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一种数字媒体动画播放用投影布悬挂装置及其使用方法 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117908320A 申请号:CN202310069908.7一种数字媒体动画播放用投影布悬挂装置及其使用方法
- 申请号:CN202310069908.7
- 公开号:CN117908320A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:长春建筑学院
本发明公开一种数字媒体动画播放用投影布悬挂装置及其使用方法,包括底座,所述底座的顶部开设有第一凹槽,所述第一凹槽的侧面转动连接有承重杆,所述承重杆的侧面开设有第二凹槽,所述底座的顶部滑动连接有第一滑杆,所述第一滑杆的外壁转动连接有第一支撑杆,本发明的有益效果是:通过设置了第一支撑机构和第二支撑机构,使得装置能平稳的站立在地面上,通过设置了第一锁紧机构,可以灵活调整装置的高度,以满足不同规格的投影布的使用需求,通过设置了第二锁紧机构,能将悬挂投影布的横杆旋转至竖直状态,便于收纳和携带,通过设置了伸缩机构,便于调整水平横杆的长度,便于适应不同规格的投影布的同时也便于缩小装置收纳后占地面积。- 发布时间:2024-04-21 07:43:17
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防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜组件的制造方法 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117916662A 申请号:CN202280061304.1防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜组件的制造方法
- 申请号:CN202280061304.1
- 公开号:CN117916662A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:三井化学株式会社
一种防护膜组件,其具备防护膜组件框、防护膜以及粘着层。粘着层的内壁面和外壁面的至少一者满足下述式(1)。式(1):([A2s]/[A50s])≤0.97。式(1)中,A2s表示通过飞行时间型二次离子质谱法对粘着层的距表面的深度为第一深度的第一深部进行分析而得的粘着层的主剂成分所含的部分结构的归一化强度。第一深度是通过用氩气团簇离子束即溅射离子枪对表面的600μm见方的区域进行累计2秒照射而形成的。A50s表示通过飞行时间型二次离子质谱法对深度为第二深度的第二深部进行分析而得的粘着层的主剂成分所含的部分结构的归一化强度。第二深度是通过用上述溅射离子枪对上述区域进行累计50秒照射而形成的。- 发布时间:2024-04-21 07:43:15
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防护膜组件框、防护膜组件、防护膜组件的制造方法和防护膜组件框的评价方法 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117916663A 申请号:CN202280061262.1防护膜组件框、防护膜组件、防护膜组件的制造方法和防护膜组件框的评价方法
- 申请号:CN202280061262.1
- 公开号:CN117916663A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:三井化学株式会社
防护膜组件框具有设置可粘着于光掩模的粘着层的一个端面、以及支撑防护膜的另一个端面。防护膜组件框为矩形状的防护膜组件框(其中,不包括含有石英玻璃的防护膜组件框。)。上述一个端面的扭曲量Δd为10μm以下。上述一个端面的扭曲量Δd表示通过上述一个端面的四个角的4个位点中的3个位点的假想平面与剩余1个位点的距离的最大值。- 发布时间:2024-04-21 07:43:14
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EUV抗蚀剂的混合显影 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117916672A 申请号:CN202280061197.2EUV抗蚀剂的混合显影
- 申请号:CN202280061197.2
- 公开号:CN117916672A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:东京毅力科创株式会社
一种微制造方法包括在半导体晶片的工作表面上沉积光致抗蚀剂膜,该光致抗蚀剂膜对极紫外辐射敏感;将该光致抗蚀剂膜暴露于极紫外辐射模式;对该光致抗蚀剂膜进行混合显影。该混合显影包括执行第一显影工艺以去除该光致抗蚀剂膜的第一部分;在该第一显影工艺之后停止该光致抗蚀剂膜的显影,停止后该光致抗蚀剂膜包括具有比目标临界尺寸大的第一临界尺寸的结构;以及在停止该显影之后,执行第二显影工艺以去除该光致抗蚀剂膜的第二部分并且使该结构的临界尺寸从该第一临界尺寸缩小到比该第一临界尺寸小的第二临界尺寸。- 发布时间:2024-04-21 07:43:13
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传感器系统 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117916670A 申请号:CN202280061057.5传感器系统
- 申请号:CN202280061057.5
- 公开号:CN117916670A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:ASML荷兰有限公司
一种传感器系统,用于测量衬底的形状,传感器系统包括:衬底支撑件,衬底支撑件支撑衬底的表面;至少一个传感器装置,每个传感器装置包括光学发射器和光学接收器,光学发射器向衬底的表面发射辐射束,光学接收器接收从表面反射的辐射束;和控制器。控制器被配置为:基于所接收的辐射束,确定至少一个传感器装置的每个传感器装置上方的衬底的表面的至少一个测量高度;相对于校准高度对衬底的重力下垂进行补偿;以及基于校准高度与至少一个测量高度的对比确定衬底的形状。- 发布时间:2024-04-21 07:43:12
