最新专利

• 低温磊晶成长的化学气相沉积仪 公开日期：2024-10-11 公开号：CN115821231A 申请号：CN202210261248.8
  发明 低温磊晶成长的化学气相沉积仪

  • 申请号：CN202210261248.8
  • 公开号：CN115821231A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：瑞砻科技股份有限公司

  本发明涉及一种低温磊晶成长的化学气相沉积仪，包括：一阳离子预裂解腔室，提供复数预裂解的阳离子；一阴离子预裂解腔室，提供复数预裂解的阴离子；一气相沉积室，具有一顶部、一底部以及一中空作用腔，该气相沉积室更形成有至少一导通上述阳离子预裂解腔室和该中空作用腔的阳离子通道、至少一导通上述阴离子预裂解腔室和该中空作用腔的阴离子通道以及驱使上述阳离子和上述阴离子朝向上述中空作用腔顶部方向移动的驱动装置；以及至少一设置于上述气相沉积室接近上述顶部的载台，供至少一片三维半导体晶材基板朝向上述中空作用腔设置于前述载台。

  发布时间：2023-06-01 07:03:24

  0

• 一种蚀刻液及其制备方法、金属膜材处理方法 公开日期：2024-10-11 公开号：CN114507859A 申请号：CN202111481164.7
  发明 一种蚀刻液及其制备方法、金属膜材处理方法

  • 申请号：CN202111481164.7
  • 公开号：CN114507859A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：福建中安高新材料研究院有限公司

  本申请提供了一种蚀刻液及其制备方法、金属膜材的处理方法。所述蚀刻液含有以下重量份数的各组分：50‑80份的磷酸，1‑10份的硝酸，10‑30份的醋酸，0.01‑1份的金属缓蚀剂，0.01‑1份的表面活性剂，余量为水；所述表面活性剂包括壬基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸盐；所述金属缓蚀剂包括醋酸钾、磺化木质素、膦羧酸、巯基苯并噻唑中的至少一种。该蚀刻液可控性强、蚀刻均匀性好、蚀刻角度平滑、精度高，能在短时间内完成材料的蚀刻，蚀刻后金属膜材的关键尺寸损失小于0.5μm，蚀刻角度小于60°，玻璃面板表面无残留。并且可以同时满足铝膜、铝合金膜、钼膜、钼合金膜，以及不同厚度叠加的钼‑铝叠层膜、铝‑钼‑铝叠层膜和钼‑铝‑钼叠层膜的蚀刻要求。

  发布时间：2023-05-10 11:41:54

  0

• 一种多元复合稳定氧化锆热障涂层材料及其制备方法 公开日期：2024-10-11 公开号：CN117658629A 申请号：CN202311642427.7
  发明 一种多元复合稳定氧化锆热障涂层材料及其制备方法

  • 申请号：CN202311642427.7
  • 公开号：CN117658629A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：杭钢金属陶瓷（安吉）有限公司|||浙江省冶金研究院有限公司

  本发明公开了一种多元复合稳定氧化锆热障涂层材料及其制备方法，包括热障涂层材料，所述热障涂层材料的化学式为(Zr1‑xBx)O2‑yA2O3,其中x为掺杂四价B元素的含量，y为掺杂三价稀土氧化物的质量百分比数，即三价稀土氧化物的质量百分比为y％；其中0.1≤x≤0.3，10≤y≤25；所述的三价稀土氧化物A2O3为Gd2O3、Yb2O3、Nd2O3、Pr2O3、Sm2O3、Er2O3、Dy2O3的任意四种或五种；所述的四价氧化物BO2为TiO2、HfO2、CeO2、MoO2的任意两种或三种。本发明的复合稀土稳定氧化锆热障涂层材料具有热导率低、结合强度高、隔热性能好、热循环寿命长等优势，且材料的制备工艺可靠，性能稳定，适合大规模批量生产，在燃气轮机、航空发动机等热端构件隔热防护领域具有很好的推广前景。

  发布时间：2024-03-11 07:23:56

  3

• 一种钢筋混凝土氯离子定向吸收装置及方法 公开日期：2024-10-11 公开号：CN116641059A 申请号：CN202310597528.0
  发明 一种钢筋混凝土氯离子定向吸收装置及方法

