电机驱动芯片热插拔过程中实现过压保护的电路结构

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363941 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110804405.0 (22)申请日 2021.07.16 (71)申请人 绍兴光大芯业微电子有限公司 地址 312000 浙江省绍兴市天姥路13号 (72)发明人 王换飞　俞明华　吕一松　 欧阳忠明　田剑彪　 (74)专利代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 王洁 (51)Int.Cl. H02H 7/09 (2006.01) H02H 7/085 (2006.01) H02H 3/20 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 电机驱动芯片热插拔过程中实现过压保护 的电路结构 (57)摘要 本发明涉及一种电机驱动芯片热插拔过程 中实现过压保护的电路结构，包括H桥模块、单相 电机模块、过压控制模块，所述的过压控制模块 与H桥模块相连接，H桥模块与单相电机模块相连 接，过压控制模块包括阈值比较器、误差放大器、 控制策略单元和驱动单元，阈值比较器用于比较 供电电压和电路结构设定的过压保护点，来判定 高压状况，误差放大器将供电电压与阈值的误差 进行放大，决定过压保护的驱动强度。采用了本 发明的电机驱动芯片热插拔过程中实现过压保 护的电路结构，避免电源电压被抬高而导致损坏 A 控制芯片，造成电机控制芯片热插拔损坏，本发 1 明的电路避免电机线圈剩