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• 具有反铁磁耦合辅助层的自旋扭矩振荡器及其操作方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114730570A 申请号：CN202080079839.2
  PCT发明 具有反铁磁耦合辅助层的自旋扭矩振荡器及其操作方法

  • 申请号：CN202080079839.2
  • 公开号：CN114730570A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：西部数据技术公司

  本发明提供了一种自旋扭矩振荡器，该自旋扭矩振荡器包括第一电极、第二电极和位于该第一电极和该第二电极之间的器件层堆叠。该器件层堆叠包括：包括第一铁磁材料的自旋极化层；包括第三铁磁材料的辅助层；包括位于该自旋极化层和该辅助层之间的第二铁磁材料的铁磁振荡层；位于该自旋极化层和该铁磁振荡层之间的非磁性间隔层；以及位于该铁磁振荡层和该辅助层之间的非磁性耦合层。辅助层通过非磁性耦合层反铁磁耦合到铁磁振荡层，并且辅助层具有耦合到铁磁振荡层的磁化的磁化。

  发布时间：2023-05-15 11:17:50

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• 具有与屏蔽件解耦的磁性籽层的双自由层读取器头 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114664330A 申请号：CN202011535194.7
  发明 具有与屏蔽件解耦的磁性籽层的双自由层读取器头

  • 申请号：CN202011535194.7
  • 公开号：CN114664330A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：西部数据技术公司

  本公开总体上涉及包括双自由层(DFL)结构的磁性读取头。磁性读取头包括第一屏蔽件、第二屏蔽件，以及设置在第一屏蔽件与第二屏蔽件之间的DFL结构。DFL结构包括磁性籽层、第一自由层和第二自由层。非磁性间隔体层在面向介质表面处设置在第一屏蔽件与DFL结构的磁性籽层之间且与第一屏蔽件和DFL结构的磁性籽层接触。选择非磁性间隔体层的材料和厚度以控制第一屏蔽件与DFL结构的磁性籽层之间的耦合。

  发布时间：2023-05-14 11:54:10

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• 热辅助磁记录介质用溅射靶 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114600190A 申请号：CN202080074953.6
  PCT发明 热辅助磁记录介质用溅射靶

  • 申请号：CN202080074953.6
  • 公开号：CN114600190A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：田中贵金属工业株式会社|||国立大学法人东北大学

  本发明提供用于成膜出使构成单轴磁各向异性提高、热稳定性和SNR(信噪比)提高的热辅助磁记录介质的FePt磁性粒子被氧化物孤立的粒状结构磁性薄膜的溅射靶。一种热辅助磁记录介质用溅射靶，其是以FePt合金和非磁性材料为主要成分的热辅助磁记录介质用溅射靶，其特征在于，该非磁性材料是熔点为800℃以上且1100℃以下的氧化物。

  发布时间：2023-05-12 12:01:11

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• 半导体存储装置及其标识方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114566198A 申请号：CN202210202993.5
  发明 半导体存储装置及其标识方法

  • 申请号：CN202210202993.5
  • 公开号：CN114566198A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：长鑫存储技术有限公司

  本公开提供了一种半导体存储装置及其标识方法，涉及半导体封装技术领域。该半导体存储装置的标识方法包括：提供包括外围区的半导体存储装置，在外围区上设置有外装构件，外装构件上具有封装面；在封装面上形成记录层，并将封装面划分为多个像素区域；外围区还设置有控制器和预设的像素电路，通过控制器控制像素电路中的像素电阻通电，使与通电后的像素电阻对应的像素区域显色，以在记录层上形成具有特定形状的标识。本公开通过设置在外围区的控制器和像素电路，通过控制器控制像素电路中的像素电阻通电发热，使得涂布在装置封装面上特定区域的热敏材料显色，可在测试过程中完成对装置标识的记录，提高了半导体装置的标识记录效率。

  发布时间：2023-05-12 11:46:09

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• 存储器设备及其操作方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114267399A 申请号：CN202110706319.6
  发明 存储器设备及其操作方法

  • 申请号：CN202110706319.6
  • 公开号：CN114267399A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：爱思开海力士有限公司

  提供了一种电子设备。存储器设备控制用于设置位线的电压电平的信号。存储器设备包括：多个存储器单元；外围电路，该外围电路被配置成执行多个编程循环，以用于对多个存储器单元中的被选择的存储器单元进行编程；以及感测信号控制器，该感测信号控制器被配置成：在被选择的存储器单元中的第一存储器单元上的编程操作期间，基于与第一存储器单元相邻的第二存储器单元的状态以及在第一存储器单元上执行的编程循环的数目中的至少一项，来确定耦合到第一存储器单元的位线的位线建立时间，第一存储器单元具有高于预验证电压且低于主验证电压的阈值电压。

  发布时间：2023-05-05 09:31:11

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• 一种闪存芯片的缺陷检测方法及系统 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114220475A 申请号：CN202111533669.3
  发明 一种闪存芯片的缺陷检测方法及系统

  • 申请号：CN202111533669.3
  • 公开号：CN114220475A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：珠海深圳清华大学研究院创新中心

