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• 独立地驱动外部和内部微调致动器的数据存储设备 公开日期：2024-12-24 公开号：CN114999536A 申请号：CN202110659730.2
  发明 独立地驱动外部和内部微调致动器的数据存储设备

  • 申请号：CN202110659730.2
  • 公开号：CN114999536A
  • 公开日期：2024-12-24
  • 申请人：西部数据技术公司

  本发明公开了一种数据存储设备，其包括多个磁盘，每个磁盘包括顶部磁盘表面和底部磁盘表面。多个内部致动器臂各自包括第一内部微调致动器和第二内部微调致动器，该第一内部微调致动器被配置为在该顶部磁盘表面中的一个顶部磁盘表面上方致动顶部磁头，该第二内部微调致动器被配置为在底部磁盘表面中的一个底部磁盘表面上方致动底部磁头。第一外部致动器臂包括第一外部微调致动器，该第一外部微调致动器被配置为在顶部磁盘的顶部磁盘表面上方致动顶部磁头，并且第二外部致动器臂包括第二外部微调致动器，该第二外部微调致动器被配置为在底部磁盘的底部磁盘表面上方致动底部磁头，其中内部微调致动器独立于外部微调致动器进行控制。

  发布时间：2022-10-24 10:25:55

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• 通过监测金丝雀单元检测存储器单元干扰的系统和方法 公开日期：2024-04-02 公开号：CN114999542A 申请号：CN202111195728.0
  发明 通过监测金丝雀单元检测存储器单元干扰的系统和方法

  • 申请号：CN202111195728.0
  • 公开号：CN114999542A
  • 公开日期：2024-04-02
  • 申请人：慧与发展有限责任合伙企业

  一个实施例提供了一种存储器模块。所述存储器模块包括：多行存储器单元，各个行包括比非金丝雀存储器单元更容易受到干扰的一个或多个金丝雀存储器单元；以及干扰检测电路，所述干扰检测电路耦接到对应行的至少一个金丝雀存储器单元并且被配置为响应于对所述金丝雀存储器单元的干扰超过预定阈值而输出控制信号。

  发布时间：2022-10-24 10:26:14

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• 存储器结构 公开日期：2023-10-31 公开号：CN115019859A 申请号：CN202210518136.6
  发明 存储器结构

  • 申请号：CN202210518136.6
  • 公开号：CN115019859A
  • 公开日期：2023-10-31
  • 申请人：日升存储公司

  一种存储器结构，包括：储存晶体管，其具有沟道区域、电荷储存区域、栅极端子、第一漏极端子或第一源极端子、以及第二漏极端子或第二源极端子，该储存晶体管具有表示储存在所述电荷储存区域中的电荷的可变阈值电压；字线，其连接至所述栅极端子以在读取操作期间提供控制电压；位线，其将所述第一漏极端子或所述第一源极端子连接到数据检测电路；源极线，其连接到所述第二漏极端子或所述第二源极端子；以及导体层，其将所述沟道区域电连接到所述半导体衬底中的所述电压源之一，以为所述沟道区域提供偏置电压，其中，所述位线和所述区域各自是沿基本上垂直于所述平坦的表面的第一方向延伸的第一导电类型的半导体材料的列。

  发布时间：2023-11-02 07:00:07

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• 一种基于RRAM多值存储的存内计算方法与系统 公开日期：2023-05-16 公开号：CN115019856A 申请号：CN202210947001.1
  发明 一种基于RRAM多值存储的存内计算方法与系统

  • 申请号：CN202210947001.1
  • 公开号：CN115019856A
  • 公开日期：2023-05-16
  • 申请人：之江实验室

  本发明属于存内计算领域，涉及一种基于RRAM多值存储的存内计算方法与系统，该方法包括：步骤一，设计基于阻变存储器RRAM的基本电路，采用基本电路中上下电导为一组的方式来存储多级权重；步骤二，通过改变电导来完成不同权重的映射和存储；步骤三，再通过基本电路中参与权重映射存储的RRAM单元的字线同步打开位线，将脉冲电压通过位线输入；步骤四，基于映射存储的权重和其对应输入的脉冲电压，采用电压感知型的矩阵乘加的方式得到最终结果并通过源线输出。本发明能够实现多值的电压型RRAM存内计算，有效降低存储密度，减小误差，提升部署算法的计算精度，可应用于人工智能、机器学习等算法领域的矩阵乘加运算硬件加速系统。

  发布时间：2023-06-30 07:01:09

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• 一种分布式网络存储系统 公开日期：2023-11-24 公开号：CN115035921A 申请号：CN202210509306.4
  发明 一种分布式网络存储系统

  • 申请号：CN202210509306.4
  • 公开号：CN115035921A
  • 公开日期：2023-11-24
  • 申请人：上海好剧影视发行有限公司

  本发明公开了一种分布式网络存储系统，包括存储箱，存储箱内部固定连接有多个放置板，且放置板顶部外壁均设有网络存储器，网络存储器两侧均设有容纳槽，且容纳槽内壁均转动连接有两个摆动板，容纳槽一侧内壁均开有安装槽，且安装槽内壁均转动连接有双向螺纹杆，双向螺纹杆两侧外壁均滑动连接有按压滑块，且按压滑块滑动连接于安装槽内壁，摆动板一端均设有夹持机构。本发明在连接弹簧的弹力作用下，推动弹性防护板将网络存储器的左右夹持，防止晃动，并在加持机构的作用下能够将网络存储器的前后方固定，从而当存储箱受到外力碰撞时，存储箱内的网络存储器不会出现晃动或者位移的情况，保证网络存储器的安全运行。

