最新专利

• 一种MAX相涂层的低温制备方法及其应用 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116219381A 申请号：CN202211603528.9
  发明 一种MAX相涂层的低温制备方法及其应用

  • 申请号：CN202211603528.9
  • 公开号：CN116219381A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

  本发明公开了一种MAX相涂层的低温制备方法及其应用。所述低温制备方法包括：提供基体；以及，采用直流磁控溅射复合双靶高功率脉冲磁控溅射技术，在所述基体表面沉积形成MAX相涂层；其中，所述直流磁控溅射技术中采用的靶材为Al靶，所述双靶高功率脉冲磁控溅射技术中采用的双靶靶材分别为金属靶和C靶，所述金属靶选自Ti靶、Cr靶或V靶，且金属靶、C靶、Al靶中任意两靶之间的磁场为磁铁极性相反的闭合磁场或磁铁极性相同的镜面磁场；沉积温度为350～500℃。本发明的提供的MAX相涂层工艺的沉积温度低，同时制备的MAX相涂层具有纯度高、表面平滑、成分均匀、结构致密等优点。

  发布时间：2023-06-11 11:37:59

  0

• 一种复合板及其制备方法、均热板 公开日期：2024-10-29 公开号：CN112760644A 申请号：CN202110017035.6
  发明 一种复合板及其制备方法、均热板

  • 申请号：CN202110017035.6
  • 公开号：CN112760644A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：松山湖材料实验室

  本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种复合板及其制备方法、均热板。复合板包括依次层叠设置的第一铜箔、石墨烯层以及第二铜箔；其中，所述第一铜箔为晶畴数小于或等于5个/平方厘米；所述第二铜箔为电镀铜。在晶畴数小于或等于5个/平方厘米的第一铜箔具有较佳的导热性，在第一铜箔上设置石墨烯层，然后在石墨烯层上设置电镀铜且厚度可调至1μm至1mm，电镀铜以及第一铜箔可以克服石墨烯层不能作为结构材料的问题，由分别位于石墨烯层两侧的晶畴数较小的第一铜箔以及电镀铜组成的复合板，具有较佳的导热系数和合适的强度。

  发布时间：2023-06-07 12:11:12

  0

• 一种有旋压面零件电镀锌镍合金用酸洗设备 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116200752A 申请号：CN202310008167.1
  发明 一种有旋压面零件电镀锌镍合金用酸洗设备

  • 申请号：CN202310008167.1
  • 公开号：CN116200752A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：上海仁盛标准件制造有限公司

  本发明涉及合金酸洗领域，具体公开了一种有旋压面零件电镀锌镍合金用酸洗设备，包括：底座；酸洗箱组件，酸洗箱组件与底座固定连接；置物组件，置物组件与酸洗箱组件相连；防护组件，防护组件与置物组件相连；扰液组件，扰液组件与酸洗箱组件相连；吹扫装置，吹扫装置与酸洗箱组件相连；其中，置物组件包括：容置架组件，所述容置架组件与酸洗箱组件相连；联动混液组件，所述联动混液组件与容置架组件相连，本装置联动混液组件与扰液组件配合，可提高酸洗液内部物质的均匀程度，进一步提高合金件的酸洗质量，同时，容置架组件可带动合金件小幅度晃动，在酸洗完成后，配合吹扫装置，可加速合金件外部附着酸洗液的滴落速度，防止酸洗液残留。

  发布时间：2023-06-04 11:13:17

  0

• 金属屏蔽的制造方法及其金属屏蔽 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116145078A 申请号：CN202310100607.6
  发明 金属屏蔽的制造方法及其金属屏蔽

  • 申请号：CN202310100607.6
  • 公开号：CN116145078A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：达运精密工业股份有限公司

  本发明提出一种金属屏蔽的制造方法，包括提供金属板材，其具有相对之第一表面及第二表面，其中第一表面具有多个预设开口区；在第一表面形成第一光阻层，其中第一光阻层具有多个第一开孔分别对应多个预设开口区，且每一预设开口区部分暴露于每一第一开孔，其中，每一第一开孔之面积为每一预设开口区之面积的75％～100％；在第二表面形成第二光阻层，其中第二表面暴露于第二光阻层的多个第二开孔；在第一表面形成多个第一蚀刻部分别对应于多个第一开孔，其中，每一第一蚀刻部的第一开口位在每一预设开口区；在第二表面形成多个第二蚀刻部分别对应第二开孔。

  发布时间：2023-05-28 11:47:07

  0

• 一种磁控溅射沉积装置及磁控溅射沉积方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114892138A 申请号：CN202210399726.1
  发明 一种磁控溅射沉积装置及磁控溅射沉积方法

  • 申请号：CN202210399726.1
  • 公开号：CN114892138A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：上海积塔半导体有限公司

