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具有锁存平衡机构的设备及其操作方法 公开日期:2025-04-08 公开号:CN113257303A 申请号:CN202011338785.5具有锁存平衡机构的设备及其操作方法
- 申请号:CN202011338785.5
- 公开号:CN113257303A
- 公开日期:2025-04-08
- 申请人:美光科技公司
本申请涉及一种具有锁存平衡机构的设备及其操作方法。描述了与存储装置相关的方法、设备和系统。所述存储装置可以包含本地锁存电路,所述本地锁存电路各自具有保持电路和驱动电路。所述保持电路可以被配置成为下游电路提供广播信息的本地存储。所述驱动电路可以被配置成在广播和本地存储的不同时间将第一电压和第二电压连接到所述保持电路。- 发布时间:2023-06-17 07:14:40
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存储器冗余修复 公开日期:2025-04-08 公开号:CN113129975A 申请号:CN202011607057.X存储器冗余修复
- 申请号:CN202011607057.X
- 公开号:CN113129975A
- 公开日期:2025-04-08
- 申请人:美光科技公司
本申请案涉及存储器冗余修复。存储器及其操作可包含:多个内容可寻址存储器CAM单元,其各自用于存储相应数据值;匹配信号产生器,其经配置以产生所述多个CAM单元中的每一CAM单元是否指示其相应数据值与相应接收信号值之间的匹配的指示;及多个存储元件,其各自用于存储相应数据值,其中所述多个存储元件中的每一存储元件以一对一关系对应于所述多个CAM单元中的相应CAM单元,且其中所述多个存储元件中的每一存储元件响应于所述匹配信号产生器的所述指示以在指示其对应CAM单元的匹配时产生指示所述存储元件的所述相应数据值的数据信号。- 发布时间:2023-06-14 12:59:17
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非易失存储器擦除编程方法 公开日期:2025-04-08 公开号:CN113077831A 申请号:CN202110319206.0非易失存储器擦除编程方法
- 申请号:CN202110319206.0
- 公开号:CN113077831A
- 公开日期:2025-04-08
- 申请人:普冉半导体(上海)股份有限公司
本发明公开了一种非易失存储器擦除编程方法,擦除操作时,将A类存储区的各存储单元进行标准擦除变为擦除状态1,将B类存储区的各存储单元进行弱擦除改变为弱擦除状态;编程操作时,根据编程数据对所述A类存储区存储单元进行编程,使对应于编程数据1的A类存储区存储单元保持擦除状态,使对应于编程数据0的A类存储区存储单元进行标准编程变为标准编程状态0,同时对B类存储区的各存储单元不进行操作仍维持为弱擦除状态。该非易失存储器擦除编程方法,读出电路能根据A类存储区存储单元同B类存储区存储单元的读出电流之间的大小关系来准确确定A类存储区存储单元所存储的数据,能提高存储器产品存储编程数据的可靠性。- 发布时间:2023-06-14 12:35:56
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用于与数据线设置操作同时进行的接种操作的设备和方法 公开日期:2025-04-08 公开号:CN112908393A 申请号:CN202011383593.6用于与数据线设置操作同时进行的接种操作的设备和方法
- 申请号:CN202011383593.6
- 公开号:CN112908393A
- 公开日期:2025-04-08
- 申请人:美光科技公司
本申请案涉及用于与数据线设置操作同时进行的接种操作的设备和方法。操作存储器的方法以及被配置成执行类似方法的存储器可包含对选择性地连接到第一数据线的第一经串联连接存储器单元串中的特定存储器单元执行感测操作;将第一电压电平施加到所述第一串中的第二存储器单元的所述存取线;将高于所述第一电压电平的第二电压电平施加到所述特定存储器单元的所述存取线;与施加所述第一电压电平同时地并且与施加所述第二电压电平同时地,将第三电压电平施加到所述第一数据线;和与将所述第三电压电平施加到所述第一数据线同时地,将高于所述第三电压电平的第四电压电平施加到选择性地连接到第二经串联连接存储器单元串的第二数据线。- 发布时间:2023-06-11 12:28:55
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三态内容可定址存储器以及两端口静态随机存取存储器 公开日期:2025-04-08 公开号:CN114792540A 申请号:CN202110095452.2三态内容可定址存储器以及两端口静态随机存取存储器
- 申请号:CN202110095452.2
- 公开号:CN114792540A
- 公开日期:2025-04-08
- 申请人:联华电子股份有限公司
本发明公开一种三态内容可定址存储器与双端口静态随机存取存储器,其包括存储单元以及两晶体管。存储单元包括沿着第一方向延伸的第一主动区、第二主动区、第三主动区与第四主动区、以及沿着第二方向延伸的第一栅极线、第二栅极线、第三栅极线与第四栅极线。第一栅极线横跨第三主动区与第四主动区,第二栅极线横跨第四主动区,第三栅极线横跨第一主动区,且第四栅极线横跨第一主动区与第二主动区。晶体管电连接到存储单元,其中晶体管与存储单元沿着第一方向排列。- 发布时间:2023-05-17 11:48:04
