存储器件以及存储器件的制造方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114999540 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202110776882.0 (22)申请日 2021.07.09 (30)优先权数据 2021-032332 2021.03.02 JP (71)申请人 铠侠股份有限公司 地址 日本东京都 (72)发明人 相川尚德　 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 专利代理师 张洁　段承恩 (51)Int.Cl. G11C 11/16 (2006.01) 权利要求书3页 说明书16页 附图18页 (54)发明名称 存储器件以及存储器件的制造方法 (57)摘要 实施方式涉及存储器件及其制造方法。存储 器件(20)包括存储单元阵列(30)、第1读取电路 (32A)、第2读取电路(32B)、第1写入电路(33A)和 第2写入电路(33B)。存储单元阵列包括多个第1 子阵列(SAa)和多个第2子阵列(SAb)。多个第1子 阵列中的每一个包括多个第1存储单元。多个第2 子阵列中的每一个包括多个第2存储单元。第1读 取电路读取多个第1存储单元的数据。第2读取电 路与第1读取电路不同，读取多个第2存储单元的 数据。第1写入电路向多个第1存储单元写入数 据。第2写入电路向多个第2存储单元写入数据。 第1子阵列与第2子阵列的面积不同。由此，提供 A 提高存储器件的性能的半导体装置及其制造方 0 法。 4 5 9 9 9 4 1 1 N