半导体结构及其形成方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113327850 A (43)申请公布日 2021.08.31 (21)申请号 202010129524.6 (22)申请日 2020.02.28 (71)申请人 中芯国际集成电路制造（上海）有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区中国（上海） 自由贸易试验区张江路18号 申请人 中芯国际集成电路制造（北京）有限 公司 (72)发明人 张海洋　刘盼盼　 (74)专利代理机构 上海知锦知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 31327 代理人 吴凡 (51)Int.Cl. H01L 21/308(2006.01) H01L 21/768(2006.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图9页 (54)发明名称 半导体结构及其形成方法 (57)摘要 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包 括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的合 金掩膜材料层；在合金掩膜材料层上形成图形定 义层；在图形定义层中形成开口，开口露出合金 掩膜材料层；在开口中形成合金层；形成合金层 后，去除图形定义层；以合金层为掩膜刻蚀合金 掩膜材料层，形成合金掩膜层；以合金层和合金 掩膜层为掩膜刻蚀衬底，在衬底中形成多个间隔 的沟槽和位于沟槽之间的衬底隔层。本发明合金