  本申请公开了一种闪存芯片的缺陷检测方法及系统，按照在相同位线上依次选取不同字线的方式进行扫描读取，对于任一条位线，如果该位线上没有缺陷存储单元，则该位线的输出结果为第一输出结果，只要该位线上有一个缺陷存储单元，则该位线的输出结果就被锁定为第二输出结果，可见，每条位线只需要输出一个输出结果，而不必像现有技术那样，需要将所有的存储单元的存储数据全部输出，因此，与现有技术相比，该方法输出的数据量缩小了几个数量级，而且，每一条位线的输出结果反映了该条位线中是否存在缺陷存储单元，因此，该方法也无需像现有技术那样再对输出数据进行缺陷地址分析，从而大大提高闪存芯片中缺陷的检测速度，减少测试成本。

  发布时间：2023-05-05 09:12:44

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• 存储器装置和操作该存储器装置的方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114078516A 申请号：CN202110412783.4
  发明 存储器装置和操作该存储器装置的方法

  • 申请号：CN202110412783.4
  • 公开号：CN114078516A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：爱思开海力士有限公司

  本公开提供一种存储器装置和操作该存储器装置的方法。一种存储器装置包括多个存储器单元串、外围电路和控制逻辑。多个存储器单元串连接在位线和公共源极线之间。外围电路被配置为对多个存储器单元串执行沟道预充电操作和编程操作。控制逻辑被配置为控制外围电路在编程操作中向连接到多个存储器单元串的多条字线中的选定字线施加通过电压，并且在向选定字线施加通过电压的时段的一部分期间向连接到多个存储器单元串的源极选择线施加导通电压。

  发布时间：2023-04-26 09:50:09

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• 存储器及其读取方法、存储器系统 公开日期：2024-10-29 公开号：CN113921046A 申请号：CN202111151180.X
  发明 存储器及其读取方法、存储器系统

  • 申请号：CN202111151180.X
  • 公开号：CN113921046A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：长江存储科技有限责任公司

  本公开实施例公开了一种存储器及其读取方法、存储器系统。所述存储器包括：存储单元阵列；外围电路，与存储单元阵列耦接，包括：多个驱动电路；电压产生电路，用于产生目标读取参考电压；驱动线，位于电压产生电路与多个驱动电路之间，用于将目标读取参考电压提供至多个驱动电路；感测线，一端耦接至电压产生电路，另一端耦接至驱动线和多个驱动电路的耦接节点，用于将驱动线和多个驱动电路的耦接节点位置的实际读取参考电压传输至电压产生电路；电压产生电路，还用于根据实际读取参考电压，调整目标读取参考电压的取值，并将调整后的目标参考电压提供至驱动电路，以对存储单元阵列执行读取操作。

  发布时间：2023-04-22 09:07:32

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• 一种读取效率高的SSD信息终端 公开日期：2024-10-25 公开号：CN117476048A 申请号：CN202311461725.6
  发明 一种读取效率高的SSD信息终端

  • 申请号：CN202311461725.6
  • 公开号：CN117476048A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：深圳市富迪微科技有限公司

  本发明公开了一种读取效率高的SSD信息终端，涉及SSD信息终端技术领域。该种读取效率高的SSD信息终端，包括设置在SSD固态硬盘本体上的PCB板、凹槽和SATA插接板。该种读取效率高的SSD信息终端，在与SATA连接线接头连接前，能够对SATA插接板起到防护和缓冲效果，避免其接触灰尘和水渍，也能避免磕碰划伤和变形，在与SATA连接线接头连接后，使得夹板对SATA连接线接头的底部进行抵紧，使其与SATA插接板的连接效果更好，同时，能够避免SATA连接线接头的松动，当受到震动时，能够使得夹板对SATA连接线接头的挤压力更大，使得SATA连接线接头与SATA插接板的连接效果和防脱落效果更好，从而使得SATA连接线接头与SATA插接板的连接更加稳定可靠，进而提高SSD固态硬盘本体的读取效率。

  发布时间：2024-02-04 07:19:53

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• 存储器装置的操作方法、存储器装置、设备及存储介质 公开日期：2024-10-25 公开号：CN117198362A 申请号：CN202311125480.X
  发明 存储器装置的操作方法、存储器装置、设备及存储介质

  • 申请号：CN202311125480.X
  • 公开号：CN117198362A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：厦门半导体工业技术研发有限公司

  本公开提供了一种存储器装置的操作方法、存储器装置、设备及存储介质，其中，所述存储器装置的操作方法，包括：提供半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，位于所述衬底内的深N阱区，和位于所述深N阱区内的P阱区，以及位于所述P阱区中的多个晶体管结构，所述晶体管结构包括栅极，以为分别位于所述栅极两侧的源极和漏极；对所述栅极的端口施加第一电压，对所述深N阱区的端口施加第二电压，以及对所述P阱区的端口施加第三电压；其中，当执行第一操作时，所述第一电压等于0，所述第二电压为正电压，所述第三电压为负电压；当执行第二操作时，所述第一电压为正电压，所述第二电压为正电压，所述第三电压为正电压。

  发布时间：2023-12-17 07:14:33

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