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半导体器件的形成方法 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113451131A 申请号：CN202010211643.6半导体器件的形成方法
- 申请号：CN202010211643.6
- 公开号：CN113451131A
- 公开日期：2024-11-22
- 申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司|||中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
一种半导体器件的形成方法，所述方法在所述第一掩模层中的第一开口内形成第一切割层的同时，在第二开口内形成第二切割层，现有的采用两道工序分别形成第一切割层和第二分割层相比，可以简化工艺操作步骤，提高工作效率。同时，在形成所述第二切割层时，可以根据实际的需要调整第二切割层在第一方向上的尺寸，进而可以调整分割后的第二开口头到头的距离，满足多样化的工艺需求。- 发布时间：2023-06-23 08:24:41
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旋转电机的定子、旋转电机、旋转电机的定子的制造方法及旋转电机的制造方法 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113454880A 申请号：CN201980085353.7旋转电机的定子、旋转电机、旋转电机的定子的制造方法及旋转电机的制造方法
- 申请号：CN201980085353.7
- 公开号：CN113454880A
- 公开日期：2024-11-22
- 申请人：三菱电机株式会社
具备在磁轭部(11)的周向(Z)上隔开规定的间隔地具有多个齿(12)的定子芯(1)、在齿(12)上分别卷绕线圈线(70)而形成的线圈(7)以及配设在定子芯(1)与线圈(7)之间并绝缘的上绕线框(2)，上绕线框(2)具有从定子芯(1)的轴向(Y)上的一侧突出的第一突出部(21)，在第一突出部(21)的径向(X)的外侧(X1)的外周面(201)具有在轴向(Y)上形成为多层的槽部(9)，将不同的齿(12)的线圈(7)彼此连接的连接线(8)是连续线并且由槽部(9)保持。- 发布时间：2023-06-23 08:24:27
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功率放大装置以及音频系统 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113437946A 申请号：CN202010921049.6功率放大装置以及音频系统
- 申请号：CN202010921049.6
- 公开号：CN113437946A
- 公开日期：2024-11-22
- 申请人：株式会社东芝|||东芝电子元件及存储装置株式会社
实施方式涉及功率放大装置以及音频系统。实施方式的功率放大装置具备三个以上的BTL放大器和闭环部。三个以上的BTL放大器具有被桥接的第一以及第二输出放大器，输出将第一输入信号放大后的第一输出信号。闭环部串联连接有与三个以上的BTL放大器分别对应的开关电路，能够构成闭环。第二输出放大器的输出端子与对应的开关电路的一端连接，开关电路通过接通而导通、或者通过断开而切断。- 发布时间：2023-06-23 08:18:35
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用于经由其他接入实现NAS信令的方法和装置 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113439426A 申请号：CN201980092226.X用于经由其他接入实现NAS信令的方法和装置
- 申请号：CN201980092226.X
- 公开号：CN113439426A
- 公开日期：2024-11-22
- 申请人：诺基亚技术有限公司
在设备中，提供了会话管理子层管理和移动性管理子层。经由根据第一标准的通信在设备处接收用于管理根据第二标准的会话的会话管理消息。移动性管理子层向会话管理子层提供对根据第一标准被接收到消息的指示。会话管理子层向移动性管理子层提供对还与根据第二标准的会话相关联的响应会话管理消息应当经由根据第一标准的通信而被发送的指示。- 发布时间：2023-06-23 08:18:17
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绕线模及绕线设备 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113422482A 申请号：CN202110856737.3绕线模及绕线设备
- 申请号：CN202110856737.3
- 公开号：CN113422482A
- 公开日期：2024-11-22
- 申请人：日立电梯电机（广州）有限公司
本发明涉及一种绕线模及绕线设备。绕线模包括绕线主模、绕线副模及模芯。绕线副模与绕线主模可分离式连接。模芯设于绕线主模与绕线副模之间，并围成绕线区。模芯包括至少两个模芯块，至少一个模芯块活动地设于绕线主模，且模芯块能够相互靠近或远离，使模芯能够涨开或回缩。绕线前，模芯块做相互远离运动，使得模芯涨开，这样方便在绕线区进行绕线作业。待绕线完成后，模芯块做相互靠近运动，使得模芯回缩；同时，绕线副模与绕线主模分离，如此可顺利地取走绕线区的线圈。如此，在绕线主模、绕线副模及模芯的配合作用下，即使线圈通电自粘的过程中受热膨胀，也可顺利地取走绕线区的线圈。- 发布时间：2023-06-23 08:17:44
