作业/运输
- B01 一般的物理或化学的方法或装置;
- B02 破碎、磨粉或粉碎;谷物碾磨的预处理
- B03 用液体或用风力摇床或风力跳汰机分离固体物料;从固体物料或流体中分离固体物料的磁或静电分离;高压电场分离〔5〕;
- B04 用于实现物理或化学工艺过程的离心装置或离心机;
- B05 一般喷射或雾化;对表面涂覆液体或其他流体的一般方法〔2〕;
- B06 一般机械振动的发生或传递;
- B07 将固体从固体中分离;分选;
- B08 清洁;
- B09 固体废物的处理;被污染土壤的再生〔3,6〕;
- B21 基本上无切削的金属机械加工;金属冲压;
- B22 铸造;粉末冶金;
- B23 机床;其他类目中不包括的金属加工;
- B24 磨削;抛光;
- B25 手动工具;轻便机动工具;手动器械的手柄;车间设备;机械手;
- B26 手动切割工具;切割;切断;
- B27 木材或类似材料的加工或保存;一般钉钉机或钉U形钉机;
- B28 加工水泥、黏土或石料;
- B29 塑料的加工;一般处于塑性状态物质的加工;
- B30 压力机;
- B31 纸品或纸板或类似纸的方式加工的材料制品制作;纸或纸板或类似纸的方式加工的材料的加工;
- B32 层状产品;
- B33 附加制造技术〔2015.01〕;
- B41 印刷;排版机;打字机;模印机〔4〕;
- B42 装订;图册;文件夹;特种印刷品;
- B43 书写或绘图器具;办公用品;
- B44 装饰艺术;
- B60 一般车辆;
- B61 铁路;
- B62 无轨陆用车辆;
- B63 船舶或其他水上船只;与船有关的设备;
- B64 飞行器;航空;宇宙航行;
- B65 输送;包装;贮存;搬运薄的或细丝状材料;
- B66 卷扬;提升;牵引;
- B67 开启或封闭瓶子、罐或类似的容器;液体的贮运;
- B68 鞍具;家具罩面;
- B81 微观结构技术〔7〕;
- B82 纳米技术〔7〕;
- B99 检索本部其他类目中不包括的技术主题〔8〕;
收起
最新专利
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微电子机械传感器和用于制造微电子机械传感器的方法 公开日期:2023-09-01 公开号:CN110451451A 申请号:CN201910374953.7微电子机械传感器和用于制造微电子机械传感器的方法
- 申请号:CN201910374953.7
- 公开号:CN110451451A
- 公开日期:2023-09-01
- 申请人:英飞凌科技德累斯顿公司
本文公开了微电子机械传感器和用于制造微电子机械传感器的方法。一种微电子机械传感器,包括:第一衬底(202),包括相对于第一衬底(202)可移动的元件(210);以及第二衬底(204),包括第一接触垫(206;506)和第二接触垫(208;508)。第一衬底(202)被接合到第二衬底(204),使得元件(210)的移动改变第一接触垫(206;506)与第二接触垫(208;508)之间的耦合。- 发布时间:2023-09-04 07:16:31
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一种集成反应键合体系及制备方法 公开日期:2023-09-01 公开号:CN116675174A 申请号:CN202310465100.0一种集成反应键合体系及制备方法
- 申请号:CN202310465100.0
- 公开号:CN116675174A
- 公开日期:2023-09-01
- 申请人:北京量子信息科学研究院
本申请公开一种集成反应键合体系,包括:上基片、反应放热系统、下基片;其中,所述反应放热系统垂直于上基片和下基片之间;所述反应放热系统包括至少两种组元;所述至少两种组元具有底端和开放端;所述底端附着于所述下基片表面;所述至少两种组元的侧面互相接触。上述反应键合体系作为热源,易点燃,放热稳定,不产生形成界面原子互混导致热量减低的问题。特别适合于半导体、MEMS等微系统中导热性较差的基片上集成热源。通过改变组元比例,调整体系放热量,实现片上器件的低温、低应力键合。- 发布时间:2023-09-04 07:08:02
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一种纳米森林吸气剂的制备工艺 公开日期:2023-09-01 公开号:CN111422822A 申请号:CN202010257341.2一种纳米森林吸气剂的制备工艺
- 申请号:CN202010257341.2
- 公开号:CN111422822A
- 公开日期:2023-09-01
- 申请人:苏州研材微纳科技有限公司
