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半导体封装件和制造半导体封装件的方法

2023-06-23 07:39:13 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202110090433.0
  • 公开(公告)日:2024-11-22
  • 公开(公告)号:CN113380722A
  • 申请人:三星电子株式会社
摘要:一种半导体封装件包括:具有通孔的芯衬底;至少部分地填充所述通孔并且覆盖所述芯衬底的上表面的第一模制构件,所述第一模制构件在所述通孔内具有腔;位于在所述芯衬底的所述上表面上的所述第一模制构件上的第一半导体芯片;布置在所述腔内的第二半导体芯片;位于所述第一模制构件上并且覆盖所述第一半导体芯片的第二模制构件;填充所述腔并覆盖所述芯衬底的所述下表面的第三模制构件;位于所述第二模制构件上并且将所述第一半导体芯片的第一芯片焊盘与所述芯衬底的芯连接布线电连接的第一再分布布线;以及位于所述第三模制构件上并且将所述第二半导体芯片的第二芯片焊盘与所述芯衬底的所述芯连接布线电连接的第二再分布布线。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113380722 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110090433.0 (22)申请日 2021.01.22 (30)优先权数据 10-2020-0022838 2020.02.25 KR (71)申请人 三星电子株式会社 地址 韩国京畿道 (72)发明人 朱昶垠 崔圭振  (74)专利代理机构 北京市立方律师事务所 11330 代理人 李娜 王占杰 (51)Int.Cl. H01L 23/31 (2006.01) H01L 23/498 (2006.01) H01L 21/56 (2006.01) 权利要求书3页 说明书14页 附图35页 (54)发明名称 半导体封装件和制造半导体封装件的方法 (57)摘要 一种半导体封装件包括:具有通孔的芯衬 底;至少部分地填充所述通孔并且覆盖所述芯衬 底的上表面的第一模制构件,所述第一模制构件 在所述通孔内具有腔;位于在所述芯衬底的所述 上表面上的所述第一模制构件上的第一半导体 芯片;布置在所述腔内的第二半导体芯片;位于 所述第一模制构件上并且覆盖所述第一半导体 芯片的第二模制构件;填充所述腔并覆盖所述芯 衬底的所述下表面的第三模制构件;位于所述第 二模制构件上并且将所述第一半导体芯片的第 一芯片焊盘与所述芯衬底的芯连接布线电连接 的第一再分布布线;以及位于所述第三模制构件 A 上并且将所述第二半导体芯片的第二芯片焊盘

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