一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116789451 A (43)申请公布日 2023.09.22 (21)申请号 202310661181.1 (22)申请日 2023.06.06 (71)申请人 先导薄膜材料（广东）有限公司 地址 511500 广东省清远市高新区百嘉工 业园27-9号A区 (72)发明人 沈文兴　白平平　童培云　 (74)专利代理机构 清远市诺誉知识产权代理事 务所(普通合伙) 44815 专利代理师 龚元元 (51)Int.Cl. C04B 35/515 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/645 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 (54)发明名称 一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及靶材生产技术领域，公开了一种 掺硅锗锑碲靶材的制备方法，其步骤包括，先将 硅粉、Ge Sb Te 粉混合且硅粉的质量占粉体总质 x y z 量的2～10％，随后进行湿法球磨、静置、烘干，制 得掺硅锗锑碲粉体；随后，将制得的掺硅锗锑碲 粉体真空热压，制得掺硅锗锑碲毛坯 ；再将掺硅 锗锑碲毛坯进行机械加工 ，得到掺硅锗锑碲靶 材，通过上述方法制备得到的掺硅锗锑碲靶材具 有纯度高、相对密度大的特点，并且上述掺硅锗 锑碲靶材也解决了传统制备薄膜时双靶溅射难 以搭配和控制溅射速率的问题。 A