本发明涉及一种工艺方法,尤其是一种纳米森林吸气剂的制备方法,属于纳米森林吸气剂的技术领域。按照本发明提供的技术方案,一种纳米森林吸气剂的制备工艺,所述制备工艺包括如下步骤:步骤1、提供衬底,并利用所述衬底制备得到所需的衬底纳米森林结构,所述衬底纳米森林结构包括若干分布于衬底上的衬底纳米柱;步骤2、对上述衬底上所需部分的衬底纳米柱或衬底上所有的衬底纳米柱电镀金属层,以得到覆盖相应衬底纳米柱上的柱体金属层。本发明与现有工艺兼容,能有效提高表面积与体积比率,增强吸附作用。- 发布时间:2023-09-04 07:16:56
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MEMS快门和包括MEMS快门的设备 公开日期:2023-08-29 公开号:CN219603256U 申请号:CN202223188759.6MEMS快门和包括MEMS快门的设备
- 申请号:CN202223188759.6
- 公开号:CN219603256U
- 公开日期:2023-08-29
- 申请人:意法半导体股份有限公司
提供MEMS快门和包括MEMS快门的设备。MEMS快门包括:由主要孔径穿过的半导体材料的衬底,和形成固定到衬底的支撑结构的第一半导体层和第二半导体层;多个可变形结构;多个致动器;以及多个屏蔽结构,多个屏蔽结构中的每个屏蔽结构由第一半导体层与第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成,屏蔽结构被布置为成角度地围绕底层主要孔径以便提供对主要孔径的屏蔽,每个屏蔽结构经由对应可变形结构进一步耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制以便引起对应屏蔽结构在相应第一位置与相应第二位置之间的旋转,从而改变对主要孔径的屏蔽。屏蔽结构的第一和第二位置使得在MEMS快门的至少一种操作条件下相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。- 发布时间:2023-08-31 08:58:59
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一种光电探测芯片以及制备方法 公开日期:2023-08-29 公开号:CN113023664A 申请号:CN202110227413.3一种光电探测芯片以及制备方法
- 申请号:CN202110227413.3
- 公开号:CN113023664A
- 公开日期:2023-08-29
- 申请人:苏州敏芯微电子技术股份有限公司
本发明公开了一种微机电光电探测芯片以及制备方法。该微机电光电探测芯片包括:衬底;空气腔体,空气腔体位于衬底的第一表面,其中,空气腔体包括网状结构薄膜和腔体,网状结构薄膜覆盖腔体,且网状结构薄膜设置有至少一个释放孔,腔体用于连通不同的释放孔;悬浮结构,悬浮结构位于衬底的第一表面,悬浮结构覆盖空气腔体,其中,在远离空气腔体的方向上,悬浮结构依次包括支撑层和光电转换器件。本发明实施例提供的技术方案,降低了微机电光电探测芯片的工艺难度。- 发布时间:2023-06-14 12:13:09
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基于梳齿局部氧化的MEMS高低梳齿结构的制作方法 公开日期:2023-08-29 公开号:CN112661105A 申请号:CN202011602770.5基于梳齿局部氧化的MEMS高低梳齿结构的制作方法
- 申请号:CN202011602770.5
- 公开号:CN112661105A
- 公开日期:2023-08-29
- 申请人:无锡微视传感科技有限公司
本发明公开了基于梳齿局部氧化的MEMS高低梳齿结构的制作方法,涉及半导体工艺制造领域,该方法包括:在第一硅圆片上生长介质层,在介质层上旋涂光刻胶并图形化,刻蚀介质层和结构层,去胶得到下梳齿区域和镜面区域,在结构层上旋涂光刻胶并图形化,刻蚀第一硅圆片露出中间埋氧层,去胶得到下梳齿结构,通过硅的局部氧化工艺在下梳齿结构表面以及第一硅圆片的裸露硅表面上生长保护层,去除介质层,将第一硅圆片与第二硅圆片进行硅硅键合,去除第二硅圆片的衬底层和中间埋氧层,在第二硅圆片上旋涂光刻胶并图形化;刻蚀第二硅圆片的结构层,去胶得到上梳齿结构和可动镜面结构,该方法在刻蚀上梳齿时通过保护层保护下梳齿不被刻蚀或腐蚀损伤。- 发布时间:2023-06-04 11:31:45
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一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法 公开日期:2023-08-29 公开号:CN113800466A 申请号:CN202111111330.4一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法
