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一种纳米压印的各向异性石墨烯薄膜的制备方法 公开日期:2024-10-22 公开号:CN113820917A 申请号:CN202111120562.6一种纳米压印的各向异性石墨烯薄膜的制备方法
- 申请号:CN202111120562.6
- 公开号:CN113820917A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:国科温州研究院(温州生物材料与工程研究所)
本发明公开了一种纳米压印的各向异性石墨烯薄膜的制备方法,选取热塑性聚合物配置成预凝胶溶液,制备成表面均匀的薄膜,在该薄膜表面修饰聚多巴胺并黏附氧化石墨烯,后用氢碘酸将氧化石墨烯还原,获得掺杂石墨烯的聚合物薄膜;利用两块PDMS正模板将掺杂石墨烯的聚合物薄膜夹在中间,形成“三明治”模型,采用纳米压印仪一步法获得纳米压印的各向异性石墨烯薄膜。本发明所制备的各向异性石墨烯薄膜能够用于心肌细胞的可视化传感,且有利于心肌细胞的取向生长。本方法制备工艺简单、结构准确可控、重复性好,解决了传统的各向异性结构薄膜制备方法复杂、结构有缺陷等问题,在生物医学领域具有极大的应用价值。- 发布时间:2023-07-06 10:58:49
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感光性树脂组合物、隔壁、光转换层以及光发射装置 公开日期:2024-10-22 公开号:CN113759661A 申请号:CN202010493418.6感光性树脂组合物、隔壁、光转换层以及光发射装置
- 申请号:CN202010493418.6
- 公开号:CN113759661A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:新应材股份有限公司
本发明提供一种图案特征良好及可形成无底切图案的感光性树脂组合物、隔壁、光转换层以及光发射装置。感光性树脂组合物包括碱可溶性树脂(A)、乙烯性不饱和单体(B)、光聚合起始剂(C)、溶剂(D)以及颜料(E)。碱可溶性树脂(A)包括碱可溶性树脂(A‑1),其中碱可溶性树脂(A‑1)包括式(I‑1)表示的结构单元及式(I‑2)表示的结构单元。光聚合起始剂(C)包括式(III‑1)表示的酰基氧化膦化合物- 发布时间:2023-07-03 10:57:13
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光学邻近效应修正方法和系统、掩膜版及其制备方法 公开日期:2024-10-22 公开号:CN113050367A 申请号:CN201911382862.4光学邻近效应修正方法和系统、掩膜版及其制备方法
- 申请号:CN201911382862.4
- 公开号:CN113050367A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司|||中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
本发明实施例提供了一种光学邻近效应修正方法和系统、掩膜版及其制备方法,所述光学邻近效应修正方法包括:获取待修正主图形和所述待修正主图形的重叠图形及重叠边,所述待修正主图形和其他的主图形按照光刻位置重叠的部分为重叠图形,所述重叠图形在所述待修正主图形的外边缘上的边为重叠边;在待修正的所述重叠边的相邻位置设置散射条辅助图形。本发明实施例所提供的光学邻近效应修正方法中,由于所述散射条辅助图形设置于待修正的重叠边的相邻位置,可以在之后的步骤中很好地改善待修正主图形的质量,尤其是待修正的重叠边所对应位置的图形质量,从而提高所得图形中交错的部分的质量,最终可以提高所得半导体器件的合格率。- 发布时间:2023-06-14 12:21:02
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掩模坯及光掩模 公开日期:2024-10-22 公开号:CN112578629A 申请号:CN202011031340.2掩模坯及光掩模
- 申请号:CN202011031340.2
- 公开号:CN112578629A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:爱发科成膜株式会社
本发明涉及一种掩模坯及光掩模,所述掩模坯具有成为光掩模的掩模层。所述掩模坯的反射率低且具有规定的光密度,能够使遮光层的蚀刻速率与防反射层的蚀刻速率接近,并且能够实现降低上檐及下摆的适当的剖面形状。所述掩模层具有:下部防反射层,层压于透明基板;遮光层,设置在比所述下部防反射层更远离所述透明基板的位置上;和上部防反射层,设置在比所述遮光层更远离所述透明基板的位置上。- 发布时间:2023-06-02 13:43:21
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一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法 公开日期:2024-10-22 公开号:CN114924461A 申请号:CN202210709208.5一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法
- 申请号:CN202210709208.5
- 公开号:CN114924461A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:广州新锐光掩模科技有限公司
本发明提供一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法,其包括如下步骤:提供第一光掩膜;在所述光掩膜的表面生长薄膜材料,得到第二光掩膜,其中,所述第二光掩膜的表面具有所需厚度的薄膜;对所述第二光掩膜的横向厚度进行全部或部分去除;保留所述第二光掩膜的部分或全部竖向厚度,从而调整所述关键尺寸。本发明还提供一种半导体器件的制备方法。本发明实现了一种更大范围内调整光掩模关键尺寸的方案,能有效减少光掩模产品报废、降低成本和提高产能。- 发布时间:2023-05-20 11:17:07
