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• 一种中红外超快涡旋激光的直接产生装置及方法 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113381280A 申请号：CN202110639144.1
  发明 一种中红外超快涡旋激光的直接产生装置及方法

  • 申请号：CN202110639144.1
  • 公开号：CN113381280A
  • 公开日期：2024-11-22
  • 申请人：江苏师范大学

  一种中红外超快涡旋激光的直接产生装置及方法，沿着激光传播方向依次设置第一凸透镜、第二凸透镜、第一平凹镜、第一圆孔光阑、激光增益介质、第二圆孔光阑、第二平凹镜、第三平凹镜、第四平凹镜、锁模元件、输出耦合镜，锁模元件接收来自第四平凹镜的光束，用于启动中红外波段脉冲激光，选择输出横模模式，调控脉冲时域波形，微调重复频率；输出耦合镜，输出谐振腔内振荡激光光束，本发明发能够直接产生一阶涡旋激光，过程简单，操作方便，且产生的涡旋激光纯度高。

  发布时间：2023-06-23 07:50:38

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• 半导体封装件和制造半导体封装件的方法 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113380722A 申请号：CN202110090433.0
  发明 半导体封装件和制造半导体封装件的方法

  • 申请号：CN202110090433.0
  • 公开号：CN113380722A
  • 公开日期：2024-11-22
  • 申请人：三星电子株式会社

  一种半导体封装件包括：具有通孔的芯衬底；至少部分地填充所述通孔并且覆盖所述芯衬底的上表面的第一模制构件，所述第一模制构件在所述通孔内具有腔；位于在所述芯衬底的所述上表面上的所述第一模制构件上的第一半导体芯片；布置在所述腔内的第二半导体芯片；位于所述第一模制构件上并且覆盖所述第一半导体芯片的第二模制构件；填充所述腔并覆盖所述芯衬底的所述下表面的第三模制构件；位于所述第二模制构件上并且将所述第一半导体芯片的第一芯片焊盘与所述芯衬底的芯连接布线电连接的第一再分布布线；以及位于所述第三模制构件上并且将所述第二半导体芯片的第二芯片焊盘与所述芯衬底的所述芯连接布线电连接的第二再分布布线。

  发布时间：2023-06-23 07:39:13

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• 更新系统信息的方法及使用该方法的无线发射/接收单元 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113383581A 申请号：CN201980090365.9
  PCT发明 更新系统信息的方法及使用该方法的无线发射/接收单元

  • 申请号：CN201980090365.9
  • 公开号：CN113383581A
  • 公开日期：2024-11-22
  • 申请人：交互数字专利控股公司

  一种在无线发射/接收单元(WTRU)中使用的方法。该方法包括：使用有源接收机接收包括第一系统信息集的系统信息，其中所述第一系统信息集当前对于所述WTRU是有效的；存储所述系统信息；去激活所述有源接收机且激活无源接收机；确定所述BSSI中的第一参数与所述第一系统信息集中的第一参数之间的差是否大于阈值，其中在所述差大于所述阈值的条件下，重新激活所述有源接收机以接收作为用于所述WTRU的当前有效系统信息集的第二系统信息集。

  发布时间：2023-06-23 07:38:21

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• 电机驱动芯片热插拔过程中实现过压保护的电路结构 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113363941A 申请号：CN202110804405.0
  发明 电机驱动芯片热插拔过程中实现过压保护的电路结构

  • 申请号：CN202110804405.0
  • 公开号：CN113363941A
  • 公开日期：2024-11-22
  • 申请人：绍兴光大芯业微电子有限公司

  本发明涉及一种电机驱动芯片热插拔过程中实现过压保护的电路结构，包括H桥模块、单相电机模块、过压控制模块，所述的过压控制模块与H桥模块相连接，H桥模块与单相电机模块相连接，过压控制模块包括阈值比较器、误差放大器、控制策略单元和驱动单元，阈值比较器用于比较供电电压和电路结构设定的过压保护点，来判定高压状况，误差放大器将供电电压与阈值的误差进行放大，决定过压保护的驱动强度。采用了本发明的电机驱动芯片热插拔过程中实现过压保护的电路结构，避免电源电压被抬高而导致损坏控制芯片，造成电机控制芯片热插拔损坏，本发明的电路避免电机线圈剩余电流和电机反电动势产生刹车电流，造成系统的过流或其它潜在故障。

  发布时间：2023-06-23 07:37:46

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• 利用通用网关节点设置网状网络的系统和方法 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113347651A 申请号：CN202110664560.7
  发明 利用通用网关节点设置网状网络的系统和方法

  • 申请号：CN202110664560.7
  • 公开号：CN113347651A
  • 公开日期：2024-11-22
  • 申请人：无线通信与技术公司

  一种在网状无线局域网(WLAN)的网状网关中使用的方法，所述方法包括：在检测到触发事件的情况下，向网状接入点(MAP)发送指示检测到触发事件的消息；与所述MAP建立AP到站(STA)模式连接；向所述MAP发送包括所述网状网关是替代网状网关的指示的网状通告消息；在STA模式下从所述MAP接收与所述网状WLAN相关联的配置信息；以及使用所述配置信息与所述MAP建立网状模式连接。

