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一种LPDDR芯片以及兼容设计电路板 公开日期:2024-04-19 公开号:CN108573720A 申请号:CN201810199800.9一种LPDDR芯片以及兼容设计电路板
- 申请号:CN201810199800.9
- 公开号:CN108573720A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:深圳市江波龙电子股份有限公司
本发明属于移动通信领域,公开了一种LPDDR芯片以及兼容设计电路板,LPDDR芯片的基板外表面设置有LPDDR晶粒引脚和满足eMMC协议物理规范的eMMC引脚,LPDDR晶粒引脚与LPDDR晶粒电连接,eMMC引脚不与LPDDR晶粒电连接;LPDDR芯片的兼容设计电路板上处理器放置区与第一存储芯片放置区之间具有第一连接线,处理器放置区与开关元件放置区之间具有第二连接线,开关元件放置区与第一存储芯片放置区之间具有第三连接线,开关元件放置区与第二存储芯片放置区之间具有第四连接线;通过放置在开关元件放置区的开关元件实现兼容eMCP芯片和分离式设计。本发明可以使处理器放置区通过开关元件连通第一存储芯片放置区或第二存储芯片放置区,实现了兼容eMCP或者分离式设计的电路板。- 发布时间:2024-04-21 07:53:27
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一种磁盘状态预测方法、装置、电子设备及存储介质 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117912534A 申请号:CN202410317415.5一种磁盘状态预测方法、装置、电子设备及存储介质
- 申请号:CN202410317415.5
- 公开号:CN117912534A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:济南浪潮数据技术有限公司
本发明涉及计算机技术领域,公开了一种磁盘状态预测方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:获取待测磁盘的时序数据;对时序数据进行目标特征提取,以得到待测磁盘的寿命特征数据和故障特征数据;基于寿命特征数据,构建待测磁盘的目标寿命预测模型;基于故障特征数据,构建待测磁盘的目标故障预测模型;基于目标寿命预测模型和目标故障预测模型,对待测磁盘进行状态预测,以得到待测磁盘的状态预测结果。上述方案提供的方法,通过联合两个模型对待测磁盘的寿命和故障进行实时预测,以得到待测磁盘的状态预测结果,从而可以在磁盘故障发生之前采取磁盘故障预警措施,在提高磁盘检测效率的同时,降低磁盘的数据丢失和停机时间增加等风险。- 发布时间:2024-04-21 07:52:57
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解码参数更新方法、存储装置及存储器控制电路单元 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117912523A 申请号:CN202410188033.7解码参数更新方法、存储装置及存储器控制电路单元
- 申请号:CN202410188033.7
- 公开号:CN117912523A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:群联电子股份有限公司
本发明提供一种解码参数更新方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括:发送至读取指令序列至可复写式非易失性存储器模块,以指示基于多个读取电压电平从第一实体单元读取第一数据;根据多个解码参数解码第一数据以获得第二数据,其中所述多个解码参数分别对应多个电压区间,且所述多个电压区间是由所述多个读取电压电平所界定;根据第一数据与第二数据获得对应于所述多个电压区间中的第一电压区间的第一错误评估信息;以及根据第一错误评估信息更新对应于所述第一电压区间的第一解码参数。由此,可提高数据的解码成功率。- 发布时间:2024-04-21 07:50:55
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一种字线解码电路与半导体存储器 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117912510A 申请号:CN202410157327.3一种字线解码电路与半导体存储器
- 申请号:CN202410157327.3
- 公开号:CN117912510A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:普冉半导体(上海)股份有限公司
本申请提供了一种字线解码电路与半导体存储器,涉及半导体电路技术领域。该电路包括:全局字线解码模块,用于输出全局字线信号;区块选择解码模块,用于输出区块选择信号;字线驱动级模块,分别与全局字线解码模块和区块选择解码模块连接,接收全局字线信号和区块选择信号并输出目标字线信号;其中,字线驱动级模块包括第一开关管和第二开关管,第一开关管的第一端口连接全局字线信号,第二开关管的第一端口连接第一低压信号,第一开关管和第二开关管的控制端口均与区块选择信号连接,第一开关管的第二端口和第二开关管的第二端口连接,用于输出目标字线信号。本申请提供的字线解码电路与半导体存储器能够有效地减小字线驱动级模块的面积。- 发布时间:2024-04-21 07:50:37
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一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117912537A 申请号:CN202410153874.4一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质
- 申请号:CN202410153874.4
- 公开号:CN117912537A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:水木蓝鲸(南宁)半导体科技有限公司
本申请涉及数据储存领域,提供一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质,该Flash包括至少一个储存单元,该擦除检测方法包括:获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息;其中,所述储存单元中的数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址;根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态。本申请通过获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息,可以对Flash的擦除过程进行监控。- 发布时间:2024-04-21 07:50:35
