大 小。本发明通过使用水平方向膨胀的压电片构建 具有埃级调节精度的原位可调片上金属纳米间 隙，进一步发展为平面内的可控裂结；为以单