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一种防高温的干式变压器 公开日期:2024-10-22 公开号:CN118098762A 申请号:CN202410503732.6一种防高温的干式变压器
- 申请号:CN202410503732.6
- 公开号:CN118098762A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:合肥昌达电气设备有限公司
本发明属于干式变压器设备技术领域,尤其是一种防高温的干式变压器,针对现在的干式变压器在散热的过程中并不能实现对线圈本体直接散热的问题,现提出以下方案,包括底部的两个固定底座,底部的两个固定底座之间固定有六个支撑横梁,六个所述支撑横梁相邻的两个组成一组支撑组件。本发明散热内筒的设置有环形分布的导风内板,气流在导热环腔内部更长时间的接触换热,得到更好的散热效果,散热内筒的外壁和内壁分别设置有与高压线圈接触的高压线圈导热块以及与低压线圈接触的低压线圈导热块,且散热内筒为高导热陶瓷材质,可以将高压线圈和低压线圈的热量快速的导至散热内筒的内部,通过导热环腔的气流排出,实现对线圈本体的快速降温。- 发布时间:2024-06-01 08:09:14
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一种薄膜半导体芯片制备方法和薄膜半导体芯片制备结构 公开日期:2024-10-22 公开号:CN117913017A 申请号:CN202410081501.0一种薄膜半导体芯片制备方法和薄膜半导体芯片制备结构
- 申请号:CN202410081501.0
- 公开号:CN117913017A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:江苏宜兴德融科技有限公司
本申请公开了一种薄膜半导体芯片制备方法和相应的制备结构。所述方法包括:在第一临时衬底上外延生长半导体芯片外延片;在半导体芯片外延片上制备复合金属衬底;通过第一腐蚀液腐蚀牺牲层,将半导体芯片外延片从第一临时衬底剥离;以复合金属衬底作为支撑,在半导体芯片外延片上进行后续芯片加工;以及去除第二临时衬底,获得薄膜半导体芯片。根据本申请的薄膜半导体芯片制备方法和相应的制备结构,设置了复合金属衬底,所述复合金属衬底包括薄膜金属层、截止层和第二临时衬底,因此,在芯片加工过程中,复合金属衬底具有足够的厚度和支撑能力,在芯片加工完毕后,通过去除第二临时衬底,可满足芯片薄膜化的要求;工艺简单,易于实施。- 发布时间:2024-04-21 07:48:46
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一种倒装芯片的平行度调校方法 公开日期:2024-10-22 公开号:CN117878015A 申请号:CN202410013518.2一种倒装芯片的平行度调校方法
- 申请号:CN202410013518.2
- 公开号:CN117878015A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:深圳维盛半导体科技有限公司
本发明公开了一种倒装芯片的平行度调校方法,包括提供测量组件,将测量组件安装于加热台上,并置于加热压头下;选择测试纸,并层叠放置于测量组件的上表面;测试纸包括依次层叠设置的压印纸和复写纸,设置压印纸和复写纸层叠的厚度为T;驱动加热压头向下移动至预设高度,使测试纸完全压合于测量组件上,测量组件以在压印纸上形成印子;松开加热压头,并取下测试纸,测量压印纸上的印子宽度为M,运用计算公式得到压焊头的偏斜角度S,从而作为调节压焊头的依据;本平行度调校方法能够通过测量压焊头的角度偏斜以便于相对应的调整,保证了产品质量,极大提高了芯片精度和可靠性。- 发布时间:2024-04-16 07:22:52
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一种框绞机旋转模装置及方法 公开日期:2024-10-22 公开号:CN117854844A 申请号:CN202410209678.4一种框绞机旋转模装置及方法
- 申请号:CN202410209678.4
- 公开号:CN117854844A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:亚强线缆有限公司
本发明涉及框绞机技术领域,提出了一种框绞机旋转模装置及方法,包括转筒;第一定位盘,设置于转筒外壁周向上,第一定位盘上具有穿丝孔;张紧件,具有若干个,若干个张紧件等间隔设置于转筒上,张紧件的一端与转筒外壁铰接,另一端与转筒外壁滑动连接;第二定位盘,设置于转筒外壁周向上,第二定位盘上具有出丝孔;第一定位盘、张紧件和第二定位盘沿转筒轴线方向依次布置。通过上述技术方案,解决了现有技术中绞线拉紧效果不佳,导致缠绕不紧实的情况的问题。- 发布时间:2024-04-11 07:35:41
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一种固态电解质及其制备方法 公开日期:2024-10-22 公开号:CN117790888A 申请号:CN202410008299.9一种固态电解质及其制备方法
- 申请号:CN202410008299.9
- 公开号:CN117790888A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:广东工业大学
本发明属于全固态锂电池技术领域,具体涉及一种固态电解质及其制备方法。本发明首先采用高能球磨法策略,有效获得了大批高质量的非晶二维BN陶瓷纳米片。二维非晶纳米片有快速的离子扩散通道、更大体积膨胀空间、丰富活性位点和表面缺陷。之后通过溶液浇铸法制备得到柔性非晶纳米BN/PVDF‑HFP高陶瓷含量复合电解质。本发明所制备得到的固态复合电解质可以显著提升复合固态电解质的室温离子电导率、高的热稳定性、较高的锂离子迁移数、宽的电化学窗口及其与电极之间的界面稳定性,进而延长电池的使用寿命。- 发布时间:2024-03-31 07:46:12
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一种硫酸亚铁钠正极材料及其制备方法与应用 公开日期:2024-10-22 公开号:CN117776269A 申请号:CN202311751845.X一种硫酸亚铁钠正极材料及其制备方法与应用
