一种助溶剂法生长氮化镓晶体的自剥离衬底及氮化镓晶体生长方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115506026 A (43)申请公布日 2022.12.23 (21)申请号 202211195502.5 (22)申请日 2022.09.29 (71)申请人 聚勒微电子科技（太仓）有限公司 地址 215400 江苏省苏州市太仓市娄东街 道宣东公路29号4栋5楼 (72)发明人 李成明　李同权　 (74)专利代理机构 苏州市方略专利代理事务所 (普通合伙) 32267 专利代理师 张凌宇 (51)Int.Cl. C30B 29/40 (2006.01) C30B 19/02 (2006.01) C30B 19/12 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (54)发明名称 一种助溶剂法生长氮化镓晶体的自剥离衬 底及氮化镓晶体生长方法 (57)摘要 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一 种助溶剂法生长氮化镓晶体的自剥离衬底及氮 化镓晶体生长方法。本发明提供的助溶剂法生长 氮化镓晶体的自剥离衬底包括衬底层、图形化掩 埋层、可分解缓冲层、氮化镓微籽晶和氮化镓籽 晶层。衬底层具有平整表面，在衬底层表面具有 图形化掩埋层，在图形化掩埋层表面具有氮化镓 籽晶层；在图形化掩埋层内密布有朝向氮化镓籽 晶层开口的凹陷位，在凹陷位内表面具有可分解 缓冲层，在分解缓冲层内具有氮化镓微籽晶；氮 化镓微籽晶与氮化镓籽晶层相连。本发明提供的 A 助溶剂法生长氮化镓晶体的自剥离衬底及氮化 6 镓晶体生