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• 去除掩模版上污染颗粒的装置和方法 公开日期：2024-10-25 公开号：CN114660903A 申请号：CN202210154807.5
  发明 去除掩模版上污染颗粒的装置和方法

  • 申请号：CN202210154807.5
  • 公开号：CN114660903A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：上海华力集成电路制造有限公司

  本发明公开了一种去除掩模版上污染颗粒的装置，设置有照明灯组；照明灯组包括一个网格型光源的散光灯和一个聚光灯；散光灯开启后，网格型光源照射到掩模版上并将掩模版划分成多个第一网格，通过第一网格实现对掩模版上的污染颗粒的粗定位；聚光灯开启后用于照射粗定位对应的第一网格并实现对污染颗粒进行精定位，通过精定位实现对污染颗粒的快速去除。本发明还公开了一种去除掩模版上污染颗粒的方法。本发明能对掩模版上的污染颗粒进行快速定位，从而能对掩模版上的污染颗粒进行准确和快速的清除，提高清除污染颗粒的效率，还能避免二次污染以及降低掩模版多次开盒处理和返厂送洗的概率。

  发布时间：2023-05-14 11:56:27

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• 掩膜版以及半导体结构的形成方法 公开日期：2024-10-25 公开号：CN112946995A 申请号：CN201911259659.8
  发明 掩膜版以及半导体结构的形成方法

  • 申请号：CN201911259659.8
  • 公开号：CN112946995A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司|||中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

  一种掩膜版以及半导体结构的形成方法，所述掩膜版包括：第一掩膜版，包括主图形以及位于主图形中的反相辅助图形；第二掩膜版，与第一掩膜版相配合，包括补偿图形，补偿图形的透光特性与反相辅助图形的透光特性相反，补偿图形在第一掩膜版上的投影覆盖反相辅助图形且位于主图形中。本发明实施例的掩膜版还包括与第一掩膜版相配合的第二掩膜版，如果第一掩膜版中的反相辅助图形在光刻工艺中显影出图形，能够利用第二掩膜版将反相辅助图形在光刻时形成的图形去除，使目标图形满足设计要求，且不需为防止出现反相辅助图形在光刻时发生显影的问题而缩小反相辅助图形的尺寸，有利于增大形成掩膜版的工艺窗口和光刻的工艺窗口，提高图形转移的精度。

  发布时间：2023-06-11 12:52:17

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• 一种管路柔性适应装置及浸没式光刻机 公开日期：2024-10-25 公开号：CN114690577A 申请号：CN202011628770.2
  发明 一种管路柔性适应装置及浸没式光刻机

  • 申请号：CN202011628770.2
  • 公开号：CN114690577A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：上海微电子装备(集团)股份有限公司

  本发明涉及光刻机技术领域，公开一种管路柔性适应装置及浸没式光刻机，其中管路柔性适应装置包括：包括连接簧片和隔振结构的柔性连接装置，连接簧片的一端通过隔振结构连接于气液分离装置上，连接簧片的另一端自由释放，连接簧片沿气液分离装置的高度方向布置；浸没流场管路，浸没流场管路包括回收管路和注入管路，回收管路的两端分别连通于浸没头和气液分离装置，注入管路的一端连通于浸没头，注入管路远离浸没头的部分连接于连接簧片上且沿连接簧片的高度方向布置，注入管路和回收管路靠近浸没头的部分布置于同一水平面上。通过上述结构，该管路柔性适应装置能够减小管路对浸没头以及气液分离装置的影响，有利于提高浸没式光刻机的精度。

  发布时间：2023-05-14 12:23:55

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• 掩模坯、相移掩模、掩模坯的制法及相移掩模的制法 公开日期：2024-10-25 公开号：CN113406856A 申请号：CN202110268167.6
  发明 掩模坯、相移掩模、掩模坯的制法及相移掩模的制法

  • 申请号：CN202110268167.6
  • 公开号：CN113406856A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：爱发科成膜株式会社

  本发明涉及一种掩模坯、相移掩模、掩模坯的制法及相移掩模的制法。本发明的掩模坯为具有成为相移掩模的层的掩模坯。掩模坯具有：相移层，层叠于透明基板；蚀刻停止层，设置在比所述相移层更远离所述透明基板的位置上；和遮光层，设置在比所述蚀刻停止层更远离所述透明基板的位置上。所述相移层含有铬。所述遮光层含有铬和氧。所述蚀刻停止层含有硅化钼和氮，并且在膜厚方向上靠近所述遮光层的位置上具有氮浓度达到峰值的峰值区域。

  发布时间：2023-06-23 08:07:08

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• 描画装置、数据处理装置、描画方法、以及描画数据生成方法 公开日期：2024-10-25 公开号：CN113448177A 申请号：CN202110293334.2
  发明 描画装置、数据处理装置、描画方法、以及描画数据生成方法

  • 申请号：CN202110293334.2
  • 公开号：CN113448177A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：株式会社斯库林集团

  数据处理装置生成表示以初始网格宽度对初始描画数据所表示的初始描画区域进行分割而得到的多个第一网格区域的各描画内容的第一分割数据，基于第一基板的对准标记的位置，根据重新配置后的各第一网格区域的位置，对各第一网格区域的描画内容进行合成，生成第一描画数据。数据处理装置生成表示以比初始网格宽度大的网格宽度对第一描画数据所表示的第一描画区域进行分割而得到的多个第二网格区域的各描画内容的第二分割数据，基于第二基板的对准标记的位置，根据重新配置后的各第二网格区域的位置，对各第二网格区域的描画内容进行合成，生成表示包含规定图案的第二描画区域的第二描画数据。