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由PDCCH命令发起的2步RACH 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113424637A 申请号：CN202080014077.8由PDCCH命令发起的2步RACH
- 申请号：CN202080014077.8
- 公开号：CN113424637A
- 公开日期：2024-11-22
- 申请人：苹果公司
描述了一种用于包括以下特征的基站(gNB)的方法。这些特征包括由该gNB向用户设备(UE)传输PDCCH信号，其中该PDCCH信号包括PDCCH有序2步RACH过程的指示。这些特征还包括由该gNB接收该2步RACH过程的第一步，其中该第一步包括来自该UE的PRACH前导码和相关联的消息A物理上行链路共享信道(PUSCH)。- 发布时间：2023-06-23 08:13:52
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用于预固定衬底的方法和装置 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113410128A 申请号：CN202110777000.2用于预固定衬底的方法和装置
- 申请号：CN202110777000.2
- 公开号：CN113410128A
- 公开日期：2024-11-22
- 申请人：EV集团E·索尔纳有限责任公司
本发明涉及一种用于预固定衬底(1、2)的方法和装置，其中在至少一个表面区域中非晶化所述衬底(1、2)的至少一个衬底表面(1o、2o)，其特征在于，所述衬底(1、2)被定向且接着在所述经非晶化的表面区域处接触并且预固定。- 发布时间：2023-06-23 08:11:44
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一种集成功率级及其自校准的输出电流检测方法 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113410226A 申请号：CN202110678771.6一种集成功率级及其自校准的输出电流检测方法
- 申请号：CN202110678771.6
- 公开号：CN113410226A
- 公开日期：2024-11-22
- 申请人：苏州华太电子技术股份有限公司
本发明公开了一种集成功率级及其自校准的输出电流检测方法。所述集成功率级包括高侧开关、低侧开关和驱动电路，高侧开关采用LDMOS器件，低侧开关采用LDMOS器件或VDMOS器件，且高侧开关与驱动电路单片集成于同一个第一管芯，所述低侧开关外接于第一管芯之外形成分立器件，或者所述低侧开关作为第二管芯与高侧开关及驱动电路所在的第一管芯形成双管芯合封。本发明提出的集成功率级方案，其高侧开关为LDMOS器件，方便实现驱动电路和LDMOS器件的单片集成，可以最大程度优化开关性能；同时LDMOS器件易于兼容检测晶体管技术，可以实现精确的模拟输出电流功能。- 发布时间：2023-06-23 08:09:42
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一种增强电寿命后绝缘电阻的高压直流继电器 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113410101A 申请号：CN202110539967.7一种增强电寿命后绝缘电阻的高压直流继电器
- 申请号：CN202110539967.7
- 公开号：CN113410101A
- 公开日期：2024-11-22
- 申请人：厦门宏发电力电器有限公司
本发明公开了一种增强电寿命后绝缘电阻的高压直流继电器，包括陶瓷罩、静触头和动簧片；静触头装在陶瓷罩的顶壁处；陶瓷罩设有通孔，静触头与陶瓷罩的通孔呈间隙配合；静触头的下部中，在靠近陶瓷罩的通孔处，装有环绕静触头的外周面的防护环；防护环的上面向陶瓷罩的顶壁方向延伸设有至少一个没有与陶瓷罩相接触的环形的第一凸部，陶瓷罩的顶壁向防护环方向延伸设有至少一个没有与防护环相接触的环形的第二凸部，且第一凸部与第二凸部在对应于陶瓷罩的高度方向呈相互重叠。本发明能够防止电弧飞溅物进入静触头与陶瓷罩的通孔的孔壁之间的间隙中，从而能够增加陶瓷罩下面的导电体与静触头之间通过陶瓷罩的爬电距离和绝缘电阻。- 发布时间：2023-06-23 08:07:44
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绕线模、绕线装置及绕线方法 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113394927A 申请号：CN202110855721.0绕线模、绕线装置及绕线方法
- 申请号：CN202110855721.0
- 公开号：CN113394927A
- 公开日期：2024-11-22
- 申请人：日立电梯电机（广州）有限公司
本发明涉及一种绕线模、绕线装置及绕线方法。绕线模包括模芯及相对设置的两个侧板。模芯设于两个侧板之间并围成有绕线区。绕线区的两侧分别设有第一凸出部及第二凸出部，第一凸出部用于使第二层首圈绕线及位于第二层且与第二层首圈绕线相邻的绕线粘结于第一层尾圈绕线，第二凸出部用于使第二层尾圈绕线及位于第二层且与第二层尾圈绕线相邻的绕线粘结于第一层首圈绕线。如此，增加第一层首圈绕线及第一层尾圈绕线的粘结面积，提高粘结力，有效避免线圈出现松线的现象，保证产品质量。- 发布时间：2023-06-23 08:05:58
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