- 申请号:CN202111111330.4
- 公开号:CN113800466A
- 公开日期:2023-08-29
- 申请人:华东光电集成器件研究所
本发明涉及一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法,其特征在于将MEMS悬浮结构的深硅刻蚀程序设置为两个刻蚀阶段:刻蚀第一阶段,采用n次沉积步骤—刻蚀步骤的循环,其中n大于20;刻蚀第二阶段,采用m次沉积步骤—刻蚀步骤—停止冷却步骤的循环,其中m大于20。本发明提高MEMS悬浮可动结构深硅刻蚀时的散热效果,避免刻蚀局部温度过高导致的结构损伤,提升MEMS悬浮可动结构释放的可靠性。- 发布时间:2023-07-05 07:18:26
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一种符合设计目标的复合膜形成方法及半导体器件 公开日期:2023-08-29 公开号:CN116654864A 申请号:CN202310467377.7一种符合设计目标的复合膜形成方法及半导体器件
- 申请号:CN202310467377.7
- 公开号:CN116654864A
- 公开日期:2023-08-29
- 申请人:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
本发明涉及一种符合设计目标的复合膜形成方法及半导体器件,复合膜由多层薄膜层叠而成,设复合膜预设目标控制值,依次形成除顶层膜外的各层薄膜,并分别测得各层薄膜的性能参数,在薄膜沉积设备中预设多个所形成薄膜厚度范围不同的工艺程序,根据复合膜预设目标控制值与各层薄膜性能参数之和两者之间的差值,计算出顶层膜的预期厚度,根据预期厚度所在范围来确定薄膜沉积设备形成顶层膜时所执行的工艺程序。本发明复合膜形成方法中,顶层膜的形成作为复合膜的动态补偿调节环节,操作可控性强,按此方法所形成的复合膜十分接近复合膜的设计目标值,增加了各批次质量的一致性,能够显著提升半导体器件的生产合格率。- 发布时间:2023-08-31 08:39:14
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一种全硅结构MEMS微流道散热器及其加工方法 公开日期:2023-08-29 公开号:CN113023663A 申请号:CN202110194398.7一种全硅结构MEMS微流道散热器及其加工方法
- 申请号:CN202110194398.7
- 公开号:CN113023663A
- 公开日期:2023-08-29
- 申请人:北京航天控制仪器研究所
本发明提供了一种全硅结构MEMS微流道散热器及其加工方法,由下至上包括依次键合的第一硅结构层(1)、第二硅结构层(2)和第三硅结构层(3);在硅结构内部加工有微流孔和微流道,形成微流道通路,液体在微流道内部循环流动,将热量从待散热元件带走。整个微流道散热器均由高热导率的单晶硅材料构成,能够实现良好的散热效果;各层之间无中间层,避免了由于各层材料热膨胀系数不匹配造成的不同温度条件下结构弯曲形变,降低结构内部应力;单晶硅具有很高的杨氏模量,三层结构通过硅‑硅直接键合结合起来,具有很高的键合强度,提高结构可靠性。采用MEMS工艺加工,能够显著降低微流道散热器尺寸,实现批量化加工,降低生产成本。- 发布时间:2023-06-14 12:12:06
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微机电系统装置的控制方法及测试方法 公开日期:2023-08-29 公开号:CN111434605A 申请号:CN201910034819.2微机电系统装置的控制方法及测试方法
- 申请号:CN201910034819.2
- 公开号:CN111434605A
- 公开日期:2023-08-29
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
本揭露实施例涉及微机电系统装置的控制方法及测试方法。本揭露涉及一种微机电系统装置的控制方法。微机电系统装置包括第一电极及第二电极。控制方法包含以下操作。提供开启信号。开启信号具有上升区段及下降区段。施加上升区段到微机电系统装置,使第一电极移动以与第二电极形成开启状态。施加下降区段到微机电系统装置。第一电极与第二电极维持在开启状态。提供关闭信号。施加关闭信号到微机电系统装置,使第一电极与第二电极由开启状态变为关闭状态。本揭露还提供一种微机电系统装置的测试方法。- 发布时间:2023-08-31 08:56:03
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