  发布时间：2023-06-23 07:28:08

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• 一种集成微电网储能系统用调度分配管理平台 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113346490A 申请号：CN202110645441.7
  发明 一种集成微电网储能系统用调度分配管理平台

  • 申请号：CN202110645441.7
  • 公开号：CN113346490A
  • 公开日期：2024-11-22
  • 申请人：江苏百盈电力工程有限公司

  本发明公开了调度分配技术领域的一种集成微电网储能系统用调度分配管理平台，包括有中央控制单元、单神经元模型、选择模式单元、调度电量记录模块、模式时间切换模块、比较模块、分析模块、调度完成分析模块、默认模块与编辑模式单元；中央控制单元构建单神经元模型，对分布式控制器进行集中控制；选择模式单元用于对平时模式、谷时模式与峰时模式进行单一的选择，能够大大减少后续的错误率，较块的达到目标值，同时也能够更好的适应实际电量需求，数据记录用于后续人员对电量特征的研究，可去分析问题影响电量分配的因素，能够在后续出现影响因素时，作出快速的反应，减少损失，较为实用。

  发布时间：2023-06-23 07:27:43

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• 电池材料及其制备方法 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113346044A 申请号：CN202110105060.X
  发明 电池材料及其制备方法

  • 申请号：CN202110105060.X
  • 公开号：CN113346044A
  • 公开日期：2024-11-22
  • 申请人：力哲科技股份有限公司

  本发明公开了一种电池材料，包含：导电基材；以及硅材料层，其位于该导电基材的至少一侧，其中，该硅材料层包含：多个硅纤维，且其中至少部分硅纤维聚集成多个硅纤维球。一种上述的电池材料的制备方法，包含：(a)提供导电基材；(b)提供硅基材料，并于该硅基材料的表面沉积由非晶硅或结晶硅所构成的薄膜，借此形成硅源材料；(c)将步骤(b)的硅源材料置于步骤(a)的导电基材的至少一侧，其中该导电基材与该硅源材料的间距小于100mm；以及(d)加热如步骤(c)所述方式设置的导电基材与硅源材料，使该硅源材料释出非晶硅或结晶硅。

  发布时间：2023-06-23 07:24:26

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• 加热器的温度控制方法、加热器和载置台 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113330819A 申请号：CN202080009533.X
  PCT发明 加热器的温度控制方法、加热器和载置台

  • 申请号：CN202080009533.X
  • 公开号：CN113330819A
  • 公开日期：2024-11-22
  • 申请人：东京毅力科创株式会社

  一种加热器的温度调节方法，所述加热器包括：由半导体基片构成的1片板状部件；和在所述一片板状部件的侧面，在圆周方向上隔开间隔形成的三个以上的电极，该温度调节方法包括：在所述电极与其他的所述电极之间通电，并依次切换要通电的所述电极的组，来对所述板状部件进行加热的工序，其中，所述加热的工序中的电极间的通电时间，是按每个所述电极的组而设定的。

  发布时间：2023-06-23 07:19:18

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• 半导体结构及其形成方法 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113327850A 申请号：CN202010129524.6
  发明 半导体结构及其形成方法

  • 申请号：CN202010129524.6
  • 公开号：CN113327850A
  • 公开日期：2024-11-22
  • 申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司|||中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

  一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的合金掩膜材料层；在合金掩膜材料层上形成图形定义层；在图形定义层中形成开口，开口露出合金掩膜材料层；在开口中形成合金层；形成合金层后，去除图形定义层；以合金层为掩膜刻蚀合金掩膜材料层，形成合金掩膜层；以合金层和合金掩膜层为掩膜刻蚀衬底，在衬底中形成多个间隔的沟槽和位于沟槽之间的衬底隔层。本发明合金层和合金掩膜层的材料均为合金材料，在刻蚀形成沟槽的过程中，产生的聚合物杂质均为带有金属离子的聚合物杂质，带有金属离子的聚合物杂质在刻蚀过程中造成的阻碍较一致，使得沟槽的形貌均一较好，有利于提高半导体结构的电学性能。

  发布时间：2023-06-23 07:19:01

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• 大功率DC-DC充电控制方法、系统、存储介质及逆变器 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113315193A 申请号：CN202110548647.8
  发明 大功率DC-DC充电控制方法、系统、存储介质及逆变器

  • 申请号：CN202110548647.8
  • 公开号：CN113315193A
  • 公开日期：2024-11-22
  • 申请人：宁波众心电子科技有限公司

  本申请涉及一种大功率DC‑DC充电控制方法、系统、存储介质及逆变器，所述方法包括获取电池接入信息；根据电池接入信息判断电池是否满足充电要求；当电池满足充电要求时，获取充电电压输入信息，所述充电电压输入信息至少包括大功率DC电压输入信息、太阳能电池电压输入信息以及适配器DC电压输入信息中的多种；根据预设的先后顺序逐次判断充电电压输入信息是否满足所需的电压要求；当所判断的充电电压输入信息满足所需的电压要求时，根据当前判断的充电电压输入信息设置对应的充电程序。本申请可控制逆变器采用不同的充电程序对电池进行充电以丰富电池所可以接受的充电方式。

  发布时间：2023-06-23 07:15:34

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