  发布时间：2023-11-26 07:00:10

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• 包括具有共享预加载线和激活线的存储器位单元的装置 公开日期：2023-09-15 公开号：CN115053290A 申请号：CN202180012851.6
  PCT发明 包括具有共享预加载线和激活线的存储器位单元的装置

  • 申请号：CN202180012851.6
  • 公开号：CN115053290A
  • 公开日期：2023-09-15
  • 申请人：高通股份有限公司

  包括具有共享预加载线和激活线的存储器位单元的装置。每个存储器中计算(CIM)NAND或NOR 8T‑SRAM位单元包括(6T)SPRAM电路配置，耦合到六晶体管(6T)SPRAM电路配置的第一晶体管、耦合到第一晶体管的第二晶体管、耦合到第二晶体管的第三晶体管、以及耦合到第二晶体管与第三晶体管的电容器。存储器电路包括耦合到第三晶体管的读取字线、耦合到第三晶体管的读取位线以及耦合到第二晶体管的激活线。存储器位单元可以被配置为作为NAND存储器位单元操作。存储器位单元可以被配置为作为NOR存储器位单元操作。

  发布时间：2023-09-17 07:00:14

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• 可动态调整供电保护的DDR5存储器模块及其工作方法 公开日期：2023-02-28 公开号：CN115050399A 申请号：CN202210965651.9
  发明 可动态调整供电保护的DDR5存储器模块及其工作方法

  • 申请号：CN202210965651.9
  • 公开号：CN115050399A
  • 公开日期：2023-02-28
  • 申请人：深圳市铨兴科技有限公司

  本发明公开了可动态调整供电保护的DDR5存储器模块，包括多个动态随机存取存储器，以及电源管理集成电路PMIC，微处理器MCU，与PMIC、动态随机存取存储器连接，SPD Hub，将所需电源参数提供给PMIC，并且经由PMIC提供所设定微处理器MCU的工作电压提供给动态随机存取存储器；BIOS，通过SPD Hub参数调整所需工作频率及工作电压；电压检测模块，与微处理器MCU连接，本发明可通过微调存储器上供应给动态随机存取存储器的电压来提高动态随机存取存储器的批次良率，更易侦错及信息取得，提高使用寿命，本发明还公开了存储器模块的工作方法，可以实现更好的功率分布、提高信号完整性并减少噪音。

  发布时间：2023-06-30 07:01:51

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• 用于非易失性存储器的用户可配置的耗损均衡的系统、方法和设备 公开日期：2023-08-18 公开号：CN115064199A 申请号：CN202210572068.1
  发明 用于非易失性存储器的用户可配置的耗损均衡的系统、方法和设备

  • 申请号：CN202210572068.1
  • 公开号：CN115064199A
  • 公开日期：2023-08-18
  • 申请人：英飞凌科技有限责任公司

  本文公开了用于非易失性存储器的用户可配置的耗损均衡的系统、方法和设备。设备包括非易失性存储器，该非易失性存储器包括多个物理存储器部分，其中多个物理存储器部分中的每一个物理存储器部分被配置为映射到多个逻辑存储器部分的逻辑存储器部分。设备还可以包括耗损均衡控制电路，其被配置为接收多个耗损均衡参数，以及还被配置为基于接收到的多个耗损均衡参数确定多个耗损均衡特征，其中多个耗损均衡特征标识对于多个逻辑存储器部分中的每一个逻辑存储器部分所允许的耗损均衡的量。

  发布时间：2023-08-20 07:00:11

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• 用于三维存储器的自适应写入训练的系统及方法 公开日期：2023-09-05 公开号：CN115083459A 申请号：CN202210138193.1
  发明 用于三维存储器的自适应写入训练的系统及方法

  • 申请号：CN202210138193.1
  • 公开号：CN115083459A
  • 公开日期：2023-09-05
  • 申请人：美光科技公司

  本申请案的实施例涉及用于三维存储器的自适应写入训练的系统及方法。提供一种存储器系统。所述存储器系统包含存储器控制器及电耦合到所述存储器控制器的数据总线。所述存储器系统进一步包含经由所述数据总线通信耦合到所述存储器控制器的一或多个存储器装置，其中所述一或多个存储器装置中的每一者包括经配置以在所述存储器系统的写入操作期间调整由所述存储器控制器发送到所述一或多个存储器装置的数据的写入时序的写入训练设置。

  发布时间：2023-09-07 07:00:14

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• 用于减小存储器装置开销的电压校准扫描 公开日期：2023-05-30 公开号：CN115083454A 申请号：CN202210223101.X
  发明 用于减小存储器装置开销的电压校准扫描

  • 申请号：CN202210223101.X
  • 公开号：CN115083454A
  • 公开日期：2023-05-30
  • 申请人：美光科技公司

  本公开涉及用于减小存储器装置开销的电压校准扫描。起始电压校准扫描。接收基于与指定为当前仓的块的第一仓相关联的读取电压偏移集合而针对存储器装置的样本块测量的数据状态度量的第一值。所述第一值指定为最小值。基于与具有高于所述当前仓的索引值的块的第二仓相关联的读取电压偏移集合而测量所述样本块的数据状态度量的第二值。响应于确定所述第二值超过所述第一值，将所述第一仓维持为所述当前仓并且停止所述电压校准扫描。

  发布时间：2023-06-30 07:02:11

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