  本发明提供一种磁控溅射沉积装置及磁控溅射沉积方法，磁控溅射沉积装置中包括沉积腔室、靶材、磁控管及晶圆基座，沉积腔室的侧壁设置有靶材入口及靶材出口；靶材自靶材入口送入沉积腔室，以在沉积腔室的顶侧设置靶材，且通过靶材的运行，将靶材自靶材出口移出沉积腔室，以改变靶材在沉积腔室中的位置；磁控管位于沉积腔室中的靶材的上方，用于提供磁场；晶圆基座位于沉积腔室的底部，并与靶材相对设置，用于放置待沉积的晶圆。本发明在进行磁控溅射沉积时，可通过靶材的运行，改变靶材在沉积腔室中的位置，以提升靶材消耗的均匀性，从而可提高磁控溅射沉积的均匀性，达到均匀溅射的目的，以提高产能并降低制造成本。

  发布时间：2023-05-19 11:20:45

  0

• 溅射沉积设备及方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114901854A 申请号：CN202080091044.3
  PCT发明 溅射沉积设备及方法

  • 申请号：CN202080091044.3
  • 公开号：CN114901854A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：戴森技术有限公司

  本文描述的某些示例涉及一种溅射沉积设备，其包括用于在传送方向上引导基底的引导构件；用于产生等离子体的等离子体元；以及磁体装置。磁体装置配置成在设备内将等离子体限制到预处理区，在该预处理区内，基底在使用中暴露于等离子体。磁体装置还配置成在设备内将等离子体限制到溅射沉积区，以在使用中提供靶材料到基底的溅射沉积，该溅射沉积区在传送方向上位于预处理区之后。预处理区和溅射沉积区围绕引导构件设置。

  发布时间：2023-05-19 11:18:06

  0

• 用于沉积压电材料的方法和装置 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114901855A 申请号：CN201980103376.6
  PCT发明 用于沉积压电材料的方法和装置

  • 申请号：CN201980103376.6
  • 公开号：CN114901855A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：应用材料公司

  本文中所公开的实例与在基板上形成薄膜层的装置和方法相关。在第一腔室中在所述基板上沉积第一压电材料层。所述第一压电材料层在所述基板处于第一温度的同时形成于所述基板上。在将所述基板冷却到第二温度之后，在所述第一压电材料层上沉积第二压电材料层。所述第二温度低于所述第一温度。所述第一压电材料层和所述第二压电材料层都包括第一压电材料。

  发布时间：2023-05-19 11:17:04

  0

• 处理装置 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114855139A 申请号：CN202210040163.7
  发明 处理装置

  • 申请号：CN202210040163.7
  • 公开号：CN114855139A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：住友重机械工业株式会社

  本发明提供一种能够提高处理性能的处理装置。等离子体生成部(18)通过基于等离子体放电的辐射热(H)(参考图2)进行加热，以去除真空腔室(10)内的水分。如此，通过使用等离子体生成部(18)中的基于等离子体放电的辐射热(H)，能够去除真空腔室(10)内的水分。因此，通过降低真空腔室(10)内的真空的极限压力，能够达到高真空度。由此，当在真空腔室(10)内进行成膜处理的情况下，能够通过提高膜质来提高处理性能。

  发布时间：2023-05-18 12:58:59

  0

• 一种长寿命多功能喷枪 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114798211A 申请号：CN202210394196.1
  发明 一种长寿命多功能喷枪

  • 申请号：CN202210394196.1
  • 公开号：CN114798211A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：厦门盛骅自动化设备有限公司

  本发明公开一种长寿命多功能喷枪，包括进水组件、设于所述进水组件下方的基座组件、以及贯穿进水组件和基座组件的过流通道，进水组件上设置有一阴极，基座组上设置有一阳极，阴极和阳极相对应设置，过流通道环绕阴极和阳极周圈设置；还包括一送粉件，送粉件与阳极相贯通设置，送粉件可置换地设置于基座组件上，可以根据粉体的性能选择将送粉件设置于基座组件内部或者置换于基座组件外部，从而根据粉体性能满足送粉要求，进而达到良好的喷涂效果。

  发布时间：2023-05-17 11:58:17

  0

• 一种连铸结晶器足辊及其制作方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114752930A 申请号：CN202210373525.4
  发明 一种连铸结晶器足辊及其制作方法

  • 申请号：CN202210373525.4
  • 公开号：CN114752930A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：鞍钢实业集团冶金机械有限公司

  本发明涉及一种连铸结晶器足辊及其制作方法，其足辊由基体和熔覆层组成，所述熔覆层采用激光熔覆方法熔覆在基体表面，其中熔覆后熔覆层的金属化学成份及质量百分比为：0.02‑0.07％C、12.5‑15％Cr、5‑6.5％Ni、1‑1.5％Mo、0.2‑0.4％V、0.15‑0.3％Nb、1.7‑2.5％Co，余量Fe。其有益效果是：该发明采用激光熔覆方法在基体表面形成熔覆层，可显著提升连铸结晶器足辊的耐热性、耐腐蚀性和耐磨性，不需要热处理等工序，生产周期短，制作成本低廉，使用周期长，故性价比高，可极大的降低使用成本。

  发布时间：2023-05-16 10:47:32

  0