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发明

一种Mn掺杂PIN-PSN-PT硬性压电陶瓷及其制备方法2024

2023-09-11 07:14:40 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310711939.8
  • 公开（公告）日：2024-10-29
  • 公开（公告）号：CN116715523A
  • 申请人：西安交通大学
摘要：本发明属于压电陶瓷材料技术领域，具体涉及一种Mn掺杂PIN‑PSN‑PT硬性压电陶瓷及其制备方法，所述硬性压电陶瓷的组成通式为(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Sc1/2Nb1/2)O3‑yPbTiO3‑zMn，其中0.385≤x≤0.405、0.405≤y≤0.425、0.015≤z≤0.025。首先通过B位阳离子前驱体法合成ScNbO4、InNbO4前驱粉，再以ScNbO4、InNbO4、TiO2、锰源、铅源为原料，经过煅烧得到PIN‑PSN‑PT‑Mn粉体，最后经过研磨造粒、干压成型、排胶烧结、被银极化等工艺，得到所述硬性压电陶瓷。通过材料体系优化和相结构调控，有效削弱了压电材料各性能参数之间的相互制约关系，并将三方‑四方铁电相变温度控制在室温以下，在具备高Qm和高d33的同时，可以保持良好的温度稳定性，有望在共振式压电马达、压电变压器、超声波换能器等高功率压电器件领域得到广泛应用。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116715523 A (43)申请公布日 2023.09.08 (21)申请号 202310711939.8 (22)申请日 2023.06.15 (71)申请人 西安交通大学 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西 路28号 (72)发明人 赵伟嘉　李飞　杨帅　王明文　 李景雷　吴杰　王超　 (74)专利代理机构 西安通大专利代理有限责任 公司 61200 专利代理师 王艾华 (51)Int.Cl. C04B 35/499 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/638 (2006.01) C04B 41/88 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图2页 (54)发明名称 一种Mn掺杂PIN-PSN-PT硬性压电陶瓷及其 制备方法 (57)摘要 本发明属于压电陶瓷材料技术领域，具体涉 及一种Mn掺杂PIN‑PSN‑PT硬性压电陶瓷及其制 备方法，所述硬性压电陶瓷的组成通式为 (1‑x‑ y)Pb(In Nb )O ‑xPb(Sc Nb )O ‑yPbTiO ‑ 1/2 1/2 3 1/2 1/2 3 3 zMn，其中0.385≤x≤0.405、0.405≤y≤0.425、 0.015≤z≤0.025。首先通过B位阳离子前驱体法 合成ScNbO 、

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