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• 一种高阻高磁特性六角铁氧体材料及制备方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116969751A 申请号：CN202311070026.9
  发明 一种高阻高磁特性六角铁氧体材料及制备方法

  • 申请号：CN202311070026.9
  • 公开号：CN116969751A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：电子科技大学|||四川京都龙泰科技有限公司

  该发明公开了一种高阻高磁特性六角铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。为永磁电机的开发等领域解决如下几方面的关键技术问题：其一，大幅提升六角铁氧体的电阻率，并改善了电阻温度特性；其二，内禀矫顽力和磁感矫顽力均大幅上升，使微特电机在运行中的稳定性得到增强。本发明中在大幅提升材料电阻率的同时，矫顽力也有约7％的提升；在J.European Ceram Soc.2023,43:5521‑5529报道中，材料的电阻率相比掺杂前提升了47.5％，而本发明中材料的电阻率相比于掺杂前提升了325％，在磁性能和电性能方面表现出了显著的优势。

  发布时间：2023-11-05 07:19:42

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• 一种用于人工髋关节的多孔/致密复合结构氮化硅材料及制备方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116969775A 申请号：CN202310959547.3
  发明 一种用于人工髋关节的多孔/致密复合结构氮化硅材料及制备方法

  • 申请号：CN202310959547.3
  • 公开号：CN116969775A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：西安交通大学

  一种用于人工髋关节的多孔/致密复合结构氮化硅材料及制备方法，以α‑Si3N4为原料，以Al2O3、Y2O3为烧结助剂，将直接凝固注模成型工艺与模板法结合起来，控制制备条件，造孔剂尺寸等，可制备出形状复杂、孔隙率可控以及成分均匀的高性能多孔/致密氮化硅复合结构，大大降低了其生产成本；该材料由多孔氮化硅层和致密氮化硅层组成，多孔氮化硅层具有与骨组织相似的微观结构，有利于骨组织的生长和附着，致密氮化硅层具有高强度、高韧性、低磨损、良好的生物相容性等特点，有利于提高假体的稳定性和耐久性。

  发布时间：2023-11-05 07:17:36

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• 高离子电导率铌酸钠基陶瓷的制备方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116924797A 申请号：CN202310910068.2
  发明 高离子电导率铌酸钠基陶瓷的制备方法

  • 申请号：CN202310910068.2
  • 公开号：CN116924797A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：西安理工大学

  本发明公开了高离子电导率铌酸钠基陶瓷的制备方法，通过三氧化二镓掺杂铌酸钠陶瓷的制备，通过将Na2CO3、Nb2O5、和Ga2O3按照化学计量比称量混合、球磨干燥，然后将不同组分的粉末通过冷等静压技术压制成片，最后在不同温度烧结即得，最后在不同温度烧结即得，获得工作温度低，电导率高，化学稳定性好的铌酸钠基陶瓷。本发明解决了现有中低温燃料电池电解质材料中工作温度高以及化学稳定性差的问题。

  发布时间：2023-10-26 07:20:09

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• 一种硅灰石尾矿基泡沫陶瓷材料及其制备方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116874313A 申请号：CN202310832453.X
  发明 一种硅灰石尾矿基泡沫陶瓷材料及其制备方法

  • 申请号：CN202310832453.X
  • 公开号：CN116874313A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：景德镇陶瓷大学

  本发明公开了一种硅灰石尾矿基泡沫陶瓷材料及其制备方法，以硅灰石尾矿为主要原料，锂尾矿和石英砂作为粘度调节剂，结合抛光砖废渣作为发泡剂制备泡沫陶瓷材料，使得发泡陶瓷在具备低体积密度的前提下具有可靠的机械强度，并且充分利用了固废作为原料制备泡沫陶瓷材料，可替代大量优质陶瓷原料，提升硅灰石尾砂的附加值，避免固废对于生态环境的不利影响。

  发布时间：2023-10-16 07:22:38

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• 一种生瓷复合材料及用其制备晶圆搬运臂的制备方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116854467A 申请号：CN202310852247.5
  发明 一种生瓷复合材料及用其制备晶圆搬运臂的制备方法

  • 申请号：CN202310852247.5
  • 公开号：CN116854467A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：江西兆驰半导体有限公司

  发明提供了一种生瓷复合材料及用其制备晶圆搬运臂的制备方法，生瓷复合材料包括：包括粘结剂、烧结助剂、增塑剂、分散剂、陶瓷粉末，其中，粘结剂包括P溶剂和O溶剂，P溶剂的含量为1wt％‑1.5wt％，粘度为60cps‑70cps，O溶剂的含量为3wt％‑6.5wt％，粘度不小于4800cps，烧结助剂的含量为3.5wt％‑5wt％，增塑剂的含量为2wt％‑10wt％，分散剂的含量为2wt％‑4wt％，其余部分为陶瓷粉末，本申请提供的生瓷复合材料硬度高、抗氧化性强，耐磨性强，制备的晶圆搬运臂可靠性高。

  发布时间：2023-10-13 07:19:58

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• 钛酸铋钠基高熵介质储能陶瓷材料及其制备方法与应用 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116854469A 申请号：CN202310768347.X
  发明 钛酸铋钠基高熵介质储能陶瓷材料及其制备方法与应用

  • 申请号：CN202310768347.X
  • 公开号：CN116854469A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：长安大学

