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发明

存储器结构

2023-11-02 07:00:07 发布于四川 5
  • 申请专利号：CN202210518136.6
  • 公开（公告）日：2023-10-31
  • 公开（公告）号：CN115019859A
  • 申请人：日升存储公司
摘要：一种存储器结构，包括：储存晶体管，其具有沟道区域、电荷储存区域、栅极端子、第一漏极端子或第一源极端子、以及第二漏极端子或第二源极端子，该储存晶体管具有表示储存在所述电荷储存区域中的电荷的可变阈值电压；字线，其连接至所述栅极端子以在读取操作期间提供控制电压；位线，其将所述第一漏极端子或所述第一源极端子连接到数据检测电路；源极线，其连接到所述第二漏极端子或所述第二源极端子；以及导体层，其将所述沟道区域电连接到所述半导体衬底中的所述电压源之一，以为所述沟道区域提供偏置电压，其中，所述位线和所述区域各自是沿基本上垂直于所述平坦的表面的第一方向延伸的第一导电类型的半导体材料的列。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115019859 A (43)申请公布日 2022.09.06 (21)申请号 202210518136.6 (51)Int.Cl. G11C 16/04 (2006.01) (22)申请日 2016.11.04 G11C 16/24 (2006.01) (30)优先权数据 H01L 27/11565 (2017.01) 62/260,137 2015.11.25 US H01L 27/1157 (2017.01) 62/363,189 2016.07.15 US H01L 27/11573 (2017.01) 15/220,375 2016.07.26 US H01L 27/11582 (2017.01) 15/248,420 2016.08.26 US (62)分案原申请数据 201680068774.5 2016.11.04 (71)申请人 日升存储公司 地址 美国加利福尼亚州 (72

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