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• 视觉内容到音频轨道的同步 公开日期：2024-10-25 公开号：CN117157710A 申请号：CN202280026550.3
  PCT发明 视觉内容到音频轨道的同步

  • 申请号：CN202280026550.3
  • 公开号：CN117157710A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：斯纳普公司

  公开了一种用于从多个媒体文件生成视频蒙太奇文件以在包括显示器的设备上呈现的方法。该方法包括：访问音频轨道的特征信息，该特征信息包括与音频轨道的特征有关的起始特征位置和后续时隙信息；从第一媒体文件生成用于第一时隙的第一视频片段；从第二媒体文件生成用于第二时隙的第二视频片段；通过将第二视频片段添加至第一视频片段来创建视频蒙太奇文件；以及将音频轨道添加至视频蒙太奇文件，其中，音频轨道中的起始特征位置与第一视频片段的起始一致。特征可以是音频轨道的节拍，起始特征可以是起始节拍。

  发布时间：2023-12-08 07:09:03

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• 光盘的二维信息编码写入与快速读取方法及快速读取装置 公开日期：2024-10-25 公开号：CN113838485A 申请号：CN202010514825.0
  发明 光盘的二维信息编码写入与快速读取方法及快速读取装置

  • 申请号：CN202010514825.0
  • 公开号：CN113838485A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：中国科学院上海高等研究院

  本发明提供一种光盘的二维信息编码写入与快速读取方法，包括：将待存储信息进行2i×j进制的编码，得到二维编码信息；沿信道依次排布的存储位点内通过纳米信息写入方法在每个存储位点以i×j点阵的记录点的形式进行二维编码信息的写入；对存储位点照射形成与存储位点的尺寸相当的读取光束光斑，并得到反射光信号，基于光学关联成像方法，对反射光信号进行处理并采集，采用光学重构算法反解出目标信号，实现快速读取。本发明还提供快速读取装置。本发明的方法通过待存储信息的多维信息写入，提升了信息存储量；同时对每个存储位点分别采用光学关联成像方法作为光盘的读取方法，可实现高存储密度光盘的快速信息读取。

  发布时间：2023-07-06 11:02:40

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• 纳米刻写光盘的编码信息写入与干涉测量读取方法及装置 公开日期：2024-10-25 公开号：CN113838486A 申请号：CN202010514797.2
  发明 纳米刻写光盘的编码信息写入与干涉测量读取方法及装置

  • 申请号：CN202010514797.2
  • 公开号：CN113838486A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：中国科学院上海高等研究院

  本发明提供一种纳米刻写光盘的编码信息写入与干涉测量读取方法，包括：将待存储信息进行2m进制的数据编码，得到存储数码，存储数码的每一位分别对应于m个二进制信息；通过纳米信息写入方法在每个存储位点上以m个记录点的形式进行存储数码写入，m个记录点在进行信息刻录后分别对应于m个不同的光程信息；将读取光束的其中一束照射于存储位点，收集反射光并与读取光束的固定相位光束进行干涉，测得光强干涉结果，并根据光强干涉结果与存储数码的对应关系实现存储数码的读取。本发明还提供了相应的读取装置。本发明的方法通过纳米光刻，提升了信息存储量，同时采用干涉测量方法作为光盘的读取方法，可实现高存储密度光盘的快速信息读取。

  发布时间：2023-07-06 11:02:40

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• 存储器子系统中的不良生长块管理 公开日期：2024-10-25 公开号：CN113808656A 申请号：CN202110664635.1
  发明 存储器子系统中的不良生长块管理

  • 申请号：CN202110664635.1
  • 公开号：CN113808656A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：美光科技公司

  本申请案涉及存储器子系统中的不良生长块管理。建立用于存储器装置的替换块池。所述替换块池包括基于界定用于所述存储器装置的有效块的最小数目的约束而确定的来自所述存储器装置中的一组有效块的一或多个有效块。在所述存储器装置中检测不良生长块。响应于检测到所述不良生长块，用来自所述替换块池的替换块替换所述不良生长块。

  发布时间：2023-07-05 07:16:12

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• 用于目标刷新操作的交错时序的设备及方法 公开日期：2024-10-25 公开号：CN113728387A 申请号：CN202080030380.7
  PCT发明 用于目标刷新操作的交错时序的设备及方法

  • 申请号：CN202080030380.7
  • 公开号：CN113728387A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：美光科技公司

  本公开的实施例涉及用于交错目标刷新操作的时序的设备及方法。一种存储器装置可包含数个存储体，其中的至少若干者可同时进入到刷新模式中。给定存储体可执行自动刷新操作或可比所述自动刷新操作汲取更少功率的目标刷新操作。所述目标刷新操作的所述时序可在所述刷新存储体之间交错，使得所述刷新存储体的一部分执行目标刷新操作，同时所述刷新存储体的一部分执行自动刷新操作。

  发布时间：2023-07-01 07:18:25

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• 闪存测试方法、装置、存储介质和终端设备 公开日期：2024-10-25 公开号：CN113223597A 申请号：CN202110591310.5
  发明 闪存测试方法、装置、存储介质和终端设备