  • 申请号：CN202310597528.0
  • 公开号：CN116641059A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：水利部交通运输部国家能源局南京水利科学研究院

  本发明公开了一种钢筋混凝土氯离子定向吸收装置及方法，在填充体的其中两个相对设置的侧面各设置有一个铜片，两个铜片之间的填充体上开设有两个测量槽，位于两个测量槽之间的填充体中开设有多个竖向的添加剂注入通道，添加剂注入通道自填充体的上表面向下表面沿伸设置，添加剂注入通道位于镁合金电极的两侧。本发明通过测量探头可以从装置的外部掌握填充体的消耗情况，并根据测量结果，通过在添加剂注入通道中浇注添加剂，对已消耗的填充体进行定向修复，在保证氯离子吸收效果的基础上还能及时消除镁合金电极的锈蚀产物，延长装置的使用寿命。

  发布时间：2023-08-31 07:24:31

  1

• 一种AlCrVTiSiCN/AlCrN/CrN多层复合涂层及其制备方法和刀具 公开日期：2024-10-11 公开号：CN117568747A 申请号：CN202311647514.1
  发明 一种AlCrVTiSiCN/AlCrN/CrN多层复合涂层及其制备方法和刀具

  • 申请号：CN202311647514.1
  • 公开号：CN117568747A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：苏州六九新材料科技有限公司

  本发明提供了一种AlCrVTiSiCN/AlCrN/CrN多层复合涂层及其制备方法和刀具，所述AlCrVTiSiCN/AlCrN/CrN多层复合涂层包括在基体上依次沉积的CrN过渡层和耐磨层，所述耐磨层由AlCrN层、AlCrVTiSiCN层交替循环沉积而成，所述耐磨层的最顶面为AlCrVTiSiCN层。本发明的AlCrVTiSiCN/AlCrN/CrN多层复合涂层具备较好的硬度及弹性模量、较强的韧性、膜基结合力和热稳定性。

  发布时间：2024-03-02 07:18:15

  9

• 用于盐碱地区地基混凝土管桩的牺牲阳极保护装置及方法 公开日期：2024-10-11 公开号：CN115747809A 申请号：CN202211270778.5
  发明 用于盐碱地区地基混凝土管桩的牺牲阳极保护装置及方法

  • 申请号：CN202211270778.5
  • 公开号：CN115747809A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：中国石油化工股份有限公司

  一种用于盐碱地区地基混凝土管桩的牺牲阳极保护装置，由桩体和下桩头构成混凝土管桩，设置有牺牲阳极，牺牲阳极的一端通过焊接固定连接在下桩头的端头板上，牺牲阳极的另一端伸入桩体内。牺牲阳极的选择方法：根据盐碱地区地基混凝土管桩所在土壤环境，确定出影响土壤电阻率的五个影响因素，评价土壤腐蚀性，确定土壤等级；选择牺牲阳极的材料；确定牺牲阳极的具体形状和具体数量；根据被保护的混凝土管桩的形状选择牺牲阳极的安装部位，进行安装。本发明用层次分析法综合多种评价指标，结合制定的评分规则，使用牺牲阳极法对盐碱地区地基混凝土管桩进行有效的防腐蚀保护。设计合理、可操作性强，为地基混凝土管桩防腐保护提供了很好的方法和手段。

  发布时间：2023-06-07 22:02:24

  0

• 一种基于磁控溅射技术的陶瓷基板制造方法 公开日期：2024-10-11 公开号：CN117778978A 申请号：CN202410019972.9
  发明 一种基于磁控溅射技术的陶瓷基板制造方法

  • 申请号：CN202410019972.9
  • 公开号：CN117778978A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：山东高特威尔电子科技有限公司