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反熔丝存储装置、存储阵列及反熔丝存储装置的编程方法 公开日期:2025-04-08 公开号:CN114649041A 申请号:CN202111354685.6反熔丝存储装置、存储阵列及反熔丝存储装置的编程方法
- 申请号:CN202111354685.6
- 公开号:CN114649041A
- 公开日期:2025-04-08
- 申请人:力旺电子股份有限公司
本发明公开了一种反熔丝存储装置、存储阵列及反熔丝存储装置的编程方法。当反熔丝存储装置的驱动电路编程所选中的反熔丝记忆胞时,藉由浮接未被选中的反熔丝控制线或对未被选中的反熔丝控制线施加第二控制线电压,未被选中的位线和未被选中的反熔丝控制线之间的电压差将被消除或降低至可接受的值。从未被选中的位线通过破裂的反熔丝晶体管而流向未被选中的反熔丝控制线的漏电流将被减少或消除,而可避免编程干扰。- 发布时间:2023-05-14 11:42:22
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用于闪存阵列的智能电荷泵架构 公开日期:2025-04-08 公开号:CN113906507A 申请号:CN201980097023.X用于闪存阵列的智能电荷泵架构
- 申请号:CN201980097023.X
- 公开号:CN113906507A
- 公开日期:2025-04-08
- 申请人:北极星特许集团有限责任公司
本公开涉及一种非易失性存储器装置和一种用于在所述存储器装置中产生过电压值的方法,所述存储器装置由多个子阵列构成且包括:‑至少一个解码和感测电路系统,与每个子阵列相关联;‑电荷泵架构,用于每个子阵列,包括用于增加输入电压值和获得过电压输出值的泵级;‑控制和JTAG接口,在所述存储器装置中;以及‑至少一个寄存器组,耦合至所述电荷泵架构,并由逻辑电路部分驱动以接收至少一激活信号,所述激活信号选择与所述多个子阵列中的一个存储器子阵列相关的特定电荷泵架构。- 发布时间:2023-04-22 08:54:58
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一种用于存放硬盘的移动硬盘盒 公开日期:2025-04-04 公开号:CN116978414A 申请号:CN202311011577.8一种用于存放硬盘的移动硬盘盒
- 申请号:CN202311011577.8
- 公开号:CN116978414A
- 公开日期:2025-04-04
- 申请人:深圳市金胜电子科技有限公司
本发明公开了一种用于存放硬盘的移动硬盘盒,涉及移动硬盘技术领域,硬盘需要对数据进行高速的处理运算,移动硬盘会产生较大的热量,现有的移动硬盘在处理散热时,通过在其移动硬盘上开设散热孔,散热孔的设计虽然能促进内外空气的流通,但是自身的防护也得不到保障,如液体进入到内部,会导致内部结构损毁,本发明通过第一滑套和第二滑套进行覆盖,覆盖后保证了内部的封闭,基于这样的设计可以加大对内部储存组件的保护,避免内部储存组件进入异物而导致的损毁,另外在进行散热中构建了隔离的散热通道,将内部较大的空间布局划分成上下两个部分,两个部分进行独立散热,内部空气的循环更加的通畅,在散热上可以在更短的时间进行降温。- 发布时间:2023-11-05 07:18:57
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光盘匣 公开日期:2025-04-04 公开号:CN114758677A 申请号:CN202210417207.3光盘匣
- 申请号:CN202210417207.3
- 公开号:CN114758677A
- 公开日期:2025-04-04
- 申请人:深圳云宣存储科技有限公司
本发明提出了一种光盘匣,光盘匣的侧面包括相连第一配合面和第二配合面,当相邻的两个光盘匣通过各自的第一配合面配合时,相邻的两个光盘匣呈圆弧形排布;当相邻的两个光盘匣通过各自的第二配合面配合时,相邻的两个光盘匣呈直线排布。根据本发明的光盘匣,既可用于转笼式结构的光盘库,也可以用满足并列式光盘结构的光盘库,实现了两种机型的光盘匣通用,从而实现了两种结构光盘库光盘及数据存储的离线异机共享。- 发布时间:2023-05-16 10:49:07
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头悬架组件及盘装置 公开日期:2025-04-04 公开号:CN114220463A 申请号:CN202110020996.2头悬架组件及盘装置
- 申请号:CN202110020996.2
- 公开号:CN114220463A
- 公开日期:2025-04-04
- 申请人:株式会社东芝|||东芝电子元件及存储装置株式会社
实施方式提供连接可靠性提高了的头悬架组件及盘装置。根据实施方式,头悬架组件具备支承板、设置于支承板上的布线构件(40)、安装于布线构件的头及安装于布线构件的能够伸缩的压电元件(50)。布线构件具备固定于支承板的金属板(44a)和具有第1绝缘层(44b)、层叠于第1绝缘层上的导电层(44c)、层叠于导电层上的第2绝缘层(44d)及由导电层形成的至少一对连接焊盘(70a、70b)的层叠构件。连接焊盘重叠设置于形成于第1绝缘层的凹部(74a),形成沿着凹部凹陷的凹部,覆盖绝缘层具有与连接焊盘相对的开口(72a)。压电元件通过填充于开口及连接焊盘的凹部的导电性粘接剂(Ad)而连接于连接焊盘。- 发布时间:2023-05-05 09:07:36
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