半导体器件及其制造方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112897457 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110377967.1 (22)申请日 2021.04.08 (71)申请人 无锡韦尔半导体有限公司 地址 江苏省无锡市新区区菱湖大道111号 无锡软件园天鹅座C栋5楼 (72)发明人 万蔡辛　何政达　赵成龙　蒋樱　 (74)专利代理机构 北京成创同维知识产权代理 有限公司 11449 代理人 蔡纯　张靖琳 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 半导体器件及其制造方法 (57)摘要 本发明公开了一种半导体器件及其制造方 法。根据本发明实施例的半导体器件的制造方法 包括在衬底上依次形成牺牲层和结构层；以及在 所述牺牲层的侧壁上形成金属层，其中，所述牺 牲层和所述结构层上形成有台阶结构；通过溅射 生长的方式在所述台阶结构上形成所述金属层。 根据本发明实施例的半导体器件及其制造方法， 采用金属层保护不希望去除的牺牲层，金属层的 覆盖性和致密性好，保护效果好。 A 7 5 4 7 9 8 2 1 1 N C CN 112897457 A 权　利　要　求　书