  本发明提供了一种钛酸铋钠基高熵介质储能陶瓷材料，组成式为：(Bi0.5Na0.5)0.8Sr0.07Ba0.07Ca0.06Ti0.75(Nb0.05Mg0.05Ta0.05Zr0.05Sn0.05)O3。制备方法为：将烘干后的Na2CO3原料、Bi2O3原料、CaCO3原料、BaCO3原料、SrCO3原料、Nb2O5原料、TiO2原料、Ta2O5原料、ZrO2原料、MgO原料和SnO2原料配料后球磨，然后经过预烧、二次球磨、压片、排胶、烧结、抛光和表面金属化，得到钛酸铋钠基高熵介质储能陶瓷材料，还提供了应用，用于脉冲电容器的制备。本发明制备的钛酸铋钠基高熵介质储能陶瓷材料的储能性能优良，制备工艺简单、重复性好、成本低廉，适宜工业化。

  发布时间：2023-10-13 07:16:59

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• 一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116789451A 申请号：CN202310661181.1
  发明 一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法

  • 申请号：CN202310661181.1
  • 公开号：CN116789451A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：先导薄膜材料（广东）有限公司

  本发明涉及靶材生产技术领域，公开了一种掺硅锗锑碲靶材的制备方法，其步骤包括，先将硅粉、GexSbyTez粉混合且硅粉的质量占粉体总质量的2～10％，随后进行湿法球磨、静置、烘干，制得掺硅锗锑碲粉体；随后，将制得的掺硅锗锑碲粉体真空热压，制得掺硅锗锑碲毛坯；再将掺硅锗锑碲毛坯进行机械加工，得到掺硅锗锑碲靶材，通过上述方法制备得到的掺硅锗锑碲靶材具有纯度高、相对密度大的特点，并且上述掺硅锗锑碲靶材也解决了传统制备薄膜时双靶溅射难以搭配和控制溅射速率的问题。

  发布时间：2023-09-24 08:26:30

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• 一种Mn掺杂PIN-PSN-PT硬性压电陶瓷及其制备方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116715523A 申请号：CN202310711939.8
  发明 一种Mn掺杂PIN-PSN-PT硬性压电陶瓷及其制备方法

  • 申请号：CN202310711939.8
  • 公开号：CN116715523A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：西安交通大学

  本发明属于压电陶瓷材料技术领域，具体涉及一种Mn掺杂PIN‑PSN‑PT硬性压电陶瓷及其制备方法，所述硬性压电陶瓷的组成通式为(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Sc1/2Nb1/2)O3‑yPbTiO3‑zMn，其中0.385≤x≤0.405、0.405≤y≤0.425、0.015≤z≤0.025。首先通过B位阳离子前驱体法合成ScNbO4、InNbO4前驱粉，再以ScNbO4、InNbO4、TiO2、锰源、铅源为原料，经过煅烧得到PIN‑PSN‑PT‑Mn粉体，最后经过研磨造粒、干压成型、排胶烧结、被银极化等工艺，得到所述硬性压电陶瓷。通过材料体系优化和相结构调控，有效削弱了压电材料各性能参数之间的相互制约关系，并将三方‑四方铁电相变温度控制在室温以下，在具备高Qm和高d33的同时，可以保持良好的温度稳定性，有望在共振式压电马达、压电变压器、超声波换能器等高功率压电器件领域得到广泛应用。

  发布时间：2023-09-11 07:14:40

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• 一种低介低损耗复合LTCC材料、制备方法及应用 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116639967A 申请号：CN202310687411.1
  发明 一种低介低损耗复合LTCC材料、制备方法及应用

  • 申请号：CN202310687411.1
  • 公开号：CN116639967A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：电子科技大学长三角研究院（湖州）

  本发明属于电子陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种低介低损耗复合LTCC材料、制备方法及应用，LTCC材料，基于SrCuSi4O10与(Li0.5Y0.5)MoO4进行固相反应法复合获得，可同时解决低温烧结和调节谐振频率温度系数的问题，同时复合材料介电常数和介电损耗也很低，满足低介低损耗的要求。该复合材料可以在不添加任何助熔剂的情况下，实现材料体系900℃左右的低温烧结，同时材料的谐振频率温度系数也能调整到±10ppm/℃以内，材料的介电常数也在7.7～8.0之间，Qf值超过了46000GHz，在LTCC集成器件和基板中具有很好的应用前景。

  发布时间：2023-08-31 07:26:54

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• 一种彩色氮化硅陶瓷材料及其制备方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116589283A 申请号：CN202310530553.7
  发明 一种彩色氮化硅陶瓷材料及其制备方法

  • 申请号：CN202310530553.7
  • 公开号：CN116589283A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：中国科学院兰州化学物理研究所|||烟台先进材料与绿色制造山东省实验室|||烟台中科先进材料与绿色化工产业技术研究院

  本发明属于氮化硅陶瓷技术领域，具体涉及一种彩色氮化硅陶瓷材料及其制备方法。本发明将制备原料湿法研磨，得到湿混合料；所述制备原料包括氮化硅、烧结助剂、Eu2O3和Dy2O3；将所述湿混合料干燥后筛分，得到混合粉体；将所述混合粉体加热烧结，得到所述彩色氮化硅陶瓷材料。本发明在氮化硅材料原有灰色的基础上进行调控，得到的黄棕色的氮化硅陶瓷，丰富了氮化硅陶瓷的色彩。同时，本发明能够有效提升彩色氮化硅陶瓷的致密程度，进而提升其力学性能。由实施例的结果表明，本发明制备的氮化硅陶瓷具有良好的力学性能及电磁屏蔽性能，可满足其作为终端通讯设备背板材料的需求。

  发布时间：2023-08-17 07:09:23

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