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显影盒和处理盒 公开日期:2024-04-16 公开号:CN113721438A 申请号:CN202111080465.9显影盒和处理盒
- 申请号:CN202111080465.9
- 公开号:CN113721438A
- 公开日期:2024-04-16
- 申请人:珠海益捷科技有限公司
本发明涉及显影盒以及具有该显影盒的处理盒,所述显影盒可拆卸地安装在设备中,包括壳体、可旋转地安装在壳体中的显影辊、芯片以及位于壳体末端的驱动力接收件;芯片包括相互点连接的电触点和存储部,电触点用于与设备建立通信连接;显影盒还包括芯片连通组件,所述芯片连通组件的至少一部分作为活动件相对于壳体可在第一位置和第二位置之间移动;在第一位置,活动件使得电触点与设备之间断开电连接而不能在二者之间建立通信连接,在第二位置,活动件使得电触点与设备之间实现电连接而在二者之间建立通信连接,在显影盒的安装和取出过程中,芯片的电触点不会与外部部件擦碰而导致芯片的导电性缺失,或短路或从显影盒中脱落的问题。- 发布时间:2023-07-03 10:39:01
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一种利用光引发剂实现超分辨刻写与成像的方法和装置 公开日期:2024-04-16 公开号:CN116300310A 申请号:CN202310020668.1一种利用光引发剂实现超分辨刻写与成像的方法和装置
- 申请号:CN202310020668.1
- 公开号:CN116300310A
- 公开日期:2024-04-16
- 申请人:之江实验室|||浙江大学
一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与成像的方法,通过在光刻胶单体中加入的光引发剂7‑二乙基氨‑3‑(2‑噻吩基)香豆素(DETC),利用边缘光抑制效应(PPI),可以实现高精度激光直写;同时,利用其本身的荧光发光特性,及其存在的本征受激辐射效应,还可以实现超分辨受激辐射损耗显微成像(STED)。本发明利用DETC这些特性,在同一个装置中同时构建激光直写系统和显微成像系统,同时实现高精度刻写与超分辨成像。相比于掺杂荧光染料的方式,简化了光刻胶的成分,在一个系统中同时实现高精度刻写与超分辨成像,将刻写系统中的抑制光光路复用于成像系统中的损耗光路,有效简化了系统。本发明还包括一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与成像的装置。- 发布时间:2023-06-25 07:16:24
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光敏树脂组合物、图案形成方法及基板保护用覆膜的制备方法 公开日期:2024-04-16 公开号:CN113448171A 申请号:CN202010232187.3光敏树脂组合物、图案形成方法及基板保护用覆膜的制备方法
- 申请号:CN202010232187.3
- 公开号:CN113448171A
- 公开日期:2024-04-16
- 申请人:赫拉化学科技有限公司
本发明提供负型光敏树脂组合物、利用该组合物的图案的形成方法及基板保护用覆膜的制备方法,负型光敏树脂组合物包含:含有以下述化学式1及2表示的重复单位的光敏树脂、官能单体及光引发剂。本发明的负型光敏树脂组合物包含具有呫吨骨架的硅氧烷树脂,从而具有耐热性、基板硬度及基板密合性等优异的物性。[化学式1][化学式2]- 发布时间:2023-06-23 08:25:28
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用于确定影响半导体制造过程中的产率的根本原因的方法 公开日期:2024-04-16 公开号:CN113168116A 申请号:CN201980079801.2用于确定影响半导体制造过程中的产率的根本原因的方法
- 申请号:CN201980079801.2
- 公开号:CN113168116A
- 公开日期:2024-04-16
- 申请人:ASML荷兰有限公司
描述了一种用于确定影响在衬底上制造器件的过程中的产率的根本原因的方法,该方法包括:获得产率分布数据,产率分布数据包括产率参数在整个衬底或其一部分上的分布;获得量测数据的集合,每个集合包括在整个衬底或其一部分上与衬底的不同层相对应的过程参数的空间变化;基于相似度度量来比较产率分布数据和量测数据,相似度度量描述产率分布数据与量测数据的集合中的单独集合之间的空间相似度;从测量数据组中确定量测数据的第一相似集合,就对应层的处理顺序而言,量测数据的第一相似集合是量测数据的第一集合,量测数据的第一相似集合被确定为与产率分布数据相似。- 发布时间:2023-06-15 07:14:29
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确定整个图案形成装置或衬底上的标记布局 公开日期:2024-04-16 公开号:CN113168110A 申请号:CN201980076671.7确定整个图案形成装置或衬底上的标记布局
- 申请号:CN201980076671.7
- 公开号:CN113168110A
- 公开日期:2024-04-16
- 申请人:ASML荷兰有限公司
