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• 一种耐腐蚀电力电缆及其制备方法 公开日期：2024-11-19 公开号：CN118098693A 申请号：CN202410322807.0
  发明 一种耐腐蚀电力电缆及其制备方法

  • 申请号：CN202410322807.0
  • 公开号：CN118098693A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：唐山市华新电缆有限公司

  本发明公开了一种耐腐蚀电力电缆及其制备方法。本发明制备的耐腐蚀电力电缆，包括防腐层、防腐层内设有护套层，护套层内设有绝缘层，绝缘层内设有屏蔽层，屏蔽层内设有导体；所述导体为铜导体，屏蔽层为铝塑复合带屏蔽层，绝缘层为聚氯乙烯，护套层由护套料制备而成，该护套料是由耐腐蚀性优异的聚氯乙烯和硅橡胶为主要原料，然后添加改性填料来提高基体的耐腐蚀性能和阻燃性能；防腐层由改性处理后的环氧树脂涂料涂覆而成，进一步提高了基体的耐腐蚀性能。

  发布时间：2024-06-01 08:03:31

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• 一种电子变压器加工用线圈引脚矫正设备及其方法 公开日期：2024-11-19 公开号：CN118098809A 申请号：CN202410308555.6
  发明 一种电子变压器加工用线圈引脚矫正设备及其方法

  • 申请号：CN202410308555.6
  • 公开号：CN118098809A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：贵港市嘉龙海杰电子科技有限公司

  本发明公开了一种电子变压器加工用线圈引脚矫正设备及其方法，涉及引脚定位矫正设备技术领域，包括基座，所述基座的一侧表面固定安装有三轴直线电机，所述三轴直线电机的移动端垂直固定安装有一轴直线电机，所述一轴直线电机的移动端水平固定安装有二轴直线电机。本发明通过设置三个橡胶限制块对电子变压器进行夹持，操作便捷，夹持稳定，控制三轴直线电机、一轴直线电机和二轴直线电机使得对位机构靠近电子变压器的其中一个引脚顶部，可适应任意位置的电子变压器引脚，控制便捷，通过控制步进电机转动配合检测摄像头使得矫正腔室位置与观测电子变压器引脚对应，完成位置校准，对位准确，使得电子变压器的引脚矫正效果更好。

  发布时间：2024-06-01 08:03:13

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• 一种电极补锂方法及锂电池的制备方法 公开日期：2024-11-19 公开号：CN118099563A 申请号：CN202410013256.X
  发明 一种电极补锂方法及锂电池的制备方法

  • 申请号：CN202410013256.X
  • 公开号：CN118099563A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：博研嘉信（北京）科技有限公司

  本发明公开了一种电极补锂方法及锂电池的制备方法，其中，电极的补锂方法，包括以下步骤：S1：对负极片进行预锂化：在惰性气体气氛中，将负极片置入含水量低于200ppm的电解液中进行充电，所述负极片进行充电时的电流倍率为0.1C～3C且惰性气体气氛中水分含量小于500ppm，使负极片的表面形成SEI膜；S2：对负极片进行压膜：对负极片进行干燥处理后，对负极片的表面压膜包覆。本发明能够改善补锂效果，并降低生产成本，提高极片运输的安全性，提升锂电池性能。

  发布时间：2024-06-01 07:55:27

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• 一种光伏热电联供用真空层玻璃组件 公开日期：2024-11-19 公开号：CN117894867A 申请号：CN202410290255.X
  发明 一种光伏热电联供用真空层玻璃组件

  • 申请号：CN202410290255.X
  • 公开号：CN117894867A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：四川蜀旺新能源股份有限公司

  本发明涉及太阳能光伏组件技术领域，尤其涉及一种光伏热电联供用真空层玻璃组件，它包括设置于第一EVA膜与电池片之间的微流体网络层，所述微流体网络层包括流体、流体通道及流体控制系统，所述流体控制系统包括控制单元、微型泵、微型温度传感器和流体供应单元，所述流体供应单元通过微型泵与流体通道的总进口端接通，所述总出口端外接有热交换器，所述热交换器的另一端与流体供应单元连通，所述微型温度传感器设置于电池片上。本发明通过微流体网络层将电池板产生过高的热量转移引导至热交换器区域，使热量被重新利用，通过对光伏板温度的精确控制，以提高电池板的性能和稳定性；此外还集成了防冰结功能，以进一步提高了系统的实用性和可靠性。

  发布时间：2024-04-21 07:24:08

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• 一种磷酸酯类聚合物准固态电解质、原位固态化制备方法及应用 公开日期：2024-11-19 公开号：CN117895064A 申请号：CN202311594392.4
  发明 一种磷酸酯类聚合物准固态电解质、原位固态化制备方法及应用

  • 申请号：CN202311594392.4
  • 公开号：CN117895064A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：深圳大学

  本发明提供一种磷酸酯类聚合物准固态电解质、原位固态化制备方法及应用，环氯磷酸酯类单体与含羟基功能基元的单体通过酯化反应制备磷酸酯类单体；进而将磷酸酯类单体、引发剂、交联剂和锂盐加入助溶剂中搅拌至均匀，从而得到准固态电解质前驱体液；进而静置准固态电解质前驱体液，使得准固态的前驱体液开环聚合，得到交联型聚合物准固态电解质。本发明提高了交联聚合物准固态电解质的热稳定性，降低了聚合物基质的结晶度，最终得到具有高离子电导率、低界面阻抗、高稳定性和电化学稳定性的准固态聚合物电解质，不仅能有效提升电池的安全性能，而且具有优秀的正负极结合能力，可显著提高二次电池的循环和储能的综合性能。