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半导体装置 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117912516A 申请号:CN202410126718.9半导体装置
- 申请号:CN202410126718.9
- 公开号:CN117912516A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:株式会社半导体能源研究所
本发明提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括多个单元阵列以及多个外围电路。单元阵列包括多个存储单元。外围电路包括第一驱动电路、第二驱动电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路及第四放大电路。第一驱动电路及第二驱动电路具有对单元阵列提供选择信号的功能。第一放大电路及第二放大电路具有放大从单元阵列输入的电位的功能。第三放大电路及第四放大电路具有放大从第一放大电路或第二放大电路输入的电位的功能。第一驱动电路、第二驱动电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路及第四放大电路包括与单元阵列重叠的区域。存储单元的沟道形成区含有金属氧化物。- 发布时间:2024-04-21 07:50:12
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一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117912528A 申请号:CN202410097358.4一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质
- 申请号:CN202410097358.4
- 公开号:CN117912528A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:成都芯忆联信息技术有限公司
本发明实施例公开了一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质。所述方法包括:根据不同电压进行预设次数的读重试,获取偏移读数据;将偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据;将待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点,并根据拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点;根据预设条件判断目标拟合点是否有效,并从有效的目标拟合点中确定第一电压值;重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值,直到第二电压值处在预设电压范围内时读取第二电压值作为NAND电压,其中,在执行根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为,根据第一电压或第二电压进行读重试。通过实施本发明实施例的方法可解决对所述NAND的电压读取不准确的问题。- 发布时间:2024-04-21 07:49:29
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解码参数更新方法、存储装置及存储器控制电路 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117912522A 申请号:CN202410094257.1解码参数更新方法、存储装置及存储器控制电路
- 申请号:CN202410094257.1
- 公开号:CN117912522A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:群联电子股份有限公司
本发明提供一种解码参数更新方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括:发送读取指令序列至可复写式非易失性存储器模块,以指示基于多个读取电压电平从第一实体单元读取第一数据;对第一数据群组执行逻辑操作,以获得对应于第一数据群组的解码索引信息,其中第一数据群组包括第一数据与从第二实体单元读取的第二数据;根据第一数据与解码索引信息获得对应于第一电压区间的错误评估信息;以及根据错误评估信息更新第一解码参数。由此,可提高数据的解码成功率。- 发布时间:2024-04-21 07:49:26
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基于NAND失效下的重读实现方法、装置和计算机设备 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117912530A 申请号:CN202410092787.2基于NAND失效下的重读实现方法、装置和计算机设备
- 申请号:CN202410092787.2
- 公开号:CN117912530A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:苏州忆联信息系统有限公司
本申请涉及一种基于NAND失效下的重读实现方法、装置、计算机设备和存储介质,其中该方法包括:创建重读等级权重序列和重读等级优先级序列,并对所述重读等级权重序列和重读等级优先级序列进行初始化;当NAND失效发生重读且纠错成功后,记录纠错成功的重读等级,在所述重读等级权重序列中将纠错成功的重读等级对应的权重提高;根据所述重读等级权重序列内权重的变化,调整重读等级优先级序列内的优先级排列顺序;当下次发生重读时,根据调整后的重读优先级序列内的重读等级排列顺序进行重读。本发明可以有效地减少NAND在失效情况下的重读次数,提升了重读的效率,从而提升了固态硬盘的读性能。- 发布时间:2024-04-21 07:49:23
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一种存储芯片的修复方法及装置、计算机存储介质 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117912529A 申请号:CN202410087742.6一种存储芯片的修复方法及装置、计算机存储介质
- 申请号:CN202410087742.6
- 公开号:CN117912529A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:普冉半导体(上海)股份有限公司
本申请公开了一种存储芯片修复的方法及装置、计算机存储介质,所述存储芯片包括存储阵列和冗余阵列,所述存储阵列包括多个存储单元,所述冗余阵列包括多个冗余单元,所述方法包括:当所述存储阵列中存在第一存储单元时,从所述冗余阵列中选取若干所述冗余单元作为修复单元;采用所述修复单元对目标单元进行替换修复;其中,所述目标单元包括第一存储单元和第二存储单元,所述第一存储单元包括失效的存储单元,所述第二存储单元包括所述存储阵列中与所述第一存储单元满足预设位置关系的其他存储单元。由此,提前对可能出现失效的芯片进行修复,能够提升产品可靠性和使用寿命。- 发布时间:2024-04-21 07:49:09
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