一种用于确定整个图案形成装置或衬底上的标记位置的布局的方法,该方法包括:a)获取(502)被配置为对与在一个或多个标记位置处的图案形成装置或衬底上执行的测量相关联的数据进行建模的模型;b)获取(504)包括初始标记位置的初始标记布局(506);c)通过去除一个或多个标记位置来减小(508)初始标记布局以获取多个减少的标记布局(510),每个减少的标记布局是通过从初始标记布局中去除不同标记位置而获取的;d)针对上述多个减少的标记布局中的每个减少的标记布局确定(512)与模型的使用相关联的模型不确定性度量;以及e)基于其相关联的模型不确定性度量来选择(514)一个或多个减少的标记布局(516)。- 发布时间:2023-06-15 07:13:25
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一种光阻供应系统 公开日期:2024-04-16 公开号:CN112925170A 申请号:CN202110117648.7一种光阻供应系统
- 申请号:CN202110117648.7
- 公开号:CN112925170A
- 公开日期:2024-04-16
- 申请人:上海华力微电子有限公司
本发明提供了一种光阻供应系统,包括光阻瓶、瓶口接头、插管、监测装置,所述插管穿过所述瓶口接头伸入所述光阻瓶内,且所述插管的H可调节,所述H为所述插管的底端相对于所述光阻瓶的底部的最大高度,所述监测装置用于监测所述H的调节情况并发出对应的信号指示。可见,本发明通过设置监测装置实现对插管高度调节的实时监测,并发出对应的信号指示,以提示工作人员及时准确地调节插管高度,从而增加光阻单瓶利用率,避免光阻浪费,减少生产成本,另外,还可以避免出现插管负压引起的机台报警情况。- 发布时间:2023-06-11 12:46:42
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制造三维物体的方法及系统 公开日期:2024-04-16 公开号:CN112823313A 申请号:CN201880093199.3制造三维物体的方法及系统
- 申请号:CN201880093199.3
- 公开号:CN112823313A
- 公开日期:2024-04-16
- 申请人:深圳摩方新材科技有限公司
一种通过固化可辐射固化树脂来制造三维物体的方法及系统包括:提供了一种新颖的3D打印技术——膜涂覆立体光刻(MCSL)。该技术通过将工作树脂转移为膜的涂层,并使用先进的微显示技术来固化树脂的方式来进行制造。MCSL使人们可以快速地更换制造材料。- 发布时间:2023-06-07 12:36:16
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一种电子束曝光机、调焦方法及装置 公开日期:2024-04-16 公开号:CN112731773A 申请号:CN202011623770.3一种电子束曝光机、调焦方法及装置
- 申请号:CN202011623770.3
- 公开号:CN112731773A
- 公开日期:2024-04-16
- 申请人:中国科学院微电子研究所
本发明公开了一种电子束曝光机、调焦方法及装置,通过增设光学聚焦测试装置,将探测光照射到所述待曝光样品的当前曝光单元内,并采集所述当前曝光单元对应的反射光图像,然后基于当前曝光单元对应的反射光图像,得到当前曝光单元的位置信息,进而根据该位置信息调整当前曝光单元电子束曝光的焦点位置。这样能够有效地提高电子束曝光机的调焦准确性,有利于减小束斑尺寸,提高电子束曝光的分辨率。- 发布时间:2023-06-05 18:25:53
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记录介质检测装置以及图像形成装置 公开日期:2024-04-16 公开号:CN112485988A 申请号:CN202010933991.4记录介质检测装置以及图像形成装置
- 申请号:CN202010933991.4
- 公开号:CN112485988A
- 公开日期:2024-04-16
- 申请人:柯尼卡美能达株式会社
本公开提供一种记录介质检测装置以及图像形成装置。记录介质检测装置具备:夹持并搬送记录介质的第1辊及第2辊;将第2辊支承为能够旋转的辊轴;轴支承部以及位移检测部。轴支承部将辊轴支承为能够在记录介质的厚度方向上移动。位移检测部检测第2辊的厚度方向的位移。轴支承部经由辊轴还将第2辊支承为能够在记录介质的搬送方向上移动。- 发布时间:2023-06-02 12:25:17
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用于工件的曝光后烘烤加工的方法和装置 公开日期:2024-04-16 公开号:CN112204470A 申请号:CN201980034006.1用于工件的曝光后烘烤加工的方法和装置
- 申请号:CN201980034006.1
- 公开号:CN112204470A
- 公开日期:2024-04-16
- 申请人:玛特森技术公司|||北京屹唐半导体科技股份有限公司
本公开提供了曝光后烘烤方法。在一个示例中,该方法包括将具有光刻胶层的工件放置在设置于加工室中的工件支撑体上。该方法包括通过光掩模将光刻胶曝光于具有一定波长的光子。该方法包括对具有光刻胶加热层的工件进行曝光后烘烤加热过程。曝光后烘烤加热过程可以包括利用辐射热源和设置在工件支撑体中的第二热源两者来加热工件,直到工件的温度达到曝光后烘烤设定点温度。- 发布时间:2023-05-24 13:32:14
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