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处理液的检定方法及处理液的制造方法 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117916671A 申请号:CN202280060759.1处理液的检定方法及处理液的制造方法
- 申请号:CN202280060759.1
- 公开号:CN117916671A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:富士胶片株式会社
本发明的课题在于提供一种处理液的检定方法,其判定在用作显影液或冲洗液时,是否为能够形成抑制了线宽的不均的抗蚀剂图案的处理液。本发明的课题还在于提供一种处理液的制造方法。本发明的处理液的检定方法是一种含脂肪族烃系溶剂的处理液的检定方法,其具有:工序A1:获取处理液中的选自由具有碳数为1~3的烃基的羧酸及甲酸所组成的组中的至少一种酸成分的含量的测量数据;以及工序A2:判定工序A1中得到的测量数据是否包含于预先设定的许可范围。- 发布时间:2024-04-21 07:43:09
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光学元件的制造方法 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117916673A 申请号:CN202280060704.0光学元件的制造方法
- 申请号:CN202280060704.0
- 公开号:CN117916673A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:三菱化学株式会社
一种光学元件的制造方法,其中,对具有包含聚合性化合物和光聚合引发剂的记录层的介质进行记录曝光,进一步在介质的温度比上述记录曝光时低的状态进行后曝光。上述记录曝光为全息记录曝光。- 发布时间:2024-04-21 07:43:08
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防护膜组件 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117916661A 申请号:CN202280060629.8防护膜组件
- 申请号:CN202280060629.8
- 公开号:CN117916661A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:三井化学株式会社
本发明的目的在于提供一种更不易产生释气的防护膜组件。本公开的防护膜组件(10)具备:防护膜组件框架(14);防护膜(12),其被支撑于所述防护膜组件框架(14)的一个端面;以及粘着层(15),其设置于所述防护膜组件框架(14)的另一个端面。所述粘着层(15)的由下述式(A)表示的膨润度为200%以下。式(A):[(从所述粘着层采集的10mg试验片的浸渍后质量)/10mg]×100。所述式(A)中,所述浸渍后质量表示使所述试验片在毛细管柱GC浓度为99.0%以上的癸烷溶液10ml中浸渍6小时后的所述试验片的质量。- 发布时间:2024-04-21 07:43:08
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着色固化性树脂组合物、滤色器、显示装置和固体摄像元件 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117916665A 申请号:CN202280060427.3着色固化性树脂组合物、滤色器、显示装置和固体摄像元件
- 申请号:CN202280060427.3
- 公开号:CN117916665A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:住友化学株式会社
本发明的课题在于,提供能够形成密合性优异的滤色器的着色固化性树脂组合物。本发明涉及一种着色固化性树脂组合物,其包含着色剂、碱溶性树脂、聚合性化合物和聚合引发剂,前述碱溶性树脂含有包含式(I)所示结构单元的碱溶性树脂。[式(I)中,R1表示氢原子或甲基。R2表示任选具有取代基的碳原子数1~10的二价脂肪族烃基。T1表示任选具有取代基的碳原子数6~20的二价芳香族烃基。X表示‑O‑、‑S‑或‑NR3‑。R3表示氢原子或碳原子数1~6的烃基。T2表示任选具有取代基的碳原子数6~20的芳香族烃基。]- 发布时间:2024-04-21 07:43:05
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掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 公开日期:2024-04-19 公开号:CN117916660A 申请号:CN202280059843.1掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
- 申请号:CN202280059843.1
- 公开号:CN117916660A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:豪雅株式会社
本发明提供具备遮光膜的掩模坯料、相移掩模、半导体器件的制造方法,所述掩模坯料具有期望的遮光性能,能够在抑制膜厚的增大的同时减少在形成图案时因干法蚀刻而产生的侧向蚀刻量,能够以良好的精度形成微细图案。所述掩模坯料在透光性基板上具备遮光膜,遮光膜由含有硅及氮的材料形成,遮光膜的内部区域的通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的Si2p的窄谱在键能大于100eV且为101.5eV以下的范围具有最大峰,遮光膜的内部区域是除上述透光性基板侧的背面侧区域和与上述透光性基板相反侧的表面侧区域以外的区域。- 发布时间:2024-04-21 07:42:58
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