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发明

存储器及其访问方法、电子设备

2023-06-30 07:03:59 发布于四川 4
  • 申请专利号：CN202210804195.X
  • 公开（公告）日：2023-05-23
  • 公开（公告）号：CN115171750A
  • 申请人：北京超弦存储器研究院
摘要：本申请实施例提供了一种存储器及其访问方法、电子设备。该存储器包括至少一个存储阵列、至少一个控制电路、若干用于读操作的读字线和读位线；存储阵列包括若干阵列排布的存储单元，存储单元包括第一晶体管和第二晶体管；控制电路与读字线和读位线连接；在预处理阶段，将第一电压传输至读位线；以及控制电路被配置为在预处理阶段，将第一电压传输至读字线；在读取感应阶段，将第二电压传输至存储单元连接的读字线。本申请提供的存储器能够将数据可靠的读出，同时能够避免或者有效降低串扰。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115171750 A (43)申请公布日 2022.10.11 (21)申请号 202210804195.X (22)申请日 2022.07.07 (71)申请人 北京超弦存储器研究院 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术 开发区景园北街52幢5层501-12 (72)发明人 朱正勇　康卜文　巫谢帅　赵超　 (74)专利代理机构 北京市立方律师事务所 11330 专利代理师 张筱宁　王存霞 (51)Int.Cl. G11C 11/408 (2006.01) G11C 11/401 (2006.01) G11C 11/4074 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图6页 (54)发明名称 存储器及其访问方法、电子设备 (57)摘要 本申请实施例提供了一种存储器及其访问 方法、电子设备。该存储器包括至少一个存储阵 列、至少一个控制电路、若干用于读操作的读字 线和读位线；存储阵列包括若干阵列排布的存储 单元，存储单元包括第一晶体管和第二晶体管； 控制电路与读字线和读位线连接；在预处理阶 段，将第一电压传输至读位线；以及控制电路被 配置为在预处理阶段，将第一电压传输至读字 线；在读取感应阶段，将第二电压传输至存储单 元连接的读字线。本申请提供的存储器能够将数 据可靠的读出，同时能够避免或者有效降低串 扰。 A 0 5 7 1 7 1 5 1 1 N C C

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