  发布时间：2024-04-21 07:15:24

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• 一种多断口真空断路器路间横向磁场屏蔽结构及优化方法 公开日期：2024-11-19 公开号：CN117810018A 申请号：CN202311743413.4
  发明 一种多断口真空断路器路间横向磁场屏蔽结构及优化方法

  • 申请号：CN202311743413.4
  • 公开号：CN117810018A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：华中科技大学

  本发明公开了一种多断口真空断路器路间横向磁场屏蔽结构及优化方法，屏蔽结构包括多个对称设置在灭弧室周围且用于屏蔽邻路产生的横向磁场的屏蔽单元；每个屏蔽单元包括：一块设置在灭弧室外侧的弧状铁芯，以及两块分别设置在灭弧室左侧和右侧的块状铁芯；弧状铁芯与块状铁芯不直接相连；弧状铁芯用于提高电弧截面直径方向磁场的对称性；块状铁芯用于提高电弧截面沿圆弧方向磁场的均匀性。与现有的磁屏蔽结构相比，本发明提供的铁芯独立可以灵活调整且不易饱和，同时可以结合智能算法进行尺寸寻优，从而获得最优的磁场屏蔽效果。

  发布时间：2024-04-04 07:19:44

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• 一种线缆生产芯线冷却机构 公开日期：2024-11-19 公开号：CN117790076A 申请号：CN202311841448.1
  发明 一种线缆生产芯线冷却机构

  • 申请号：CN202311841448.1
  • 公开号：CN117790076A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：江苏宝翼通讯科技有限公司

  本发明属于芯线生产设备技术领域，尤其是涉及一种线缆生产芯线冷却机构，包括冷却筒，所述冷却筒的外壁固定连接有集热板，所述冷却筒的外壁开设有通孔，且通孔的内壁固定连接有安装框，所述安装框的内壁固定连接有隔板，所述隔板的外壁开设有通孔，且通孔的内壁固定连接有半导体温差发电棒，所述半导体温差发电棒的一端与集热板的外壁固定连接。本发明可以根据检测芯线通电时是否产生热量自动降温，当芯线产生较高的热量会使半导体温差发电棒产生电流，当芯线的温度与冷却腔的水达到相同的温度后，会自动更换水，可以一直保持芯线的降温效果，不仅可以对芯线可以更好的降温，还可以减少能源的损耗。

  发布时间：2024-03-31 07:43:12

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• 一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 公开日期：2024-11-19 公开号：CN117790563A 申请号：CN202311733285.5
  发明 一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法

  • 申请号：CN202311733285.5
  • 公开号：CN117790563A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：湖北九峰山实验室

  本发明提供一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，上述GaN基高电子迁移率晶体管包括衬底、缓冲层、碳掺杂C‑GaN层、GaN基异质结、绝缘介质层、源极及漏极；缓冲层设于衬底上；碳掺杂C‑GaN层设于缓冲层上，碳掺杂C‑GaN层设有两个间隔布设的凹槽；两个GaN基异质结分别二次外延生长于两个凹槽中；绝缘介质层盖设于碳掺杂C‑GaN层和GaN基异质结的上表面；源极和漏极均设于碳掺杂C‑GaN层的上表面，其中一者与两个GaN基异质结中的一个接触，另一者与两个GaN基异质结中的另一个接触。该结构通过二次外延生长GaN基异质结，可以避免刻蚀导致的GaN基异质结材料损伤和界面态，从而获得高电流密度、高跨导、低漏电和高可靠性的增强型GaN HEMT器件。

  发布时间：2024-03-31 07:34:28

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• 封装结构及封装方法 公开日期：2024-11-19 公开号：CN117766609A 申请号：CN202311869356.4
  发明 封装结构及封装方法

  • 申请号：CN202311869356.4
  • 公开号：CN117766609A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：合肥维信诺科技有限公司|||昆山国显光电有限公司

  本申请涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种封装结构及封装方法，该封装结构包括：基板，基板的一侧设有太阳能电池组件；太阳能电池组件远离基板的一侧依次叠层设有第一膜层和第二膜层，第一膜层与第二膜层之间设有阻挡部，第一膜层与基板形成密封空间，太阳能电池组件容置于密封空间内，第二膜层可使太阳能电池组件实现密封封装，通过形成太阳能电池组件的内部阻隔层和封装层，有利于提高太阳能电池组件整体的稳定性，太阳能电池组件处于密封空间中能够很好地隔绝外界水氧，阻挡部能够进一步阻隔水氧，保证太阳能电池组件的吸光效率，延长太阳能电池组件的寿命。

  发布时间：2024-03-29 07:30:26

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• 一种应用于低温锂离子电池的复合表面/体相结构调控的锡基负极材料及其应用 公开日期：2024-11-19 公开号：CN117766726A 申请号：CN202311821239.0
  发明 一种应用于低温锂离子电池的复合表面/体相结构调控的锡基负极材料及其应用

  • 申请号：CN202311821239.0
  • 公开号：CN117766726A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：广东金晟新能源股份有限公司

  本发明公开了一种应用于低温锂离子电池的复合表面/体相结构调控的锡基负极材料及其制备方法。其中，氧化锡负极材料为纳米花状，直径为200～300nm。本发明利用纳米花状氧化锡低温下生成的α‑Sn提升了其低温电化学稳定性。其中，钇原子体相掺杂降低了锂离子在氧化锡中的扩散能垒，加速了低温动力学过程；氮掺杂碳包覆层增强了锡基负极的表面活性，有效提高低温下的电子导电性，抑制了锡基材料的体积膨胀现象，提高了其循环稳定性。所述材料生产成本低、制备简单，有望实现大规模商业化应用。

  发布时间：2024-03-29 07:28:18

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