发明

蓝宝石基悬膜光纤F-P腔MEMS声压传感器及其制备方法

2023-07-06 10:32:19 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202310356545.5
  • 公开(公告)日:2025-06-10
  • 公开(公告)号:CN116374941A
  • 申请人:西北工业大学
摘要:本发明属于光纤传感器领域,尤其涉及蓝宝石基悬膜光纤F‑P腔MEMS声压传感器及其制备方法。针对目前现有技术中蓝宝石基传感器减薄厚度不足,无法对传感器有高灵敏度需求的高温近场声学测量领域使用,本发明通过采用在悬膜结构的空腔中填充光刻胶作为机械支撑层,然后采用精密减薄抛光工艺将蓝宝石晶圆减薄至目标厚度,再将光刻胶用湿法去除获得大面积悬膜结构,通过耐高温陶瓷胶粘接光纤和陶瓷插芯制得传感器。本发明的大面积超薄悬膜敏感结构的光纤F‑P腔MEMS传感器,在提升传感器力学灵敏度的基础上,减少超薄悬膜在磨削等精密加工中因缺少机械支撑、磨削应力堆积引起的破坏,保证了磨削加工的良率,可以感知声压级大于60dB的声压波动。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116374941 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310356545.5 (22)申请日 2023.04.06 (71)申请人 西北工业大学 地址 710000 陕西省西安市碑林区友谊西 路127号 (72)发明人 马志波 王嘉言 苑曦宸  (74)专利代理机构 北京亿知臻成专利代理事务 所(普通合伙) 16123 专利代理师 任涛 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81C 3/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01H 9/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 蓝宝石基悬膜光纤F-P腔MEMS声压传感器及 其制备方法 (57)摘要 本发明属于光纤传感器领域,尤其涉及蓝宝 石基悬膜光纤F‑P腔MEMS声压传感器及其制备方 法。针对目前现有技术中蓝宝石基传感器减薄厚 度不足,无法对传感器有高灵敏度需求的高温近 场声学测量领域使用,本发明通过采用在悬膜结 构的空腔中填充光刻胶作为机械支撑层,然后采 用精密减薄抛光工艺将蓝宝石晶圆减薄至目标 厚度,再将光刻胶用湿法去除获得大面积悬膜结 构,通过耐高温陶瓷胶粘接光纤和陶瓷插芯制得 传感器。本发明的大面积超薄悬膜敏感结构的光 纤F‑P腔MEMS传感器,在提升传感器力学灵敏度 A 的基础上,减少超薄悬膜在磨

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