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图像形成装置 公开日期:2024-11-05 公开号:CN114647171A 申请号:CN202111525192.4图像形成装置
- 申请号:CN202111525192.4
- 公开号:CN114647171A
- 公开日期:2024-11-05
- 申请人:佳能株式会社
公开了图像形成装置。图像形成装置包括感光构件、带电构件、静电图像形成部分、显影构件、转印构件、转印电压源、刷构件、刷电压源和能够执行清洁操作的控制器。控制器进行控制,使得清洁操作包括第一操作和第二操作,在第一操作中,在转印构件和感光构件之间形成电位差,使得带电至通常带电极性的调色剂从转印构件朝向感光构件移动,在第二操作中,在刷构件与感光构件之间形成电位差,使得带电至通常带电极性的调色剂从感光构件朝向刷构件移动。- 发布时间:2023-05-14 11:42:34
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智能光掩膜及其光刻设备、光刻方法和光刻图案形成方法 公开日期:2024-11-05 公开号:CN114631060A 申请号:CN202080063730.X智能光掩膜及其光刻设备、光刻方法和光刻图案形成方法
- 申请号:CN202080063730.X
- 公开号:CN114631060A
- 公开日期:2024-11-05
- 申请人:默司科技股份有限公司
本发明实施例提出一种智能光掩膜及其光刻设备、光刻方法和光刻图案形成方法。所述智能光掩膜包括底板、多个第一微型发光二极管组件以及保护层。所述多个第一微型发光二极管组件以阵列排列设置于与传统光掩膜之尺寸一致的底板上,以基于从所述底板上的线路接收到的控制信号决定发光状态,藉以定义光刻图案。保护层覆盖于所述多个微型发光二极管组件的至少其中之一或多个上。所述多个第一微型发光二极管组件的尺寸和组件间距被设计为符合光刻制程之线宽要求,因此所述智能光掩膜尺寸可符合光刻设备之光掩膜夹持部件要求。- 发布时间:2023-05-14 11:25:41
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基板处理装置 公开日期:2024-11-05 公开号:CN116009367A 申请号:CN202211276682.X基板处理装置
- 申请号:CN202211276682.X
- 公开号:CN116009367A
- 公开日期:2024-11-05
- 申请人:株式会社斯库林集团
本发明提供一种基板处理装置,能够减少因搬运辊引起的筋状的处理斑痕,并且还难以产生在基板的上表面形成积液的处理液的一部分向搬运辊的表面流出或者附着于搬运辊的泡上升到基板的上表面的问题。搬运机构(20)具有多个搬运辊(21)。搬运辊通过一边使在外周面上部分地形成的接触部(53)与基板(9)的下表面接触一边旋转,来搬运基板。接触部(53)与基板的下表面的接触位置随着搬运辊的旋转而在宽度方向上变化。由此,能够减少因搬运辊引起的筋状的处理斑痕。另外,由于搬运辊与基板的下表面的接触面积小,因此,还难以产生在基板的上表面形成积液的处理液的一部分向搬运辊的表面流出或者附着于搬运辊的泡上升到基板的上表面的问题。- 发布时间:2023-05-17 10:10:41
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一种高精度石英基板涂胶及其生产工艺 公开日期:2024-11-05 公开号:CN115793397A 申请号:CN202211509391.0一种高精度石英基板涂胶及其生产工艺
- 申请号:CN202211509391.0
- 公开号:CN115793397A
- 公开日期:2024-11-05
- 申请人:安徽禾臣新材料有限公司
本发明公开了一种高精度石英基板涂胶及其生产工艺,涉及石英基本涂胶技术领域。一种高精度石英基板涂胶,所述涂胶设置有双层结构,分别为与石英基板材料3的外表面贴合的第一胶层以及与第一胶层连接的第二胶层,第二胶层的占宽比大于第一胶层的占宽比;所述第一胶层由以下重量份材料制成:耐高温硅树脂10‑20份、甲酚醛树脂30‑50份、感光剂11‑13份和添加剂65‑70份。本发明提出的一种高精度石英基板涂胶及其生产工艺,涂胶设置有双层结构,在制备第一胶层的材料中增加了耐高温硅树脂材料,能耐高温,抗冲击,在对第二胶层进行加压时,第一胶层不易发生形变,保证只对第二胶层实现占宽增加,从而实现涂胶图形形状达到倒T型图形。- 发布时间:2023-06-07 23:04:06
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具有前盖的调色剂盒 公开日期:2024-11-05 公开号:CN115004114A 申请号:CN202080094970.6具有前盖的调色剂盒
- 申请号:CN202080094970.6
- 公开号:CN115004114A
- 公开日期:2024-11-05
- 申请人:惠普发展公司,有限责任合伙企业
一种图像形成设备包括:提供有安装部分和干涉构件的主体,以及可插入安装部分中的调色剂盒。该调色剂盒包括:用以容纳调色剂的壳体,联接部分,经由联接部分被联接到壳体的一端的前盖,以及切换构件,当调色剂盒被安装在安装部分上时,切换构件用以通过与干涉构件干涉而削弱联接部分的联接力。- 发布时间:2022-10-24 10:23:49
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废碳粉侦测装置 公开日期:2024-11-01 公开号:CN113281971A 申请号:CN202010104245.4废碳粉侦测装置
