形成集成电路（IC）器件的方法和集成电路器件

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114031034 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202110690849.6 (22)申请日 2021.06.22 (30)优先权数据 63/093,357 2020.10.19 US 17/176,353 2021.02.16 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹 (72)发明人 陈亭蓉　曾李全　 (74)专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理 有限公司 11409 代理人 章社杲　李伟 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图14页 (54)发明名称 形成集成电路（IC）器件的方法和集成电路 器件 (57)摘要 集成电路(IC)器件包括：第一衬底；介电层， 设置在第一衬底上方；以及第二衬底，设置在介 电层上方。第二衬底包括从介电层向上延伸的包 括硅的锚定区域；并且一系列相互交叉的指状件 从锚定区域的内侧壁延伸。相互交叉的指状件通 常在第一方向上彼此平行延伸，并且具有通常在 第一方向上延伸的相应的指状件长度。多个含硅 峰设置在相应的指状件正下方的介电层上。一系 列相互交叉的指状件悬在多个峰上方。第一峰设 置在指状件的基底下方并且具有第一高度，并且 第二峰设置在指状件的尖端下方并且具有小于 A 第一高度的第二高度。本申请的实施例还涉及形