- 申请号:CN202311751845.X
- 公开号:CN117776269A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:无锡钠科能源科技有限公司
本发明涉及一种硫酸亚铁钠正极材料及其制备方法与应用,属于钠离子电池技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤:S1、将硫酸亚铁、硫酸钠、碳基包覆材料和熔盐充分破碎、均匀混匀,得到混合粉末;S2、保护气氛下,对S1的混合粉末进行热处理,得到所述的硫酸亚铁钠正极材料。本发明的制备方法在原料充分混匀的基础上,利用在高温高压的烧结环境与低熔点熔盐提供的微液态环境中,提高原料颗粒之间的紧合度,降低材料在低温烧结过程中的原子扩散能垒,从而提高目标产物的产率,得到高容量硫酸亚铁钠电池正极材料。- 发布时间:2024-03-31 07:35:26
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一种防震型干式变压器 公开日期:2024-10-22 公开号:CN117790110A 申请号:CN202311748654.8一种防震型干式变压器
- 申请号:CN202311748654.8
- 公开号:CN117790110A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:江苏亚威变压器有限公司
本发明公开了一种防震型干式变压器,包括变压器,所述变压器的侧面设置有散热板,所述变压器的顶端固定有连接件,所述变压器的底端固定安装有底座侧板,所述底座侧板的底端活动套接有缓冲框架,所述缓冲框架的侧面四边处均开设有滑动孔,所述缓冲框架的侧面开设有螺纹孔。本发明通过设置了缓冲结构,利用固定托板带动其底端的锥形缓冲弹簧进行收缩,并第一垫片和第二垫片可充当阻尼材料效果,对变压器在移动中所产生的冲击力进行吸收,从而提升对变压器整体底端的缓冲防震效果,并且在固定托板受力进行上下移动时,受到滑动孔的限位,避免其发生大幅度的运动,从而有效降低结构间的磨损率,延长其使用寿命,使其适应于大规模的统一铺设应用。- 发布时间:2024-03-31 07:35:15
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一种可弯曲且具有高光电转换效率的硅异质结太阳能电池及其制法 公开日期:2024-10-22 公开号:CN117766640A 申请号:CN202311478687.5一种可弯曲且具有高光电转换效率的硅异质结太阳能电池及其制法
- 申请号:CN202311478687.5
- 公开号:CN117766640A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:江苏科技大学
本发明公开了一种可弯曲且具有高光电转换效率的硅异质结太阳能电池,包括硅基底层;在硅基底层正面依次沉积有氢化非晶硅氧层、氢化非晶硅层、n型氢化纳米晶硅氧层和透明导电氧化物层;在硅基底层背面依次沉积有氢化非晶硅氧层、氢化非晶硅层、p型氢化纳米晶硅层和透明导电氧化物层;在透明导电氧化物层上印刷有金属电极。本发明还公开了上述硅异质结太阳能电池的制备方法,具体为:对硅基底层进行减薄、制绒处理;在硅基底层上连续沉积氢化非晶硅氧层和氢化非晶硅层,形成钝化层;利用二氧化碳和氢气混合气体在两侧钝化层上进行等离子体预处理,实现钝化层浅表面的纳米晶播种;在经过纳米晶播种的正面钝化层上垂直生长掺磷的n型纳米晶硅氧层;在经过纳米晶播种的背面钝化层上垂直生长掺硼的p型纳米晶硅层;沉积铈掺杂氧化铟作为透明导电氧化物层,再在透明导电氧化物层上印刷金属电极。- 发布时间:2024-03-29 07:19:18
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一种沟槽栅型功率器件及其制备方法、元胞版图结构 公开日期:2024-10-22 公开号:CN117747433A 申请号:CN202311812906.9一种沟槽栅型功率器件及其制备方法、元胞版图结构
- 申请号:CN202311812906.9
- 公开号:CN117747433A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:深圳芯能半导体技术有限公司
本发明公开了一种沟槽栅型功率器件及其制备方法、元胞版图结构,属于半导体技术领域,该所述沟槽栅型功率器件包括:衬底层、沟槽、体区、源区、层间介质层、接触孔、离子注入区、金属。本发明通过在沟槽上形成栅极结构、通过刻蚀部分层间介质层、体区、源区,形成接触孔,进而在接触孔底部的体区中注入第二导电类型的离子,形成离子注入区。即考虑到层间介质层在拐弯区和非拐弯区由于产生厚度偏差导致的阈值电压的差异。通过控制接触孔到沟道的距离调整离子注入区到沟道的距离,实现阈值电压的调整,从而提高阈值电压的一致性。- 发布时间:2024-03-25 07:55:29
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一种基于UiO66改性的杂化膜、制备方法和液流电池中的应用 公开日期:2024-10-22 公开号:CN117747895A 申请号:CN202311602980.8一种基于UiO66改性的杂化膜、制备方法和液流电池中的应用
- 申请号:CN202311602980.8
- 公开号:CN117747895A
- 公开日期:2024-10-22
- 申请人:南京工业大学
本发明公开了一种基于UiO66改性的杂化膜、制备方法和液流电池中的应用;所述杂化膜的基质中掺杂有碳化后的UiO‑66;进一步的,碳化后的UiO‑66的表面还经过了β‑CD的修饰。该杂化膜断面致密均匀,且在强酸强氧化条件下具备良好的化学稳定性。且碳化的UiO‑66在经β‑CD的修饰后掺杂至基质中,会由于与基质间存在的相互作用,使杂化膜的吸水率和拉伸强度相较于膜大幅提升,溶胀率明显下降。另外,使用杂化膜组装的全钒液流电池具有更高的VE和EE。- 发布时间:2024-03-25 07:47:58
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