  • 申请号：CN202110591310.5
  • 公开号：CN113223597A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：北京集创北方科技股份有限公司

  本公开涉及闪存测试方法、装置、存储介质和终端设备，该方法包括：从闪存的待测试区域中读取第一数据；根据所述第一数据生成测试向量；根据所述测试向量对闪存进行数据写入操作，使所述待测试区域中存储有第二数据；从所述待测试区域中读取所述第二数据，根据所述第二数据与所述测试向量是否一致，确定针对所述待测试区域的测试结果。根据本申请实施例，可以实现在对待测试区域的功能进行测试时，减少闪存擦除次数，节约时间，提高闪存的使用寿命，还可以防止非待测试区域的数据被误修改。

  发布时间：2023-06-17 07:05:19

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• 输出驱动器，以及相关方法、存储器装置和系统 公开日期：2024-10-25 公开号：CN112599160A 申请号：CN202010708332.0
  发明 输出驱动器，以及相关方法、存储器装置和系统

  • 申请号：CN202010708332.0
  • 公开号：CN112599160A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：美光科技公司

  本申请案涉及输出驱动器，以及相关方法、存储器装置和系统。揭示一种输出驱动器。输出驱动器可包含预驱动器和耦合到所述预驱动器的主驱动器。所述主驱动器可包含至少一个开关和耦合在第一供应电压与所述至少一个开关之间的第一晶体管。所述主驱动器还可包含耦合在第二不同供应电压与所述至少一个开关之间的第二晶体管。所述至少一个开关经配置以响应于接收到控制信号而将所述输出驱动器的输出节点耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个。所述主驱动器还可包含耦合在参考电压与所述输出节点之间的第三晶体管。本发明还描述一种包含至少一个输出驱动器的电子系统，以及操作输出驱动器的方法。

  发布时间：2023-06-02 13:54:47

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• 一种灵敏放大器电路 公开日期：2024-10-25 公开号：CN112509617A 申请号：CN202011199570.X
  发明 一种灵敏放大器电路

  • 申请号：CN202011199570.X
  • 公开号：CN112509617A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：普冉半导体（上海）股份有限公司

  本发明公开了一种灵敏放大器电路，包括放大电路和偏置电路，所述偏置电路用于保证所述放大电路不失真的放大所述放大电路上的电压，不失真放大后的电压加载至存储单元CELL的漏极，其中，加载至所述存储单元CELL的漏极的电压恒定。本发明中的灵敏放大器电路可抵消不同应用电压导致的存储单元漏极电压的差异，提升存储单元不同应用电压的输出一致性。

  发布时间：2023-06-02 12:40:38

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• 用于防止校验位频繁擦写的方法、装置、处理器及其介质 公开日期：2024-10-25 公开号：CN114038493A 申请号：CN202111304729.4
  发明 用于防止校验位频繁擦写的方法、装置、处理器及其介质

  • 申请号：CN202111304729.4
  • 公开号：CN114038493A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：东风电子科技股份有限公司

  本发明涉及一种用于防止校验位频繁擦写导致EEPROM损坏的方法，其中，所述的方法包括以下步骤：(1)根据实际需求将工作周期内需要频繁更新保存的各个参数进行分组存放，并判断是否满足触发条件；(2)根据各组参数的变化情况计算相应的数据校验位，以存放到EEPROM中。本发明还涉及一种相应的装置、处理器及其计算机可读存储介质，针对频繁保存参数的写入次数不超过EEPROM刷写次数，但是校验位却超过极限值被写坏的场景，在车载仪表中合理设置软件分层延时保存策略以及合理的分组参数占用EEPROM空间策略，在既能够保证数据可靠性的前提下，又能够有效的保证在EEPROM空间有限的情况下不写坏EEPROM，相较于现有技术而言，具有较大的可利用率。

  发布时间：2023-04-25 09:45:51

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• 阻抗校准电路和存储器 公开日期：2024-10-22 公开号：CN116682476A 申请号：CN202310699296.X
  发明 阻抗校准电路和存储器

  • 申请号：CN202310699296.X
  • 公开号：CN116682476A
  • 公开日期：2024-10-22
  • 申请人：长鑫存储技术有限公司

  本公开实施例提供一种阻抗校准电路和存储器，其中，阻抗校准电路包括：上拉驱动电路，包括多个上拉驱动支路，被配置为：接收上拉开关信号和上拉校准码，并利用上拉开关信号选通指定数量的上拉驱动支路，以及利用上拉校准码调整输出端的电压；上拉驱动电路用于上拉输出端的电压；多个开关电路，每个上拉驱动支路通过对应的一个开关电路与电源连接，被配置为：接收上拉开关信号，并利用上拉开关信号将指定数量的上拉驱动支路与电源连通；第一生成电路，被配置为：接收第一目标电压和输出端的电压，且基于两者之间的差值生成上拉开关信号和上拉校准码。

  发布时间：2023-09-04 07:11:47

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