一种基于RRAM多值存储的存内计算方法与系统

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115019856 A (43)申请公布日 2022.09.06 (21)申请号 202210947001.1 (22)申请日 2022.08.09 (71)申请人 之江实验室 地址 311100 浙江省杭州市余杭区中泰街 道之江实验室南湖总部 (72)发明人 张文君　赵昱霖　曹玥　杨建国　 (74)专利代理机构 杭州浙科专利事务所(普通 合伙) 33213 专利代理师 孙孟辉 (51)Int.Cl. G11C 13/00 (2006.01) G11C 5/14 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种基于RRAM多值存储的存内计算方法与 系统 (57)摘要 本发明属于存内计算领域，涉及一种基于 RRAM多值存储的存内计算方法与系统，该方法包 括：步骤一，设计基于阻变存储器RRAM的基本电 路，采用基本电路中上下电导为一组的方式来存 储多级权重；步骤二，通过改变电导来完成不同 权重的映射和存储；步骤三，再通过基本电路中 参与权重映射存储的RRAM单元的字线同步打开 位线，将脉冲电压通过位线输入；步骤四，基于映 射存储的权重和其对应输入的脉冲电压，采用电 压感知型的矩阵乘加的方式得到最终结果并通 过源线输出。本发明能够实现多值的电压型RRAM A 存内计算，有效降低存储密度，减小误差，提升部 6 署算法的计算精度，可应用于人工智能、机器学 5 8 9 习等算法领域的矩阵乘