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调色剂盒和调色剂供应机构 公开日期:2024-10-22 公开号:CN114200805A 申请号:CN202210025257.7调色剂盒和调色剂供应机构
- 申请号:CN202210025257.7
- 公开号:CN114200805A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:佳能株式会社
本发明的目的是开发调色剂盒的传统结构。调色剂盒包括容器和开/闭构件。容器包括用于容纳调色剂的容纳部分、和排出开口。开/闭构件包括用于关闭排出开口的关闭部分、和关闭力接收部分。开/闭构件能够相对于容器在用于使关闭部分关闭排出开口的关闭位置和用于使关闭部分打开排出开口的打开位置之间移动。开/闭构件包括相对于其中开/闭构件移动以关闭排出开口的关闭方向分别位于开/闭构件的下游侧和上游侧的前端部分和后端部分。在沿着容器的纵向方向观察调色剂盒时,开/闭构件从前端部分到后端部分在容器的圆周的超过180°的范围内延伸。在从接收设备拆卸调色剂盒时,关闭力接收部分接收用于使开/闭构件从打开位置移动到关闭位置的力。- 发布时间:2023-04-29 09:22:31
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有机锡-无机锡杂化Sn18型晶态锡氧簇合物及其制备方法 公开日期:2024-10-22 公开号:CN114167685A 申请号:CN202111488915.8有机锡-无机锡杂化Sn18型晶态锡氧簇合物及其制备方法
- 申请号:CN202111488915.8
- 公开号:CN114167685A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:山西师范大学
本发明公开了一种有机锡‑无机锡杂化Sn18型晶态锡氧簇合物及其制备方法,属于无机化学领域。采用取代苯甲酸、苯基膦酸、SnCl4·5H2O和丁基锡酸为原料,以乙腈、异丙醇和水为混合溶剂,在100℃下通过自组装反应,制备出三例有机锡‑无机锡杂化Sn18型晶态锡氧簇合物。本发明材料具有精确结构信息、高度疏水性和良好稳定性,有望作为一种新型的锡氧簇材料用于EUV光刻技术中光刻胶的制备。且其原料易得,制备方法简单,产率高,可实现低成本、高效益。- 发布时间:2023-04-28 09:39:59
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基于不确定性补偿的超精密光刻装备学习控制系统及方法 公开日期:2024-10-18 公开号:CN118068656A 申请号:CN202410208941.8基于不确定性补偿的超精密光刻装备学习控制系统及方法
- 申请号:CN202410208941.8
- 公开号:CN118068656A
- 公开日期:2024-10-18
- 申请人:哈尔滨工业大学
本发明公开了一种基于不确定性补偿的超精密光刻装备学习控制系统及方法,所述系统包括运动轨迹生成部分、学习控制部分、反馈控制部分和不确定性补偿部分,运动轨迹生成部分包括运动轨迹生成器Cr,运动轨迹生成器Cr产生参考运动轨迹yd(t),yd(t)减去位置测量信号yε,k(t)得到位置误差信号ek(t),ek(t)输入给学习控制部分,学习控制部分产生前馈信号eff,k(t),eff,k(t)与ek(t)相加得到修正误差信号efb,k(t),efb,k(t)输入给反馈控制部分,反馈控制部分包括反馈控制器Cfb,反馈控制器Cfb产生反馈控制量ufb,k(t),ufb,k(t)输入给不确定性补偿部分,不确定性补偿部分产生位置测量信号yε,k(t)。本发明能够有效减少模型不确定性对学习性能的影响,同时可有效补偿外部随机扰动,设计简单,具有较强实际应用价值。- 发布时间:2024-06-01 07:24:34
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光路开放式投影仪的降噪方法、装置及光路开放式投影仪 公开日期:2024-10-18 公开号:CN117331272A 申请号:CN202311384459.1光路开放式投影仪的降噪方法、装置及光路开放式投影仪
- 申请号:CN202311384459.1
- 公开号:CN117331272A
- 公开日期:2024-10-18
- 申请人:深圳欣盛商科技有限公司
本申请涉及光路开放式投影仪的降噪控制技术领域,提供的光路开放式投影仪的降噪方法、装置及光路开放式投影仪,通过获取过滤器过滤后的空气的颗粒物浓度,获取过滤器过滤后的空气的气体流量,根据过滤后的颗粒物浓度和/或气体流量,对投影仪进行降噪控制,从而利用过滤器对进入投影仪风道的空气进行过滤,并根据过滤后的颗粒物浓度、气体流量进行降噪控制,从而减少投影仪内部灰尘聚集,降低热量聚集,避免风扇因热量聚集而加速散热提高噪音,实现降噪控制,同时提升投影仪器件寿命,减少投影质量受到的不利影响。- 发布时间:2024-01-06 07:33:32
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光刻机工件台运动精度检测装置及检测方法 公开日期:2024-10-18 公开号:CN117031888A 申请号:CN202311070989.9光刻机工件台运动精度检测装置及检测方法
- 申请号:CN202311070989.9
- 公开号:CN117031888A
- 公开日期:2024-10-18
- 申请人:千凰微纳装备科技(北京)有限公司
本发明涉及一种光刻机工件台运动精度检测装置及检测方法,包括工作台,工件台设置在Y轴大理石导轨上,Y轴大理石导轨设置在X轴大理石导轨;X轴大理石导轨包括X1轴大理石导轨和X2轴大理石导轨;Y轴大理石导轨一端设置在X1轴大理石导轨上,另一端设置在X2轴大理石导轨上;工作台设置有XYZ轴偏移量检测装置和θ角扭摆值检测装置和R角倾覆值检测装置。本发明光刻机工件台运动精度检测装置,通过涡流传感器检测气浮导轨运动副气膜间隙的变化,可以检测出工件台运动状态及运动精度,同时搭配精密电气比例阀调整气压改变气膜间隙,来补偿工件台运动精度;防止工件台气浮运动副卡死,防止光刻机工件台运动精度降低,提高光刻机使用寿命。- 发布时间:2023-11-16 07:27:23
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