- 申请号:CN202010104245.4
- 公开号:CN113281971A
- 公开日期:2024-11-01
- 申请人:上福全球科技股份有限公司
本发明是一种废碳粉侦测装置,包含有搅拌杆、传动件、旋臂、以及标志件,搅拌杆用来搅拌废碳粉,传动件能基于搅拌杆的旋转负荷而沿着搅拌杆的轴线在传动位置与脱离位置之间移动,当传动件位于传动位置时能传送旋转至搅拌杆,当传动件位于脱离位置时不能传送旋转至搅拌杆,传动件具有抵顶部,当传动件位于脱离位置时,抵顶部能驱使旋臂由卡合位置旋转至解除位置,标志件能受弹力作用而由内缩位置移动至外伸位置,当旋臂位于卡合位置时,标志件被旋臂限制而维持在内缩位置,当旋臂位于解除位置时,标志件不再被旋臂限制而能受弹力作用移动至外伸位置;借此,废碳粉侦测装置可准确地侦测回收槽内的碳粉是否达预定容量。- 发布时间:2023-06-18 07:06:53
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曝光装置以及物品制造方法 公开日期:2024-11-01 公开号:CN113050394A 申请号:CN202011526977.9曝光装置以及物品制造方法
- 申请号:CN202011526977.9
- 公开号:CN113050394A
- 公开日期:2024-11-01
- 申请人:佳能株式会社
本公开涉及曝光装置以及物品制造方法。曝光装置具备:照明系统,对配置于被照明面的掩模进行照明;投影光学系统,将掩模的图像投影到基板;基板载置台,支承基板;传感器,搭载于基板载置台;以及控制部,控制传感器。控制部实施多次检测处理,检测处理是使用传感器检测从配置于被照明面的多个标志选择的至少2个标志的成像位置的处理,在检测处理与检测处理之间,实施使搭载有传感器的基板载置台移动的移动处理。以使在移动处理之前的检测处理中从所述多个标志选择的至少2个标志的一部分和在移动处理之后的检测处理中从所述多个标志选择的至少2个标志的一部分共同的方式,实施移动处理中的基板载置台的移动。- 发布时间:2023-06-14 12:22:05
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集成电路制造方法 公开日期:2024-11-01 公开号:CN112859508A 申请号:CN201911182217.8集成电路制造方法
- 申请号:CN201911182217.8
- 公开号:CN112859508A
- 公开日期:2024-11-01
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
本发明实施例涉及集成电路制造方法。一种集成电路制造方法,包括有:接收初始集成电路设计布局,所述初始集成电路设计布局包括有m*n个集成电路区,所述集成电路区排列成m列与n行的阵列,且各所述集成电路区内包括有相同的初始集成电路图案;对各所述集成电路区内的所述初始集成电路图案分别进行第一光学近接校正OPC,且所述第一POC共包括有m*n*(l‑1)次反复操作;将所述阵列中设置于同一列的多个所述集成电路区定义为同一组;以及分组进行第二OPC,以获得校正后集成电路设计布局。- 发布时间:2023-06-11 11:59:36
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用于静电电荷图像显影的调色剂、调色剂存储单元、图像形成设备和图像形成方法 公开日期:2024-11-01 公开号:CN112748649A 申请号:CN202011170208.X用于静电电荷图像显影的调色剂、调色剂存储单元、图像形成设备和图像形成方法
- 申请号:CN202011170208.X
- 公开号:CN112748649A
- 公开日期:2024-11-01
- 申请人:株式会社理光
一种用于静电电荷图像显影的调色剂,其中所述调色剂在90℃的自旋‑自旋驰豫时间为0.30毫秒或更大但1.50毫秒或更小,并且所述调色剂在50℃的自旋‑自旋驰豫时间为0.0185毫秒或更大但0.0300毫秒或更小,所述调色剂在90℃的自旋‑自旋驰豫时间和所述调色剂在50℃的自旋‑自旋驰豫时间是通过脉冲NMR分析的哈恩回波方法获得的。- 发布时间:2023-06-05 18:31:59
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背光单元以及包括该背光单元的全息显示装置 公开日期:2024-11-01 公开号:CN112631102A 申请号:CN202010257946.1背光单元以及包括该背光单元的全息显示装置
- 申请号:CN202010257946.1
- 公开号:CN112631102A
- 公开日期:2024-11-01
- 申请人:三星电子株式会社
提供一种背光单元和包括该背光单元的全息显示装置,该背光单元包括光源和配置为引导从光源发射的光的导光结构,该导光结构包括第一耦合器层和第二耦合器层,该第一耦合器层包括第一输出耦合器和第一扩展耦合器,该第一输出耦合器配置为在第一方向上扩展光并将已在第一方向上被扩展的光输出到导光结构的外部,该第一扩展耦合器配置为在垂直于第一方向的第二方向上扩展光并将已在第二方向上被扩展的光提供给第一输出耦合器,第二耦合器层包括第二输出耦合器和第二扩展耦合器,该第二输出耦合器配置为在第一方向上扩展光并将已被扩展的光输出到导光结构的外部,该第二扩展耦合器配置为在第二方向上扩展光并将已被扩展的光提供给第二输出耦合器。- 发布时间:2023-06-03 12:10:50
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