  本发明涉及应用于陶瓷基板镀膜技术领域的一种基于磁控溅射技术的陶瓷基板制造方法，通过双层靶材的设置，自带隐藏式的备用靶材，当溅射过程中需要更换时，无需开启镀膜机，通过速换机构可在镀膜机关闭的情况自动对外显靶片和内隐靶片进行快速换位，达到无需中断溅射过程，或者仅需中断很少的时间即可实现对靶材的更换，达到提高效率的效果，相较于现有技术，无需重新营造氩气气氛，既能有效降低对氩气的浪费，同时大幅度降低对陶瓷基板镀金属膜效率的影响；另外配合靶材监控组件的设置，可对双层靶材进行监控，便于及时进行外显靶片和内隐靶片的换位，进而有效维持陶瓷基板镀膜的高效进行。

  发布时间：2024-03-31 07:46:50

  1

• 一种在真空中翻转基片的基片加工系统 公开日期：2024-10-11 公开号：CN117187789A 申请号：CN202311097506.4
  发明 一种在真空中翻转基片的基片加工系统

  • 申请号：CN202311097506.4
  • 公开号：CN117187789A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：德鸿半导体设备（浙江）有限公司

  本发明公开了一种在真空中翻转基片的基片加工系统，包括直线输送腔室以及设于直线输送腔室内的直线输送机构，直线输送腔室在其长度方向上设有A面镀膜区以及B面镀膜区，A面镀膜区与B面镀膜区内设有镀膜装置，A面镀膜区与B面镀膜区之间设有翻转区，翻转区内设有位于直线输送机构上的翻转机构，翻转机构包括框架载盘，框架载盘上具有放置孔，放置孔内转动设有翻转架，翻转架通过驱动机构Ⅰ驱动转动，翻转架上沿着其转动轴线平行设有两条对称设置的翻转杆Ⅱ，两条翻转杆Ⅱ通过驱动机构Ⅱ驱动转动，两条翻转杆Ⅱ的侧壁上沿着其长度方向设有一条直角形的条形豁口，通过本发明基片翻转后能够将基片的表面完全暴露在镀膜装置下进行完整的镀膜。

  发布时间：2023-12-17 07:13:54

  1

• 多层涂层 公开日期：2024-10-11 公开号：CN114423882A 申请号：CN202080064726.5
  PCT发明 多层涂层

  • 申请号：CN202080064726.5
  • 公开号：CN114423882A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：塞梅孔公司

  本发明涉及用于对基材(40)进行涂覆的方法、执行所述方法的涂覆系统和经涂覆体。在第一方法步骤(62)中，将基材(40)在离子蚀刻过程中进行预处理。在第二方法步骤(64)中，通过PVD过程在基材(40)上沉积厚度为0.1μm至6μm的第一涂覆层(56a)。为了实现特别高品质且耐用的涂层(50)，在第三方法步骤(66)中，通过离子蚀刻过程对第一涂覆层(56a)的表面进行处理，以及在第四方法步骤(68)中，通过PVD过程在第一涂覆层(56a)上沉积厚度为0.1μm至6μm的另外的涂覆层(56b)。所述经涂覆体包括在基材(40)上的至少两个厚度为0.1μm至6μm的涂覆层(56a、56b、56c、56d)，其中通过离子蚀刻形成的界面区域布置在涂覆层(56a、56b、56c、56d)之间。

  发布时间：2023-05-09 10:42:55

  0

• 一种可镀多种膜的管式PECVD石墨舟结构 公开日期：2024-10-11 公开号：CN113430503A 申请号：CN202110801121.6
  发明 一种可镀多种膜的管式PECVD石墨舟结构

  • 申请号：CN202110801121.6
  • 公开号：CN113430503A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：连科半导体有限公司

  本发明提供一种可镀多种膜的管式PECVD石墨舟结构，包括多个依次叠放的舟片；所述舟片设有多个镂空区域，所述镂空区域用于安装硅片，且所述镂空区域周围设有至少一个卡住所述硅片的勾点；所述镂空区域安装硅片后，相临两个舟片之间形成独立的且密闭的镀膜通道，所述镀膜通道的延伸方向平行于所述舟片的长度方向，所述舟片在其长度方向的两端分别加工有与所述镀膜通道连通的进气孔和出气孔；所述镀膜通道内通入镀膜气体或惰性气体。本发明单个设备上可以镀多种膜，节省了倒片时间，同时减少倒片过程的划伤，提升了良率。同时避免镀膜过程暴露在空气中，减少污染。

  发布时间：2023-06-23 08:22:59

  2