  发布时间：2023-06-23 08:26:27

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• 纸张输送装置和图像形成设备 公开日期：2024-10-25 公开号：CN112782948A 申请号：CN202011213403.6
  发明 纸张输送装置和图像形成设备

  • 申请号：CN202011213403.6
  • 公开号：CN112782948A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：株式会社理光

  纸张输送装置和图像形成设备。纸张输送装置包括一对辊和偏压单元。该对辊被配置为夹持被输送的纸张。偏压单元被配置为将一对辊中的一个辊朝向该对辊中的另一个辊偏压。该对辊被配置为彼此不分离。纸张输送装置进一步包括偏压力切换单元，该偏压力切换单元被配置为在纸张被一对辊夹住之前根据纸张的类型切换偏压单元的偏压力。

  发布时间：2023-06-07 12:19:55

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• 一种基于垂直双台面结构的多工位数字光刻装置和方法 公开日期：2024-10-22 公开号：CN113848683A 申请号：CN202111110717.8
  发明 一种基于垂直双台面结构的多工位数字光刻装置和方法

  • 申请号：CN202111110717.8
  • 公开号：CN113848683A
  • 公开日期：2024-10-22
  • 申请人：江苏影速集成电路装备股份有限公司

  本发明公开了一种基于垂直双台面结构的多工位数字光刻装置和方法，属于光刻系统技术领域。本发明提供的光刻装置及方法，通过采用触发对位模式，基于曝光工作面、对位工作面、上下板操作面分别处于不同垂直工位的垂直双台面结构，在垂直空间上，为两个台面设置多个垂直工位，多个垂直工位相互独立，并可以根据不同的曝光场合，结合不同的曝光流程方法，适用于有多分区对位需求，或更高解析精度需求，或两者均需要的生产需求，并保证光刻精度、并提高工作效率。本发明提供的光刻装置及方法，适合于使用低剂量成像材料的生产需求，此时曝光速度较快，需要尽量缩短上下板和对位操作，可使工作效率提升10％以上。

  发布时间：2023-07-07 07:08:59

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• 一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法 公开日期：2024-10-22 公开号：CN114924461A 申请号：CN202210709208.5
  发明 一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法

  • 申请号：CN202210709208.5
  • 公开号：CN114924461A
  • 公开日期：2024-10-22
  • 申请人：广州新锐光掩模科技有限公司

  本发明提供一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法，其包括如下步骤：提供第一光掩膜；在所述光掩膜的表面生长薄膜材料，得到第二光掩膜，其中，所述第二光掩膜的表面具有所需厚度的薄膜；对所述第二光掩膜的横向厚度进行全部或部分去除；保留所述第二光掩膜的部分或全部竖向厚度，从而调整所述关键尺寸。本发明还提供一种半导体器件的制备方法。本发明实现了一种更大范围内调整光掩模关键尺寸的方案，能有效减少光掩模产品报废、降低成本和提高产能。

  发布时间：2023-05-20 11:17:07

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• 感光性树脂组合物、隔壁、光转换层以及光发射装置 公开日期：2024-10-22 公开号：CN113759661A 申请号：CN202010493418.6
  发明 感光性树脂组合物、隔壁、光转换层以及光发射装置

  • 申请号：CN202010493418.6
  • 公开号：CN113759661A
  • 公开日期：2024-10-22
  • 申请人：新应材股份有限公司

  本发明提供一种图案特征良好及可形成无底切图案的感光性树脂组合物、隔壁、光转换层以及光发射装置。感光性树脂组合物包括碱可溶性树脂(A)、乙烯性不饱和单体(B)、光聚合起始剂(C)、溶剂(D)以及颜料(E)。碱可溶性树脂(A)包括碱可溶性树脂(A‑1)，其中碱可溶性树脂(A‑1)包括式(I‑1)表示的结构单元及式(I‑2)表示的结构单元。光聚合起始剂(C)包括式(III‑1)表示的酰基氧化膦化合物

  发布时间：2023-07-03 10:57:13

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• 有机锡-无机锡杂化Sn18型晶态锡氧簇合物及其制备方法 公开日期：2024-10-22 公开号：CN114167685A 申请号：CN202111488915.8
  发明 有机锡-无机锡杂化Sn18型晶态锡氧簇合物及其制备方法

  • 申请号：CN202111488915.8
  • 公开号：CN114167685A
  • 公开日期：2024-10-22
  • 申请人：山西师范大学

  本发明公开了一种有机锡‑无机锡杂化Sn18型晶态锡氧簇合物及其制备方法，属于无机化学领域。采用取代苯甲酸、苯基膦酸、SnCl4·5H2O和丁基锡酸为原料，以乙腈、异丙醇和水为混合溶剂，在100℃下通过自组装反应，制备出三例有机锡‑无机锡杂化Sn18型晶态锡氧簇合物。本发明材料具有精确结构信息、高度疏水性和良好稳定性，有望作为一种新型的锡氧簇材料用于EUV光刻技术中光刻胶的制备。且其原料易得，制备方法简单，产率高，可实现低成本、高效益。

  发布时间：2023-04-28 09:39:59

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